業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用,但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、氮化鎵(GaN)、碳化硅
襯底作為半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù),是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石,襯底材料的選用直接決定了LED芯片的制造路線。日前,普瑞光電宣布明年將量產(chǎn)8英寸硅襯底的消息引起了業(yè)界的格外關(guān)注。隨后,Cree也發(fā)布消息稱,其白光功率型LE
襯底作為半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù),是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石,襯底材料的選用直接決定了LED芯片的制造路線。日前,普瑞光電宣布明年將量產(chǎn)8英寸硅襯底的消息引起了業(yè)界的格外關(guān)注。隨后,Cree也發(fā)布消息稱,其白光功率型
Keil C51對標(biāo)準(zhǔn)ANSIC的擴(kuò)展學(xué)習(xí)資料
襯底作為半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù),是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石,襯底材料的選用直接決定了LED芯片的制造路線。日前,普瑞光電宣布明年將量產(chǎn)8英寸硅襯底的消息引起了業(yè)界的格外關(guān)注。隨后,Cree也發(fā)布消息稱,其白光功率型LE
與SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件,因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源于日本信息通信研究機(jī)構(gòu)等的研究小組開發(fā)出的β-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術(shù)人員,以論
日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合研究所(產(chǎn)總研)27日發(fā)布新聞稿宣布,攜手富士電機(jī)(FujiElectric)、住友電工(SumitomoElectricIndustries)、ALVAC等16家日本企業(yè)設(shè)立的電源控制晶片共同研發(fā)團(tuán)隊「TsukubaPower-ElectronicsConstella
與SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件,因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源于日本信息通信研究機(jī)構(gòu)等的研究小組開發(fā)出的β-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術(shù)人員,以論
功率因數(shù)校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一,在英國、日本和中國也存在類似的標(biāo)準(zhǔn)。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設(shè)備的諧波標(biāo)準(zhǔn)
功率因數(shù)校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一,在英國、日本和中國也存在類似的標(biāo)準(zhǔn)。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設(shè)備的諧波標(biāo)準(zhǔn)
外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復(fù)雜,展完外延片,接下來就在每張外延片隨意抽取九點做測試,符合要求的就是良品,其它為不良品(電壓偏差很大,波長偏短或偏長等)。良品的外延片就要開始做電極(P極,N極),接下來就用激
外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復(fù)雜,展完外延片,接下來就在每張外延片隨意抽取九點做測試,符合要求的就是良品,其它為不良品(電壓偏差很大,波長偏短或偏長等)。良品的外延片就要開始做電極(P極,N極),接下來就用激
日本企業(yè)最令人稱道的地方就是對于產(chǎn)品品質(zhì)無止境的追求,而羅姆更是其中的佼佼者。在21ic記者訪問慕尼黑上海電子展羅姆展臺的時候,展臺工程師使用頻率最多的一個詞就是“品質(zhì)”。 在本次展會上,羅姆以
經(jīng)過50多年的發(fā)展,羅姆(ROHM)已經(jīng)成為大型的跨國集團(tuán)公司,在全球擁有多家開發(fā)、生產(chǎn)、銷售分支機(jī)構(gòu)。在其產(chǎn)品銷售額中,包括IC和分立元器件在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)品占80%以上。以系統(tǒng)IC為首,羅姆擁有豐富多彩的半導(dǎo)體產(chǎn)
外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復(fù)雜,展完外延片,接下來就在每張外延片隨意抽取九點做測試,符合要求的就是良品,其它為不良品(電壓偏差很大,波長偏短或偏長等)。良品的外延片就要開始做電極(P極,N極),接下來就用激
摘要:隨著電子技術(shù)和通信業(yè)的快速發(fā)展,高頻開關(guān)電源的應(yīng)用越來越廣,開關(guān)頻率的持續(xù)提高使開關(guān)電源的性能也得以進(jìn)一步優(yōu)化,集成度更高,功耗更低,電路更加簡單,工作更加可靠,是開關(guān)電源發(fā)展的方向。目前,高頻
外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復(fù)雜,展完外延片,接下來就在每張外延片隨意抽取九點做測試,符合要求的就是良品,其它為不良品(電壓偏差很大,波長偏短或偏長等)。良品的外延片就要開始做電極(P極,N極),接下來就用激
人體信息監(jiān)控是一個新興的領(lǐng)域,人們設(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人,可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間,并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了,但如何將他們的體積
21ic訊 羅姆株式會社推出的“全SiC”功率模塊(額定1200V/100A)開始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部采用SiC(Silicon Carbide:碳化硅)構(gòu)成。 此產(chǎn)品安裝在工業(yè)設(shè)備和太陽能電池等中負(fù)責(zé)電力
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社(總部:日本京都市)推出的“全SiC”功率模塊(額定1200V/100A)開始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部采用SiC(Silicon Carbide:碳化硅)構(gòu)成。此產(chǎn)品安裝在工業(yè)設(shè)備