汽車(chē)用功率 MOSFET 專(zhuān)用系列（IR）

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 日前宣布拓展了針對(duì)低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）應(yīng)用的汽車(chē)用功率 MOSFET 專(zhuān)用系列，包括車(chē)載電源及內(nèi)燃機(jī) (ICE) 、微型混合動(dòng)力和全混合動(dòng)力平臺(tái)上的重載應(yīng)用。新的 MO

基于TPS759XX多片信號(hào)處理系統(tǒng)的電源設(shè)計(jì)

以功率因數(shù)控制芯片MC33262 為核心,設(shè)計(jì)了一種寬電壓輸入范圍、固定升壓輸出的150 W 的AC/ DC 變 換器. 對(duì)該變換器用有源功率因數(shù)校正(APFC) 技術(shù)、MC33262 芯片的原理和結(jié)構(gòu)做了詳盡的分析和討論. 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明所設(shè)計(jì)的以MC33262 為核心的有源功率因數(shù)校正器能在95～250 V 的寬電壓輸入范圍內(nèi)得到非常穩(wěn)定的400 V 直流電壓輸出,并使得功率因數(shù)達(dá)到0. 99 以上,總諧波畸變降低至6 %.

半導(dǎo)體激光管(LD)的電源設(shè)計(jì)

半導(dǎo)體激光管(LD)和普通二極管采用不同工藝，但電壓和電流特性基本相同。在工作點(diǎn)時(shí)，小電壓變化會(huì)導(dǎo)致激光管電流變化較大。此外電流紋波過(guò)大也會(huì)使得激光器輸出不穩(wěn)定。二極管激光器對(duì)它的驅(qū)動(dòng)電源有十分嚴(yán)格的要求

150V MOSFET器件FDMS86200（飛兆）

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和優(yōu)化品質(zhì)因數(shù)(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以滿(mǎn)足DC-DC設(shè)計(jì)人員對(duì)具有較

150V MOSFET器件FDMS86200（飛兆）

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和優(yōu)化品質(zhì)因數(shù)(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以滿(mǎn)足DC-DC設(shè)計(jì)人員對(duì)具有較

采用高壓背光逆變器改善液晶電視性能

數(shù)字電視在全球范圍的應(yīng)用，讓消費(fèi)者體驗(yàn)到以往CRT電視所沒(méi)有的高分辨率。液晶電視則是發(fā)揮數(shù)字電視優(yōu)勢(shì)的下一代家電設(shè)備。因而消費(fèi)者正不斷需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、價(jià)格更低的電視機(jī)。采用高壓背

半導(dǎo)體激光管驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

為提高半導(dǎo)體激光器光功率輸出穩(wěn)定性，并保證激光器安全、可靠工作，設(shè)計(jì)了半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動(dòng)電源。驅(qū)動(dòng)電源主電路采用同步DC／DC方式，輸出效率高；驅(qū)動(dòng)電路可以產(chǎn)生200 kHz觸發(fā)脈沖，降低了輸出電流的紋波，保證激光器輸出功率穩(wěn)定；驅(qū)動(dòng)電路帶有過(guò)壓比較器及過(guò)流比較器，保證激光器安全工作。經(jīng)過(guò)仿真和實(shí)驗(yàn)表明：該驅(qū)動(dòng)電源在20 A工作時(shí)效率達(dá)到85％以上，紋波小于5％。

采用高壓背光逆變器改善液晶電視性能

數(shù)字電視在全球范圍的應(yīng)用，讓消費(fèi)者體驗(yàn)到以往CRT電視所沒(méi)有的高分辨率。液晶電視則是發(fā)揮數(shù)字電視優(yōu)勢(shì)的下一代家電設(shè)備。因而消費(fèi)者正不斷需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、價(jià)格更低的電視機(jī)。采用高壓背

采用高壓背光逆變器改善液晶電視性能

數(shù)字電視在全球范圍的應(yīng)用，讓消費(fèi)者體驗(yàn)到以往CRT電視所沒(méi)有的高分辨率。液晶電視則是發(fā)揮數(shù)字電視優(yōu)勢(shì)的下一代家電設(shè)備。因而消費(fèi)者正不斷需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、價(jià)格更低的電視機(jī)。采用高壓背

