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[導讀]中國上海,2025年11月6日——全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)今日宣布,其EcoGaN? Power Stage IC已應用于包括游戲筆記本電腦在內(nèi)的MSI(微星)產(chǎn)品的AC適配器。

中國上海,2025年11月6日——全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)今日宣布,其EcoGaN? Power Stage IC已應用于包括游戲筆記本電腦在內(nèi)的MSI(微星)產(chǎn)品的AC適配器。

這款AC適配器由全球領(lǐng)先的電源制造商臺達開發(fā),采用EcoGaN? Power Stage IC“BM3G005MUV-LB”,具備高速電源切換、低導通電阻等特色,結(jié)合臺達先進的電源管理技術(shù),與以往適配器相比,大幅縮減體積同時提升能效。

通過搭載EcoGaN? Power Stage IC,臺達為MSI設計的適配器不僅提高供電瓦數(shù),還可在峰值狀態(tài)下維持一小段時間的高輸出功率,即使在要求高性能的電競高負載環(huán)境下,也能實現(xiàn)穩(wěn)定的電力供應。

近年來,隨著游戲筆記本處理能力的提升,其搭載的GPU和CPU的性能也越來越高。這使得功耗也隨之增大,要求AC適配器既要提供穩(wěn)定支撐這種高負荷運算處理的大功率,又要滿足用戶對便攜性日益增長的需求,因此在提升性能的同時縮小體積已成為當務之急。

另一方面,具有低導通電阻和高速開關(guān)特性的GaN器件因其有助于電源的高效率工作和外圍元器件(如電源電路中使用的電感器等)的小型化而備受矚目。羅姆的Power Stage IC集650V GaN HEMT、柵極驅(qū)動器、保護功能及外圍元器件于一體,僅需替換以往的Si MOSFET即可更大程度地激發(fā)出GaN HEMT的性能。

臺達邊際信息科技電源事業(yè)部總經(jīng)理 林政毅表示:“結(jié)合臺達最先進的電源方案和羅姆的EcoGaN? Power Stage IC技術(shù)優(yōu)勢,我們成功地滿足游戲筆記本AC適配器對大功率供電、能效優(yōu)化及小型化的需求,并被全球知名的電競品牌MSI采用。羅姆在GaN的技術(shù)領(lǐng)域擁有許多優(yōu)勢,也是我們長期合作的重要伙伴。我們期待未來持續(xù)透過與其技術(shù)合作,為客戶提供更多新世代的高效電源方案。”

羅姆 LSI開發(fā)本部 功率GaN解決方案開發(fā)部 統(tǒng)括課長 名手 智表示:“臺達與羅姆在電源系統(tǒng)領(lǐng)域已合作多年。此次合作成果是臺達多年積累的電源開發(fā)技術(shù)和羅姆的功率元器件開發(fā)制造技術(shù)、模擬電源技術(shù)的深度融合,很高興能夠被MSI的產(chǎn)品采用。未來,我們不僅致力于在游戲筆記本領(lǐng)域,還將致力于在服務器、工業(yè)設備、汽車等更廣泛的領(lǐng)域為電源的小型化和效率提升貢獻力量?!?

<關(guān)于Power Stage IC>

羅姆的GaN HEMT Power Stage IC可為需要高功率密度和效率的各種電力電子系統(tǒng)提供理想的解決方案。該產(chǎn)品集下一代功率器件GaN HEMT和為了更大程度地激發(fā)GaN HEMT性能而優(yōu)化的柵極驅(qū)動器于一體,支持2.5V~30V的寬輸入電壓范圍,可以與各種控制器IC結(jié)合使用。這些特點和優(yōu)勢使其能夠取代超級結(jié)MOSFET等傳統(tǒng)的分立功率開關(guān)。

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