2026年2月11日，中國(guó)——意法半導(dǎo)體的RHFLVDS41低電壓差分信號(hào)驅(qū)動(dòng)器為宇航應(yīng)用提供更高的數(shù)據(jù)速率，在QML-V認(rèn)證器件中樹(shù)立了高達(dá)600Mbps數(shù)據(jù)傳輸速率的新性能標(biāo)桿。該驅(qū)動(dòng)器具備2.3V至3.6V的寬工作電壓范圍，兼容最新的低電壓邏輯與低供電電壓標(biāo)準(zhǔn)(如TIA/EIA-644和Jedec)，同時(shí)支持傳統(tǒng)的CMOS器件。

RHFLVDS41不僅提升了性能與靈活性，還通過(guò)4.8V絕對(duì)最大額定電壓、300krad總電離劑量耐受度和8kV靜電放電防護(hù)能力，增強(qiáng)了系統(tǒng)的魯棒性與可靠性。其抗重離子能力包括：在125MeV·cm2/mg條件下無(wú)單粒子閂鎖，在62.5MeV·cm2/mg條件下無(wú)單粒子瞬態(tài)。該器件采用經(jīng)過(guò)宇航驗(yàn)證超過(guò)10年的高端130nm純CMOS工藝。

通過(guò)優(yōu)化的直通式引腳布局，RHFLVDS41有助于優(yōu)化PCB空間利用率并均衡信號(hào)走線長(zhǎng)度，從而減輕宇航級(jí)高速接口和振蕩器模塊的重量與布線復(fù)雜度。

RHFLVDS41符合EAR99出口管制條例，可輕松融入全球(包括美國(guó)和亞洲)供應(yīng)鏈體系。該器件在歐洲設(shè)計(jì)，并在意法半導(dǎo)體法國(guó)雷恩的宇航級(jí)工廠制造。

RHFLVDS41采用通用的Flat-16金屬接地封裝，也可提供裸片版本，以滿(mǎn)足對(duì)空間和重量要求嚴(yán)苛的應(yīng)用。工程模型和飛行模型現(xiàn)已供貨。如需樣品、報(bào)價(jià)及供貨信息，請(qǐng)聯(lián)系當(dāng)?shù)匾夥ò雽?dǎo)體銷(xiāo)售辦事處。