
在電源系統(tǒng)中,MOSFET驅(qū)動(dòng)器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號(hào),以便以最快的速度打開(kāi)和關(guān)閉MOSFET。由于驅(qū)動(dòng)器IC與MOSFET的位置相鄰,所以就需要增加智能保護(hù)功能以增強(qiáng)電源的可靠性。 UC
電腦的麥克風(fēng)電路The sound card for a PC generally has a microphone input, speaker output and sometimes line inputs and outputs. The mic input is designed for dynamic microphones only in impedance rang
電腦的麥克風(fēng)電路The sound card for a PC generally has a microphone input, speaker output and sometimes line inputs and outputs. The mic input is designed for dynamic microphones only in impedance rang
衛(wèi)星用DC/DC變換器的高可靠和長(zhǎng)壽命,是確保其完成飛行使命的基本條件之一。但人們對(duì)DC/DC變換器可靠性的認(rèn)識(shí)通常集中在元器件固有質(zhì)量或產(chǎn)品組裝工藝缺陷方面,往往忽略了系統(tǒng)設(shè)計(jì)(包括技術(shù)方案和電路拓?fù)湓O(shè)計(jì)、輸入/輸出接口設(shè)計(jì)、環(huán)境試驗(yàn)條件適應(yīng)性設(shè)計(jì)等)缺陷和電壓、電流和溫度應(yīng)力對(duì)可靠性的影響。
衛(wèi)星用DC/DC變換器的高可靠和長(zhǎng)壽命,是確保其完成飛行使命的基本條件之一。但人們對(duì)DC/DC變換器可靠性的認(rèn)識(shí)通常集中在元器件固有質(zhì)量或產(chǎn)品組裝工藝缺陷方面,往往忽略了系統(tǒng)設(shè)計(jì)(包括技術(shù)方案和電路拓?fù)湓O(shè)計(jì)、輸入/輸出接口設(shè)計(jì)、環(huán)境試驗(yàn)條件適應(yīng)性設(shè)計(jì)等)缺陷和電壓、電流和溫度應(yīng)力對(duì)可靠性的影響。
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4449,該器件為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動(dòng)高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設(shè)計(jì)。這個(gè)驅(qū)動(dòng)器結(jié)合凌力爾特公司的 DC/DC 控制器和功率
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4449,該器件為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動(dòng)高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設(shè)計(jì)。這個(gè)驅(qū)動(dòng)器結(jié)合凌力爾特公司的 DC/DC 控制器和功率
臺(tái)晶圓代工廠產(chǎn)能供應(yīng)失序情形,近期已逐漸從8寸晶圓向下蔓延到5寸及6寸晶圓,包括LCD驅(qū)動(dòng)IC及電源管理IC紛向下?lián)寠Z5寸、6寸晶圓產(chǎn)能動(dòng)作,讓許久未傳出缺貨的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)亦出現(xiàn)客戶一直緊急
臺(tái)晶圓代工廠產(chǎn)能供應(yīng)失序情形,近期已逐漸從8寸晶圓向下蔓延到5寸及6寸晶圓,包括LCD驅(qū)動(dòng)IC及電源管理IC紛向下?lián)寠Z5寸、6寸晶圓產(chǎn)能動(dòng)作,讓許久未傳出缺貨的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)亦出現(xiàn)客戶一直緊急
圖1所示的DVD或機(jī)頂盒電源是用TNY280PN(U1)設(shè)計(jì)的一個(gè)反激式轉(zhuǎn)換器。在這個(gè)設(shè)計(jì)中,10 μF的C4電容選擇了U1的增強(qiáng)限流點(diǎn),在啟動(dòng)或負(fù)載瞬態(tài)(DVD開(kāi)倉(cāng))時(shí)可使電源輸出28 W的峰值功率。圖 1. 25 W連續(xù)、28 W峰值多輸出
在現(xiàn)代機(jī)器人設(shè)計(jì)中,頭部、頸部、四肢的任何活動(dòng)都需要各種各樣電機(jī)的支持,如傳統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)、直線電機(jī)和其它特殊電機(jī),但這些電機(jī)的驅(qū)動(dòng)和控制要求各有不同,如何實(shí)現(xiàn)各種電機(jī)的精確控制解決方案?如何
TPS54620的面積銳減60%,作為一款完整的6A電源解決方案,其面積還不足195mm2。性能特點(diǎn):SWIFT器件支持6A連續(xù)、8A峰值負(fù)載電流以及1.6~17V的功率級(jí)輸入電壓;1.6MHz同步轉(zhuǎn)換器不僅集成兩個(gè)高效MOSFET(26mΩ與19mΩ
在現(xiàn)代機(jī)器人設(shè)計(jì)中,頭部、頸部、四肢的任何活動(dòng)都需要各種各樣電機(jī)的支持,如傳統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)、直線電機(jī)和其它特殊電機(jī),但這些電機(jī)的驅(qū)動(dòng)和控制要求各有不同,如何實(shí)現(xiàn)各種電機(jī)的精確控制解決方案?如何
在現(xiàn)代機(jī)器人設(shè)計(jì)中,頭部、頸部、四肢的任何活動(dòng)都需要各種各樣電機(jī)的支持,如傳統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)、直線電機(jī)和其它特殊電機(jī),但這些電機(jī)的驅(qū)動(dòng)和控制要求各有不同,如何實(shí)現(xiàn)各種電機(jī)的精確控制解決方案?如何
圖1所示的隔離反激式電源是圍繞著LinkSwitch-LP產(chǎn)品系列的LNK564DN(U1)而設(shè)計(jì)。在90-265 VAC的通用輸入電壓范圍內(nèi)輸出可達(dá)5 V/350 mA(1.75 W)。二極管D1和D2對(duì)交流輸入電壓半波整流。存儲(chǔ)電容(C1)和L1衰減傳導(dǎo)EMI。電
日前,Vishay Intertechnology宣布,推出新款12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強(qiáng)的PowerPAK SC-75封裝,占位面積為1.6mm x 1.6mm,具有業(yè)內(nèi)P溝道器件最低的導(dǎo)通電阻。
下面是我對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié),其中參考了一些資料,非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹,特性,驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路。 在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電
昭和電工宣布,成功量產(chǎn)了表面平滑性達(dá)到全球最高水平的直徑4英寸SiC(碳化硅)外延晶圓(EpitaxialWafer)。該晶圓的平滑性為0.4nm,較原產(chǎn)品的1.0~2.5nm最大提高至近6倍。SiC外延晶圓是在SiC底板表面上實(shí)現(xiàn)單晶Si
東京大學(xué)研究生院工學(xué)系研究專業(yè)附屬綜合研究機(jī)構(gòu)與日本迪思科(Disco)、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同開(kāi)發(fā)出了可將300mm晶圓(硅底板)打薄至7μm的技術(shù)。如果采用該技術(shù)層疊100層16GB的內(nèi)存芯
下面是我對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié),其中參考了一些資料,非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹,特性,驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路?!≡谑褂肕OS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電