中國上海，2025年10月28日——全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)今日宣布，作為半導體行業(yè)引領創(chuàng)新的主要企業(yè)，發(fā)布基于下一代800 VDC架構的AI數據中心用的先進電源解決方案白皮書。

本白皮書作為2025年6月發(fā)布的“羅姆為英偉達800V HVDC架構提供高性能電源解決方案”合作新聞中的組成部分，詳細闡述了羅姆為AI基礎設施中的800 VDC供電系統(tǒng)提供強力支持的理想電源解決方案。

800 VDC架構是高效且可擴展性強的供電系統(tǒng)，因其可助力實現千兆瓦級AI工廠而有望為未來數據中心設計帶來革命性轉變。

羅姆不僅提供硅(Si)功率元器件，還提供包括碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等在內的豐富的功率元器件產品群，而且是世界上少數擁有模擬IC(控制IC和電源IC，可以更大程度地激發(fā)出這些功率元器件的性能)技術開發(fā)能力的企業(yè)之一。

本白皮書不僅介紹了羅姆引以為傲的豐富的功率元器件和模擬IC技術，還介紹了熱設計等各種仿真、電路板設計以及實際應用案例等綜合電源解決方案。

<本白皮書的要點>

? 在AI數據中心，每個機架的功耗激增，導致以往48V/12V的直流供電方式已接近極限。

? 向800 VDC架構轉型，將會顯著提升數據中心的效率、功率密度及可持續(xù)發(fā)展能力。

? 在800 VDC架構下，以往在服務器機架內進行的從交流電向直流電的轉換(PSU)，將改為在獨立的電源機架內進行。

? 對于800 VDC架構而言，SiC和GaN器件不可或缺。電源機架部分的AC/DC轉換單元因移至IT機架外部，使得可實現更高效率的拓撲變得尤為重要。另一方面，IT機架部分的DC/DC轉換單元，為提高其GPU集成度而采用可實現高功率密度的結構也非常重要。

? 在各轉換單元(如從交流電向800V直流電的轉換，或IT機架部分從800V直流電的降壓)中，可支持800 VDC架構的拓撲通過采用羅姆推薦的SiC和GaN器件，可實現更高效率、更低噪聲及外圍元器件小型化，進而使功率密度得以大幅提升。

? 羅姆的EcoSiC?系列產品以業(yè)界超低導通電阻著稱，其產品陣容中包括適用于AI服務器的頂部散熱型模塊等產品，非常有助于提升功率密度。另外，羅姆的EcoGaN?系列通過融合超高速脈沖控制技術"Nano Pulse Control?"、以及可更大程度地激發(fā)GaN性能的模擬IC技術，實現了穩(wěn)定的高頻控制和柵極驅動，并已在市場上獲得高度好評。

向800V VDC架構的轉型意義重大，需要全行業(yè)的協同合作。羅姆作為實現下一代AI工廠的重要合作伙伴，不僅持續(xù)與NVIDIA等業(yè)界領導者保持緊密協作，還將與數據中心運營商及電源制造商開展深度合作。例如，羅姆于2022年就已經與臺達電子達成“電源系統(tǒng)用功率元器件戰(zhàn)略合作伙伴關系”。羅姆將通過提供自身擅長的SiC和GaN等寬禁帶半導體的先進技術，為構建可持續(xù)且高能效的數字化社會貢獻力量。