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一次切出40片——三菱電機開發(fā)出SiC用放電線切割機
三菱電機于2013年2月6日宣布，開發(fā)出了能夠一次將一塊多晶碳化硅（SiC）錠切割成40片SiC晶片的“多點放電線切割技術”。該技術有望提高SiC晶片加工的生產(chǎn)效率，降低加工成本。 多點放電線切割技術是將直徑為
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聚焦“SiC”與“GaN”—新一代功率元器件的前沿
前言 在功率元器件的發(fā)展中，主要半導體材料當然還是Si。同樣在以Si為主體的LSI世界里，在“將基本元件晶體管的尺寸縮小到1/k，同時將電壓也降低到1/k，力爭更低功
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電裝等展出世界最高品質的6英寸SiC基板
電裝、豐田中央研究所、昭和電工在于東京有明國際會展中心舉行的“nano tech 2013”（第12屆國際納米技術綜合展）上，展出了共同開發(fā)的口徑為6英寸的SiC基板。該基板的特點在于位錯（缺陷）密度為數(shù)千個/cm2，“比市
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美高森美擴展碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品系列
21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布提供新一代工業(yè)溫度碳化硅(silicon carbide，SiC)標準功率模塊，它們是用于要求高性能和高可靠性的大功率開關電源、馬達驅動器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘
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SiC和GaN來到身邊
2013年1份月已過去大半，筆者想在此介紹一個2013年將受關注的領域。雖然這樣的領域很多，但筆者此次要說的是SiC及GaN等新一代功率半導體的動向。該領域之所以會受到關注，是因為在2013年，新一代功率半導體的使用范圍
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第三代半導體材料雙雄面臨直接競爭
進入21世紀以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導體硅材料替代品的任務變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導體材料的雙雄。SiC早在
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第三代半導體材料雙雄并立，難分高下
進入21世紀以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導體硅材料替代品的任務變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）——并稱為第三代半導體材料
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飛兆：2013年SiC市場將正式啟動
“受制于制造成本和產(chǎn)品良率影響，目前阻礙SiC產(chǎn)品大規(guī)模進入市場的主要原因是價格昂貴，一般是同類Si產(chǎn)品的10倍左右。我個人認為2013年SiC市場將正式啟動，在未來2-3年SiC BJT器件有可能首先成為最先被市場接受
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iTunesiCloud和Maps業(yè)務掌門出售1.5萬股蘋果票
據(jù)國外媒體報道，蘋果今天向美國證券交易委員會提交的材料顯示，蘋果iTunes、iCloud和Maps業(yè)務掌門埃迪·庫伊(Eddy Cue)上周出售了1.5萬股股票，平均售價略低于584美元，套現(xiàn)不到876萬美元。庫伊去年9月份被提
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安森美半導體擴充用于固態(tài)照明系統(tǒng)的恒流穩(wěn)流器產(chǎn)品陣容
21ic訊 安森美半導體(ON Semiconductor)推出了針對固態(tài)照明系統(tǒng)而設計的全新的NSIC20XX系列線性恒流穩(wěn)流器(CCR)。新的NSIC20XX系列CCR提供120伏(V)的最大額定電壓及3瓦(W)功率，能夠承受數(shù)字標牌、照明板及裝飾性照明
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飛兆碳化硅(SiC)技術解決方案 適用功率轉換系統(tǒng)
為努力實現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運行時間要求，工業(yè)和功率電子設計人員在進行設計時面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。 然而，在可再生能源、工業(yè)電機驅動器、高密度電源、汽
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中國電能質量治理市場快步上揚，松下元器件帶來改善解決方案
中國經(jīng)濟迅速增長的背后離不開電能的支持，各行各業(yè)對電能的需求量以及對電能質量的要求正越來越高。隨著電能質量治理市場規(guī)模的不斷放大，該市場已成為人們關注的熱點之一，因而也成為2012年第十四屆高交會電子展中
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飛兆半導體公司發(fā)布了碳化硅(SiC)技術解決方案
21ic訊 為努力實現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運行時間要求，工業(yè)和功率電子設計人員在進行設計時面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。 然而，在可再生能源、工業(yè)電機驅動器、高密度
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美高森美公司推出全新1200V肖特基二極管系列
21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200 V 肖特基二極管系列，新的二極管產(chǎn)品瞄準廣泛的工業(yè)應用，包括太陽能逆變器、電焊機、等離子切割機、快速車輛充電、石油勘探
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耐2萬伏超高壓半導體器件成功被日本研制
日本京都大學工學院須田淳準教授和木本恒暢教授的研究組近日利用碳化硅(SiC)材料成功開發(fā)出可耐2萬伏超高壓的半導體器件。10月23日該研究組宣布了這一消息。該研究小組于今年6月已開發(fā)出可耐2萬伏超高壓的半導體二極
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知名半導體制造商羅姆：綜合解決方案提供者
對于來到中國的外資半導體企業(yè)，在需求多變的市場中如何實現(xiàn)本地化、拓展市場和提升競爭力成為他們面臨的共同問題。世界知名半導體制造商羅姆，憑借獨有的、多元化的高品質產(chǎn)品群，在產(chǎn)品線布局上，統(tǒng)籌兼顧、有的放
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英飛凌先進工藝將太陽能逆變器效率提升一倍
太陽能的轉換效率問題是制約其應用的一個巨大挑戰(zhàn)，業(yè)界正在為每一個進步而努力。日前英飛凌高管，負責銷售、市場、戰(zhàn)略和兼并的管理委員會成員Arunjai Mittal對本刊表示，英飛凌采用先進SiC工藝的JFET技術，可以將太
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CEATEC 2012羅姆:開關損耗降低85% SiC功率半導體助建節(jié)能社會
21ic訊 10月2日-10月6日，CEATEC 2012如期召開，本屆CEATEC主題重點關注：Smart Innovation-豐富多彩的生活和社會的創(chuàng)造當今世界隨著個人生活、商務、行業(yè)、社會系統(tǒng)的全面網(wǎng)絡技術活用已在逐步孕育構筑高效的智能社
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GSM翻頻技術
翻頻是一種合理的優(yōu)化網(wǎng)絡手段。經(jīng)過平時長期地擴容調整和工程建設，網(wǎng)絡頻率相對來說比較雜亂，現(xiàn)有網(wǎng)絡頻點已不適合繼續(xù)應用或現(xiàn)有網(wǎng)絡因不斷的新增建設，導致頻點資源混亂出現(xiàn)干擾，此時需對整網(wǎng)頻點重新規(guī)劃，使
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GSM翻頻技術
GSM翻頻技術
