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UPS發(fā)展方向的幾個(gè)標(biāo)志
1.高頻化電子產(chǎn)品的發(fā)展方向就是高頻化、數(shù)字化，UPS產(chǎn)品也不例外。以往的工頻機(jī)結(jié)構(gòu)產(chǎn)品都是模擬電路，后來經(jīng)過幾次改進(jìn)上升為數(shù)字與模擬相結(jié)合的產(chǎn)品，在當(dāng)今數(shù)字時(shí)代，有
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VMOS、IGBT逆變充電電路圖
逆變器中的開關(guān)元件選用VMOS或IGBT時(shí)，組成的充電電路，比用晶閘管作開關(guān)元件的充電電路的工作頻率高。
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提高太陽能逆變器效能的IGBT選擇方法
如今市場上先進(jìn)功率元件的種類數(shù)不勝數(shù)，工程人員要為一項(xiàng)應(yīng)用選擇到合適的功率元件，的確是一項(xiàng)艱巨的工作。就以太陽能逆變器應(yīng)用來說，絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 能比其他
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功率器件IGBT應(yīng)用中的常見問題解決方法
1 引言80年代問世的絕緣柵雙極性晶體管IGBT是一種新型的電力電子器件，它綜合了gtr和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，控制方便、開關(guān)速度快、工作頻率高、安全工作區(qū)大。隨著電壓、電流等級(jí)的不斷提高，IGBT成為了大功率開關(guān)電源、變頻
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東芝推出新款I(lǐng)GBT/MOSFET門驅(qū)動(dòng)光電耦合器
工作溫度范圍為-40°C至125°C，有助于減少逆變電路的死區(qū)時(shí)間，提高效率東芝公司(Toshiba Corporation今天宣布將推出采用DIP8封裝的IC耦合器，可直接驅(qū)動(dòng)中等容量的
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N溝道IGBT簡化等效電路圖講解
N溝道IGBT的簡化等效電路和電氣圖形符號(hào)電路N溝道IGBT，Infineon(英飛凌)公司的產(chǎn)品。功率半導(dǎo)體一直是西門子半導(dǎo)體的核心產(chǎn)品。西門子在全球率先推出NPT-IGBT，具有高可靠
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IGBT應(yīng)用于電磁爐系統(tǒng)電路圖
IGBT應(yīng)用于電磁爐的系統(tǒng)框圖電路圖IGBT應(yīng)用于電磁爐的系統(tǒng)框圖電路如圖為IGBT應(yīng)用于電磁爐的系統(tǒng)框圖電路圖。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管
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用于IGBT與功率MOSFET的柵驅(qū)動(dòng)器通用芯片
1 引言 scale-2芯片組是專門為適應(yīng)當(dāng)今igbt與功率mosfet柵驅(qū)動(dòng)器的功能需求而設(shè)計(jì)的。這些需求包括：可擴(kuò)展的分離式開通與關(guān)斷門級(jí)電流通路;功率半導(dǎo)體器件在關(guān)斷時(shí)的輸出電壓可以為有源箝位提供支持;多電平變
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國產(chǎn)IGBT廠商開始小批量銷售
“十二五”規(guī)劃出臺(tái)以后，國家對(duì)新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視，同時(shí)，“節(jié)能減排”工作也深入開展，中國開始從粗放型用電到精細(xì)化用電轉(zhuǎn)型。包括IGBT等半導(dǎo)體功率器件作為關(guān)鍵部件，受到了國家的重
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國產(chǎn)IGBT廠商開始小批量銷售
“十二五”規(guī)劃出臺(tái)以后，國家對(duì)新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視，同時(shí)，“節(jié)能減排”工作也深入開展，中國開始從粗放型用電到精細(xì)化用電轉(zhuǎn)型。包括IGBT等半導(dǎo)體功率器件作為關(guān)
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國產(chǎn)IGBT廠商開始小批量銷售
