BridgELux是一家涉及l(fā)ed的生產(chǎn)和固態(tài)照明科技的研發(fā)領(lǐng)域的公司。根據(jù)美國(guó)證交會(huì)呈報(bào),在第五輪募資中,Bridgelux籌集到6千萬美元。迄今為止Bridgelux募資總數(shù)已達(dá)1.8億美元,并且在新的一輪募資中Bridgelux或許還將募
目前,TD-SCDMA網(wǎng)絡(luò)正處在逐步完善的階段,存在一些覆蓋空洞和覆蓋邊緣弱場(chǎng)強(qiáng)情況,這就必須引進(jìn)2G/3G互操作的技術(shù)。若在TD網(wǎng)絡(luò)覆蓋空洞和覆蓋邊緣區(qū)域中現(xiàn)有的GSM網(wǎng)絡(luò)覆蓋良好,則可選擇一些2G/3G互操作機(jī)制,使用
目前,TD-SCDMA網(wǎng)絡(luò)正處在逐步完善的階段,存在一些覆蓋空洞和覆蓋邊緣弱場(chǎng)強(qiáng)情況,這就必須引進(jìn)2G/3G互操作的技術(shù)。若在TD網(wǎng)絡(luò)覆蓋空洞和覆蓋邊緣區(qū)域中現(xiàn)有的GSM網(wǎng)絡(luò)覆蓋良好,則可選擇一些2G/3G互操作機(jī)制,使用
7月19日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,為更加滿足大家對(duì)音樂播放的要求,最近又有兩款新的音樂播放程序推出。其中一款是是由美國(guó)在線(以下簡(jiǎn)稱AOL)專為iPhone設(shè)計(jì)的PLAY軟件,通過它可以分享到在Facebook和Twitter上所聽過
美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)日前公布了 2011年第一季的晶圓制造產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)報(bào)告(SICAS),相關(guān)顯示大多數(shù)區(qū)域的晶圓廠產(chǎn)能利用率都在九成以上,整體半導(dǎo)體產(chǎn)能利用率為93.7%;事實(shí)上,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能在第一季仍接近售罄的狀
美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)日前公布了 2011年第一季的晶圓制造產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)報(bào)告(SICAS),相關(guān)顯示大多數(shù)區(qū)域的晶圓廠產(chǎn)能利用率都在九成以上,整體半導(dǎo)體產(chǎn)能利用率為93.7%;事實(shí)上,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能在第一季仍接近售罄的狀
探討基于SiC集成技術(shù)的生物電信號(hào)采集方案
前些年消費(fèi)電子和工業(yè)控制是推動(dòng)IGBT市場(chǎng)快速發(fā)展的兩架馬車,中小功率IGBT大放異彩。如今在新能源汽車、高鐵、新能源等新興應(yīng)用的“提攜”下,大功率IGBT迎來了新的春天,而這些應(yīng)用帶來新的課題,與之相
碳化硅 (SiC) 功率器件市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司 (Nasdaq: CREE) 日前宣布推出一新型產(chǎn)品系列。該系列產(chǎn)品由七款1200V Z-Rec 碳化硅(SiC)肖特基二極管組成,不僅優(yōu)化了價(jià)格和性能,還可提供多種額定電流和封裝選擇。通過推
IBM研究中心公開了首款通過晶圓尺寸石墨烯制造出的集成電路,并展示了頻率高達(dá)10GHz的寬帶混頻器。這款模擬集成電路有一個(gè)石墨烯晶體管和一對(duì)整合在碳化硅晶圓上的電感器構(gòu)成,以無線通信應(yīng)用為目標(biāo)。該集成電路像寬
外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復(fù)雜,展完外延片,接下來就在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試,符合要求的就是良品,其它為不良品(電壓偏差很大,波長(zhǎng)偏短或偏長(zhǎng)等)。良品的外延片就要開始做電極(P極,N極),接下來就用激
新浪科技訊 北京時(shí)間5月11日凌晨消息,蘋果和谷歌周二出席了美國(guó)參議院舉行的聽證會(huì)上,對(duì)各自的隱私政策進(jìn)行了辯解。 蘋果軟件業(yè)務(wù)副總裁蓋伊•特里布爾(Guy Tribble)說,“蘋果致力于保護(hù)我們所有用戶的
led被稱為第四代照明光源或綠色光源,是一種半導(dǎo)體固體發(fā)光器件。在1955年時(shí),美國(guó)無線電公司的RubinBraunstein發(fā)現(xiàn)了砷化鎵(GaAs)及其他半導(dǎo)體合金的紅外線放射作用,1962年美國(guó)通用電氣公司(GE)的NickHolonyak
外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復(fù)雜,展完外延片,接下來就在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試,符合要求的就是良品,其它為不良品(電壓偏差很大,波長(zhǎng)偏短或偏長(zhǎng)等)。良品的外延片就要開始做電極(P極,N極),接下來就用激
2011年4月25日在東京都內(nèi)召開了新聞發(fā)布會(huì)。(點(diǎn)擊放大) 新日本制鐵(新日鐵)與美國(guó)科銳就新一代功率半導(dǎo)體等采用的SiC基板,簽訂了雙方在全球所擁有專利的相互授權(quán)協(xié)議。雙方可相互利用SiC塊體基板和外延基板方
新日鐵的SiC基板產(chǎn)品群(點(diǎn)擊放大) 基板質(zhì)量出色(點(diǎn)擊放大) 新日本制鐵(新日鐵)計(jì)劃在2012年3月底之前,將新一代功率半導(dǎo)體用4英寸(100mm)以下口徑的SiC基板產(chǎn)能增至目前約3倍的1000枚/月。為滿足SiC基
為了滿足半導(dǎo)體應(yīng)用提高效率和性能的需求,全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布收購(gòu)碳化硅 (Silicon Carbide; SiC) 功率晶體管企業(yè)TranSiC公司,擴(kuò)展其領(lǐng)先的技術(shù)
21ic訊 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布收購(gòu)碳化硅 (Silicon Carbide; SiC) 功率晶體管企業(yè)TranSiC公司,擴(kuò)展其領(lǐng)先的技術(shù)能力。這項(xiàng)收購(gòu)為飛兆半導(dǎo)體帶來獲經(jīng)驗(yàn)證效率的業(yè)界領(lǐng)先雙極SiC晶體管技術(shù)、
21ic訊 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布收購(gòu)碳化硅 (Silicon Carbide; SiC) 功率晶體管企業(yè)TranSiC公司,擴(kuò)展其領(lǐng)先的技術(shù)能力。這項(xiàng)收購(gòu)為飛兆半導(dǎo)體帶來獲經(jīng)驗(yàn)證效率的業(yè)界領(lǐng)先雙極SiC晶體管技術(shù)、