富士電機計劃生產采用碳化硅作為原料的功率半導體,并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設一條產線,此為該公司首次在自家工廠設置碳化硅功率半導體的產線,未來預計在2012年春季開始量產。富士電機將
為什么是你?為什么是我? 經(jīng)過這些年的思想灌輸,大部分求職者都有這樣一個意識:HR閱讀每封簡歷的時間相當有限,花15秒進行簡歷的粗略瀏覽,而閱讀感興趣的簡歷不超過120秒。那么,在如此短的時間內HR評判簡歷&
HR:簡歷細節(jié)決定成敗
引言 隨著現(xiàn)代技術的發(fā)展, 功率放大器已成為無線通信系統(tǒng)中一個不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產生技術已成為現(xiàn)代通信對抗的關鍵技術。作為第三代半導體材料碳化硅( SiC) , 具有寬禁帶、高熱導率、高擊穿場
BridgELux是一家涉及l(fā)ed的生產和固態(tài)照明科技的研發(fā)領域的公司。根據(jù)美國證交會呈報,在第五輪募資中,Bridgelux籌集到6千萬美元。迄今為止Bridgelux募資總數(shù)已達1.8億美元,并且在新的一輪募資中Bridgelux或許還將募
目前,TD-SCDMA網(wǎng)絡正處在逐步完善的階段,存在一些覆蓋空洞和覆蓋邊緣弱場強情況,這就必須引進2G/3G互操作的技術。若在TD網(wǎng)絡覆蓋空洞和覆蓋邊緣區(qū)域中現(xiàn)有的GSM網(wǎng)絡覆蓋良好,則可選擇一些2G/3G互操作機制,使用
目前,TD-SCDMA網(wǎng)絡正處在逐步完善的階段,存在一些覆蓋空洞和覆蓋邊緣弱場強情況,這就必須引進2G/3G互操作的技術。若在TD網(wǎng)絡覆蓋空洞和覆蓋邊緣區(qū)域中現(xiàn)有的GSM網(wǎng)絡覆蓋良好,則可選擇一些2G/3G互操作機制,使用
7月19日消息,據(jù)國外媒體報道,為更加滿足大家對音樂播放的要求,最近又有兩款新的音樂播放程序推出。其中一款是是由美國在線(以下簡稱AOL)專為iPhone設計的PLAY軟件,通過它可以分享到在Facebook和Twitter上所聽過
美國半導體產業(yè)協(xié)會(SIA)日前公布了 2011年第一季的晶圓制造產能統(tǒng)計報告(SICAS),相關顯示大多數(shù)區(qū)域的晶圓廠產能利用率都在九成以上,整體半導體產能利用率為93.7%;事實上,半導體產業(yè)產能在第一季仍接近售罄的狀
美國半導體產業(yè)協(xié)會(SIA)日前公布了 2011年第一季的晶圓制造產能統(tǒng)計報告(SICAS),相關顯示大多數(shù)區(qū)域的晶圓廠產能利用率都在九成以上,整體半導體產能利用率為93.7%;事實上,半導體產業(yè)產能在第一季仍接近售罄的狀
探討基于SiC集成技術的生物電信號采集方案
前些年消費電子和工業(yè)控制是推動IGBT市場快速發(fā)展的兩架馬車,中小功率IGBT大放異彩。如今在新能源汽車、高鐵、新能源等新興應用的“提攜”下,大功率IGBT迎來了新的春天,而這些應用帶來新的課題,與之相
碳化硅 (SiC) 功率器件市場領先者科銳公司 (Nasdaq: CREE) 日前宣布推出一新型產品系列。該系列產品由七款1200V Z-Rec 碳化硅(SiC)肖特基二極管組成,不僅優(yōu)化了價格和性能,還可提供多種額定電流和封裝選擇。通過推
IBM研究中心公開了首款通過晶圓尺寸石墨烯制造出的集成電路,并展示了頻率高達10GHz的寬帶混頻器。這款模擬集成電路有一個石墨烯晶體管和一對整合在碳化硅晶圓上的電感器構成,以無線通信應用為目標。該集成電路像寬
外延片的生產制作過程是非常復雜,展完外延片,接下來就在每張外延片隨意抽取九點做測試,符合要求的就是良品,其它為不良品(電壓偏差很大,波長偏短或偏長等)。良品的外延片就要開始做電極(P極,N極),接下來就用激
新浪科技訊 北京時間5月11日凌晨消息,蘋果和谷歌周二出席了美國參議院舉行的聽證會上,對各自的隱私政策進行了辯解。 蘋果軟件業(yè)務副總裁蓋伊•特里布爾(Guy Tribble)說,“蘋果致力于保護我們所有用戶的
led被稱為第四代照明光源或綠色光源,是一種半導體固體發(fā)光器件。在1955年時,美國無線電公司的RubinBraunstein發(fā)現(xiàn)了砷化鎵(GaAs)及其他半導體合金的紅外線放射作用,1962年美國通用電氣公司(GE)的NickHolonyak
外延片的生產制作過程是非常復雜,展完外延片,接下來就在每張外延片隨意抽取九點做測試,符合要求的就是良品,其它為不良品(電壓偏差很大,波長偏短或偏長等)。良品的外延片就要開始做電極(P極,N極),接下來就用激
2011年4月25日在東京都內召開了新聞發(fā)布會。(點擊放大) 新日本制鐵(新日鐵)與美國科銳就新一代功率半導體等采用的SiC基板,簽訂了雙方在全球所擁有專利的相互授權協(xié)議。雙方可相互利用SiC塊體基板和外延基板方