“十二五”規(guī)劃出臺(tái)以后，國家對(duì)新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視，同時(shí)，“節(jié)能減排”工作也深入開展，中國開始從粗放型用電到精細(xì)化用電轉(zhuǎn)型。包括IGBT等半導(dǎo)體功率器件作為關(guān)鍵
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IGBT在大功率斬波中問題的應(yīng)用
斬波是電力電子控制中的一項(xiàng)變流技術(shù)，其實(shí)質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制，因其波形如同斬切般整齊、對(duì)稱，故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位，它不僅關(guān)系到調(diào)速的技術(shù)性能，而且直接影響設(shè)備的運(yùn)行安全和
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IGBT在CO2氣體保護(hù)焊電源中的應(yīng)用電路圖
IGBT在CO2氣體保護(hù)焊電源中的應(yīng)用電路圖如圖所示
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IGBT絕緣柵雙極晶體管柵極過壓保護(hù)電路圖
IGBT的柵極過壓的原因1.靜電聚積在柵極電容上引起過壓。2.電容密勒效應(yīng)引起的柵極過壓。 為防止IGBT的柵極-發(fā)射極過壓情況發(fā)生，應(yīng)在IGBT的柵極與發(fā)射極之間并接一只幾十千
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英飛凌先進(jìn)工藝將太陽能逆變器效率提升一倍
太陽能的轉(zhuǎn)換效率問題是制約其應(yīng)用的一個(gè)巨大挑戰(zhàn)，業(yè)界正在為每一個(gè)進(jìn)步而努力。日前英飛凌高管，負(fù)責(zé)銷售、市場、戰(zhàn)略和兼并的管理委員會(huì)成員Arunjai Mittal對(duì)本刊表示，英飛凌采用先進(jìn)SiC工藝的JFET技術(shù)，可以將太
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安森美擴(kuò)充針對(duì)電機(jī)控制、太陽能及不斷間電源應(yīng)用的高性能溝槽型場截止IGBT陣容
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充NGBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場截止(FS) 絕緣門雙極晶體管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案。這些新器件提升系統(tǒng)總體開關(guān)能效，降低功
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面向汽車應(yīng)用的IGBT功率模塊淺談
中心論題：由于汽車環(huán)境的復(fù)雜多變，EV和HEV中的IGBT模塊要經(jīng)受嚴(yán)峻的熱和機(jī)械條件(振動(dòng)和沖擊)的考驗(yàn)在功率循環(huán)、熱循環(huán)、機(jī)械振動(dòng)或機(jī)械沖擊試驗(yàn)中IGBT模塊會(huì)出現(xiàn)的一些典型的故障模式廠商推出用于HEV的高可靠性IG
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淺談新能源及新能源汽車的四大設(shè)計(jì)熱點(diǎn)
在科技部發(fā)布的《十二五科技發(fā)展規(guī)劃》中，新能源系統(tǒng)和新能源汽車是十二五規(guī)劃的產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)之一。同時(shí)，積極利用新能源，發(fā)展新能源汽車也符合國際社會(huì)對(duì)節(jié)能減排的環(huán)保訴求。為了幫助新能源系統(tǒng)和新能源汽車廠商提高
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變頻器行業(yè)呈高速增長趨勢(shì)
2010年變頻器行業(yè)增長速度達(dá)到27.27%，主要是中低壓變頻器去年供不應(yīng)求，增速達(dá)到30%，第一次出現(xiàn)比高壓變頻器增速高的狀況；高壓變頻器競爭加劇，價(jià)格繼續(xù)呈下降趨勢(shì)。經(jīng)過測算，未來變頻器行業(yè)將繼續(xù)維持20%左右的
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Microsemi推出三款新一代1200V非穿通型IGBT
美高森美公司(Microsemi)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT)系列的三款I(lǐng)GBT新產(chǎn)品面世：APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J。該產(chǎn)品系列的所有器件均
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