MOSFET與MOSFET驅(qū)動(dòng)電路原理及利用

　下面是我對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，非所有原創(chuàng)。包含 MOS管的推選 ，特征，驅(qū)動(dòng)以及運(yùn)用 電路?！? 　　在運(yùn)用 MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)思慮 M

RS推出1200種三洋半導(dǎo)體產(chǎn)品

S Components于今日宣布，通過其在線目錄RS Online渠道推出三洋（SANYO）半導(dǎo)體公司的1200類半導(dǎo)體產(chǎn)品。此次推出的產(chǎn)品中，除了有采用三洋半導(dǎo)體獨(dú)自技術(shù)達(dá)成的用于電源電池管理的MOSFET系列(具有業(yè)界最高水準(zhǔn)的低導(dǎo)

半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)高端MOSFET驅(qū)動(dòng)方案選擇：變壓器還是硅芯片？

在節(jié)能環(huán)保意識(shí)的鞭策及世界各地最新能效規(guī)范的推動(dòng)下，提高能效已經(jīng)成為業(yè)界共識(shí)。與反激、正激、雙開關(guān)反激、雙開關(guān)正激和全橋等硬開關(guān)技術(shù)相比，雙電感加單電容(LLC)、有源鉗位反激、有源鉗位正激、非對(duì)稱半橋(AH

3.3x3.3mm MLP封裝的25V MOSFET FDMC7570S(Fairchild)

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色熱性能，并有助實(shí)現(xiàn)更薄、更輕和更緊湊的電源解決方案的MOSFET產(chǎn)品系列，可應(yīng)對(duì)工業(yè)、計(jì)算和電信系統(tǒng)對(duì)更高效率和功率密度的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。FDMC7570S是采用3m

RS推出1200種三洋半導(dǎo)體產(chǎn)品

S Components于今日宣布，通過其在線目錄RS Online渠道推出三洋（SANYO）半導(dǎo)體公司的1200類半導(dǎo)體產(chǎn)品。此次推出的產(chǎn)品中，除了有采用三洋半導(dǎo)體獨(dú)自技術(shù)達(dá)成的用于電源電池管理的MOSFET系列(具有業(yè)界最高水準(zhǔn)的低導(dǎo)

適用于ORing和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的PQFN封裝MOSFET（IR）

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。這些新的功率MOSFET采用IR最先進(jìn)的硅技術(shù)，是該公司首批采

超薄PowerTrenchN溝道WL-CSP MOSFET(Fairchild)

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)因應(yīng)手機(jī)、便攜醫(yī)療設(shè)備和媒體播放器等便攜應(yīng)用設(shè)備的設(shè)計(jì)和元件工程師對(duì)在其設(shè)計(jì)中加入節(jié)省空間的高效器件的需求，推出N溝道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，這兩款器件使用

超薄PowerTrenchN溝道WL-CSP MOSFET(Fairchild)

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)因應(yīng)手機(jī)、便攜醫(yī)療設(shè)備和媒體播放器等便攜應(yīng)用設(shè)備的設(shè)計(jì)和元件工程師對(duì)在其設(shè)計(jì)中加入節(jié)省空間的高效器件的需求，推出N溝道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，這兩款器件使用

BUCK電路拓?fù)?/a>

熱插拔控制器的應(yīng)用

“熱插拔”是指將板卡從加有電源的主機(jī)（背板、服務(wù)器等）上插入或拔出,主要應(yīng)用在基站、磁盤冗余陣列（RAID）、遠(yuǎn)程接入服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)路由路、網(wǎng)絡(luò)交換器以及ISDN等系統(tǒng)。當(dāng)板卡插入主機(jī)時(shí),主機(jī)已處于穩(wěn)態(tài)工作狀態(tài),所

MAX15041應(yīng)用電路

MAX15041是低成本、內(nèi)置開關(guān)的同步DC-DC轉(zhuǎn)換器，可提供高達(dá)3A的輸出電流。MAX15041工作在4.5V至28V輸入電壓范圍，輸出電壓范圍為0.6V至VIN的90%，可由兩個(gè)外部電阻設(shè)置。MAX15041理想用于分布式電源、預(yù)穩(wěn)壓、機(jī)頂盒

MAX15041應(yīng)用電路

MAX15041是低成本、內(nèi)置開關(guān)的同步DC-DC轉(zhuǎn)換器，可提供高達(dá)3A的輸出電流。MAX15041工作在4.5V至28V輸入電壓范圍，輸出電壓范圍為0.6V至VIN的90%，可由兩個(gè)外部電阻設(shè)置。MAX15041理想用于分布式電源、預(yù)穩(wěn)壓、機(jī)頂盒

MAX15041應(yīng)用電路

MAX15041是低成本、內(nèi)置開關(guān)的同步DC-DC轉(zhuǎn)換器，可提供高達(dá)3A的輸出電流。MAX15041工作在4.5V至28V輸入電壓范圍，輸出電壓范圍為0.6V至VIN的90%，可由兩個(gè)外部電阻設(shè)置。MAX15041理想用于分布式電源、預(yù)穩(wěn)壓、機(jī)頂盒

基于UCC27321高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)芯片的功能與應(yīng)用

1　引言 　　隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，各種新型的驅(qū)動(dòng)芯片層出不窮，為驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)提供了更多的選擇和設(shè)計(jì)思路，外圍電路大大減少，使得MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路愈來愈簡(jiǎn)潔，.性能也獲得到了很大地提高。其中UCC27321

基于UCC27321高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)芯片的功能與應(yīng)用

基于UCC27321高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)芯片的功能與應(yīng)用

25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列(英飛凌)

為提高計(jì)算和電信產(chǎn)品的能效，英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應(yīng)用電力電子會(huì)議和產(chǎn)品展示會(huì)上，推出OptiMOS 25V器件系列，壯大OptiMOS? 功率 MOSFET產(chǎn)品陣容。該系列器件經(jīng)過優(yōu)化，適合應(yīng)用于計(jì)

基于提高太陽能逆變器的轉(zhuǎn)換效率的解決方案

I.　引言/摘要 由于對(duì)可再生能源的需求，太陽能逆變器 (光電逆變器) 的市場(chǎng)正在不斷增長(zhǎng)。而這些逆變器需要極高的效率和可靠性。本文對(duì)這些逆變器中采用的功率電路進(jìn)行了考察，并推薦了針對(duì)開關(guān)和整流器件的最佳

500V和600V的單N溝道MOSFET（安森美）

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充公司市場(chǎng)領(lǐng)先的功率開關(guān)產(chǎn)品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)系列。這些新方案的設(shè)計(jì)適合功率因數(shù)校正(PFC)和脈寬調(diào)制(PWM)段

NexFETTM：新一代功率 MOSFET

1對(duì)于理想開關(guān)的需求功率 MOSFET 可作為高頻率脈沖寬度調(diào)變 (PWM) 應(yīng)用中的電氣開關(guān)，例如穩(wěn)壓器及/或控制電源應(yīng)用之中負(fù)載電流的開關(guān)。作為負(fù)載開關(guān)使用時(shí)，由于切換時(shí)間通常較長(zhǎng)，因此裝置的成本、尺寸及導(dǎo)通電阻

利用智能MOSFET驅(qū)動(dòng)器提升數(shù)字控制電源性能

在電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動(dòng)器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號(hào)，以便以最快的速度打開和關(guān)閉MOSFET。由于驅(qū)動(dòng)器IC與MOSFET的位置相鄰，所以就需要增加智能保護(hù)功能以增強(qiáng)電源的可靠性。 　　UC