月產(chǎn)能全滿(mǎn)載 元隆將虧轉(zhuǎn)盈

中小尺寸晶圓代工廠元隆電子總經(jīng)理陳弘元表示，元隆6吋廠產(chǎn)能已全部滿(mǎn)載，由于今年包括金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管（MOSFET）等模擬IC需求強(qiáng)勁，下半年已陸續(xù)與客戶(hù)洽談?wù){(diào)漲報(bào)價(jià)事宜。 元隆完成減資及私募后，

高能效同步穩(wěn)壓器（安森美半導(dǎo)體）

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出高能效2安培(A)至4 A集成同步穩(wěn)壓器新系列，應(yīng)用于消費(fèi)電子，如機(jī)頂盒(STB)、數(shù)字視盤(pán)(DVD)/硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、液晶顯示器/液晶電視、免提電話(huà)、線(xiàn)纜調(diào)制解調(diào)器和電信/數(shù)據(jù)通信設(shè)備。 N

Vishay改進(jìn)ThermaSim在線(xiàn)MOSFET熱仿真工具

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，對(duì)其ThermaSim在線(xiàn)MOSFET熱仿真工具進(jìn)行了改進(jìn)，為設(shè)計(jì)者提供更好的仿真精度、效率和用戶(hù)友好度。Vishay的ThermaSim是一個(gè)免費(fèi)工具，可讓設(shè)計(jì)者在制造原型前，對(duì)器件進(jìn)行細(xì)

功率半導(dǎo)體行業(yè)的春天

功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢(shì)頭增強(qiáng)，iSuppli公司預(yù)測(cè)2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)收入為2833億美元，增長(zhǎng)率達(dá)到23.2%.　　MOSFET市場(chǎng)前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷(xiāo)售額大約為52.89億美元，

Vishay改進(jìn)ThermaSim在線(xiàn)MOSFET熱仿真工具

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，對(duì)其ThermaSim在線(xiàn)MOSFET熱仿真工具進(jìn)行了改進(jìn)，為設(shè)計(jì)者提供更好的仿真精度、效率和用戶(hù)友好度。Vishay的ThermaSim是一個(gè)免費(fèi)工具，可讓設(shè)計(jì)者在制造原型前，對(duì)器件進(jìn)行細(xì)

功率半導(dǎo)體行業(yè)的春天

功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢(shì)頭增強(qiáng)，iSuppli公司預(yù)測(cè)2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)收入為2833億美元，增長(zhǎng)率達(dá)到23.2%.　　MOSFET市場(chǎng)前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷(xiāo)售額大約為52.89億美元，

意法半導(dǎo)體（ST）發(fā)布突破性功率封裝，擴(kuò)大 MDmesh™ V MOSFET晶體管的功率密度優(yōu)勢(shì)

意法半導(dǎo)體推出一款先進(jìn)的高性能功率封裝，這項(xiàng)新技術(shù)將會(huì)提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。 在一個(gè)尺寸僅為8x8mm的無(wú)引腳封裝外殼內(nèi)，全新1mm高的貼裝封裝可容納工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-220大小

意法半導(dǎo)體（ST）發(fā)布突破性功率封裝，擴(kuò)大 MDmesh™ V MOSFET晶體管的功率密度優(yōu)勢(shì)

意法半導(dǎo)體推出一款先進(jìn)的高性能功率封裝，這項(xiàng)新技術(shù)將會(huì)提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。 在一個(gè)尺寸僅為8x8mm的無(wú)引腳封裝外殼內(nèi)，全新1mm高的貼裝封裝可容納工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-220大小

MOSFET的UIS及雪崩能量解析

在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過(guò)程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實(shí)際的應(yīng)用中評(píng)

為節(jié)能式電源選擇正確的拓?fù)?/a>

恩智浦發(fā)布符合汽車(chē)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的LFPAK封裝功率SO-8MOSFET系列

恩智浦半導(dǎo)體4月23日發(fā)布了符合汽車(chē)行業(yè)Q101標(biāo)準(zhǔn)的LFPAK封裝（緊湊型熱增強(qiáng)無(wú)耗封裝）功率SO-8 MOSFET系列。采用了TrenchMOS技術(shù)，面積比DPAK封裝減小了46%，熱性能與DPAK封裝近似。 主要特點(diǎn)為：LFPAK封裝利用銅