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[導(dǎo)讀]2025年12月3日,中國蘇州 — 全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日宣布推出全新 8Gb DDR4 DRAM,該產(chǎn)品采用華邦自有先進(jìn) 16nm 制程技術(shù),提供更高速度、更低功耗及更具成本效益的解決方案,適用于電視、服務(wù)器、網(wǎng)通設(shè)備、工業(yè)計(jì)算機(jī)及嵌入式應(yīng)用等多元市場。

2025年12月3日,中國蘇州 — 全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日宣布推出全新 8Gb DDR4 DRAM,該產(chǎn)品采用華邦自有先進(jìn) 16nm 制程技術(shù),提供更高速度、更低功耗及更具成本效益的解決方案,適用于電視、服務(wù)器、網(wǎng)通設(shè)備、工業(yè)計(jì)算機(jī)及嵌入式應(yīng)用等多元市場。

盡管 DDR5 逐漸普及,許多產(chǎn)業(yè)仍依賴 DDR4 穩(wěn)定成熟的生態(tài)系統(tǒng)。華邦全新的 8Gb DDR4 DRAM 專為這些客戶設(shè)計(jì),讓他們?cè)诰S持既有架構(gòu)的同時(shí),仍能享有更快的數(shù)據(jù)傳輸速度與更強(qiáng)的系統(tǒng)競爭力。

憑借先進(jìn)的 16nm 制程,華邦新一代 DDR4 產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)顯著效能提升。相較前一代技術(shù),16nm 制程節(jié)點(diǎn)具備更小晶粒尺寸、更高晶圓產(chǎn)出率與更佳功耗效率,使客戶能在不增加封裝尺寸的情況下整合更高容量的 DRAM。同時(shí),制程優(yōu)化提升了信號(hào)完整性并降低漏電率,確保在高達(dá) 3600Mbps 的數(shù)據(jù)速率下仍能穩(wěn)定運(yùn)作。這種兼具高速、低成本與高制程成熟度的設(shè)計(jì),使華邦 16nm DDR4 成為產(chǎn)品生命周期長的工業(yè)與嵌入式應(yīng)用的理想選擇。

作為業(yè)界首款支持 3600Mbps 傳輸速率的產(chǎn)品,華邦全新的 8Gb DDR4 DRAM超越既有DDR4標(biāo)準(zhǔn),滿足高速運(yùn)算應(yīng)用的數(shù)據(jù)處理需求。借助華邦 16nm 技術(shù)優(yōu)勢,更小的芯片面積在相同封裝下提供更大容量,進(jìn)一步降低整體系統(tǒng)成本。

華邦具備涵蓋設(shè)計(jì)、16nm 制程開發(fā)到制造的完整自有能力,為工業(yè)級(jí)與 KGD(Known Good Die,良品裸晶圓)客戶提供穩(wěn)定的供應(yīng)鏈與專業(yè)售后支持。

華邦表示:“DDR4仍是眾多市場的重要技術(shù),我們?nèi)碌?8Gb DDR4 解決方案讓客戶能在成熟的生態(tài)系統(tǒng)中獲得更高性能與更佳效率。通過將 16nm 制程的技術(shù)能力與高速特性相結(jié)合,華邦助力客戶在滿足嚴(yán)苛運(yùn)算需求的同時(shí),降低系統(tǒng)總成本?!?

華邦 16nm 制程節(jié)點(diǎn)在 DDR4 制造成熟度上樹立新標(biāo)桿,兼具速度、可擴(kuò)展性與效率,特別適用于壽命較長的應(yīng)用?;诖似脚_(tái),華邦目前正開發(fā)三款同制程產(chǎn)品,包括 CUBE、8Gb LPDDR4 及 16Gb DDR4,進(jìn)一步擴(kuò)展其新一代內(nèi)存產(chǎn)品版圖。

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