中國上海，2025年10月28日——全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)今日宣布，作為半導(dǎo)體行業(yè)引領(lǐng)創(chuàng)新的主要企業(yè)，發(fā)布基于下一代800 VDC架構(gòu)的AI數(shù)據(jù)中心用的先進(jìn)電源解決方案白皮書。

本白皮書作為2025年6月發(fā)布的“羅姆為英偉達(dá)800V HVDC架構(gòu)提供高性能電源解決方案”合作新聞中的組成部分，詳細(xì)闡述了羅姆為AI基礎(chǔ)設(shè)施中的800 VDC供電系統(tǒng)提供強(qiáng)力支持的理想電源解決方案。

800 VDC架構(gòu)是高效且可擴(kuò)展性強(qiáng)的供電系統(tǒng)，因其可助力實現(xiàn)千兆瓦級AI工廠而有望為未來數(shù)據(jù)中心設(shè)計帶來革命性轉(zhuǎn)變。

羅姆不僅提供硅(Si)功率元器件，還提供包括碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等在內(nèi)的豐富的功率元器件產(chǎn)品群，而且是世界上少數(shù)擁有模擬IC(控制IC和電源IC，可以更大程度地激發(fā)出這些功率元器件的性能)技術(shù)開發(fā)能力的企業(yè)之一。

本白皮書不僅介紹了羅姆引以為傲的豐富的功率元器件和模擬IC技術(shù)，還介紹了熱設(shè)計等各種仿真、電路板設(shè)計以及實際應(yīng)用案例等綜合電源解決方案。

<本白皮書的要點>

? 在AI數(shù)據(jù)中心，每個機(jī)架的功耗激增，導(dǎo)致以往48V/12V的直流供電方式已接近極限。

? 向800 VDC架構(gòu)轉(zhuǎn)型，將會顯著提升數(shù)據(jù)中心的效率、功率密度及可持續(xù)發(fā)展能力。

? 在800 VDC架構(gòu)下，以往在服務(wù)器機(jī)架內(nèi)進(jìn)行的從交流電向直流電的轉(zhuǎn)換(PSU)，將改為在獨立的電源機(jī)架內(nèi)進(jìn)行。

? 對于800 VDC架構(gòu)而言，SiC和GaN器件不可或缺。電源機(jī)架部分的AC/DC轉(zhuǎn)換單元因移至IT機(jī)架外部，使得可實現(xiàn)更高效率的拓?fù)渥兊糜葹橹匾?。另一方面，IT機(jī)架部分的DC/DC轉(zhuǎn)換單元，為提高其GPU集成度而采用可實現(xiàn)高功率密度的結(jié)構(gòu)也非常重要。

? 在各轉(zhuǎn)換單元(如從交流電向800V直流電的轉(zhuǎn)換，或IT機(jī)架部分從800V直流電的降壓)中，可支持800 VDC架構(gòu)的拓?fù)渫ㄟ^采用羅姆推薦的SiC和GaN器件，可實現(xiàn)更高效率、更低噪聲及外圍元器件小型化，進(jìn)而使功率密度得以大幅提升。

? 羅姆的EcoSiC?系列產(chǎn)品以業(yè)界超低導(dǎo)通電阻著稱，其產(chǎn)品陣容中包括適用于AI服務(wù)器的頂部散熱型模塊等產(chǎn)品，非常有助于提升功率密度。另外，羅姆的EcoGaN?系列通過融合超高速脈沖控制技術(shù)"Nano Pulse Control?"、以及可更大程度地激發(fā)GaN性能的模擬IC技術(shù)，實現(xiàn)了穩(wěn)定的高頻控制和柵極驅(qū)動，并已在市場上獲得高度好評。

向800V VDC架構(gòu)的轉(zhuǎn)型意義重大，需要全行業(yè)的協(xié)同合作。羅姆作為實現(xiàn)下一代AI工廠的重要合作伙伴，不僅持續(xù)與NVIDIA等業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者保持緊密協(xié)作，還將與數(shù)據(jù)中心運營商及電源制造商開展深度合作。例如，羅姆于2022年就已經(jīng)與臺達(dá)電子達(dá)成“電源系統(tǒng)用功率元器件戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系”。羅姆將通過提供自身擅長的SiC和GaN等寬禁帶半導(dǎo)體的先進(jìn)技術(shù)，為構(gòu)建可持續(xù)且高能效的數(shù)字化社會貢獻(xiàn)力量。