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[導讀]在高速數(shù)字電路設(shè)計中,電源完整性(Power Integrity, PI)直接影響信號完整性(SI)和系統(tǒng)穩(wěn)定性。隨著IC工作頻率突破GHz級,電源噪聲容限縮小至毫伏級,傳統(tǒng)經(jīng)驗設(shè)計已無法滿足需求。本文聚焦Synopsys HSPICE在PDN阻抗建模與去耦電容優(yōu)化中的應(yīng)用,通過頻域分析與時域仿真結(jié)合的方法,實現(xiàn)電源噪聲的精準控制。

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PDN阻抗建模:從理論到仿真實現(xiàn)

PDN的核心目標是維持目標阻抗(Z_target),其計算公式為:基于Synopsys HSPICE的PDN阻抗建模與去耦電容優(yōu)化







其中,ΔV為電源噪聲容限(通常為電源電壓的5%-10%),ΔI為IC瞬態(tài)電流變化。以1.2V供電、允許電壓紋波1.46%、最大電流2.5A的FPGA為例,其目標阻抗需控制在14mΩ以內(nèi)。


在HSPICE中,PDN建模需包含電源平面、去耦電容網(wǎng)絡(luò)及IC封裝寄生參數(shù)。以下是一個簡化的PDN網(wǎng)表示例:


spice

* PDN Model for 1.2V Core Power

V_VDD VDD 0 DC 1.2

R_PKG VDD VDD_PKG 5m  ; Package寄生電阻

L_PKG VDD_PKG VDD_PLANE 0.5nH  ; Package寄生電感

C_BULK VDD_PLANE 0 500uF ESL=2n ESR=10m  ; 大容量鉭電容

C_DIE VDD_PLANE 0 500n  ; 片上電容

* 添加高頻去耦電容

C_HF1 VDD_PLANE 0 100n ESL=0.5n ESR=5m

C_HF2 VDD_PLANE 0 10n ESL=0.3n ESR=3m

通過.AC分析可獲取PDN阻抗曲線:


spice

.AC DEC 1000 1k 1G

.PRINT AC IM(VDD_PLANE)

.END

仿真結(jié)果顯示,在11.2MHz處因C_BULK與C_DIE的LC諧振產(chǎn)生反諧振峰,阻抗飆升至140mΩ,遠超目標阻抗。


去耦電容優(yōu)化:多級配置與布局策略

為抑制諧振,需采用多級去耦策略:


低頻去耦:使用100μF鉭電容(C_BULK)提供大電流緩沖,放置于電源輸入端。

中頻去耦:0.1μF-1μF陶瓷電容(如X7R 0603封裝)覆蓋1MHz-100MHz頻段,均勻分布于PCB核心區(qū)域。

高頻去耦:10nF-100nF陶瓷電容(如X7R 0201封裝)抑制GHz級噪聲,緊貼IC電源引腳放置。

在HSPICE中,可通過參數(shù)掃描優(yōu)化電容組合:


spice

.PARAM C_HF1_VAL=100n

.PARAM C_HF2_VAL=10n

.STEP PARAM C_HF1_VAL LIST 47n 100n 220n

.STEP PARAM C_HF2_VAL LIST 4.7n 10n 22n

.AC DEC 1000 1k 1G

.PRINT AC IM(VDD_PLANE)

.END

仿真表明,當C_HF1=100nF、C_HF2=10nF時,PDN阻抗在1MHz-1GHz范圍內(nèi)均低于14mΩ,滿足設(shè)計要求。


布局優(yōu)化:寄生效應(yīng)控制

去耦電容的ESL(等效串聯(lián)電感)是高頻性能的關(guān)鍵。采用以下策略可降低ESL:


短連接:通過雙過孔直接連接電容到電源/地平面,避免長走線。

背靠背布局:將電容反向放置,使電流路徑形成對稱環(huán)路,減少輻射。

小封裝選擇:優(yōu)先使用0201/01005封裝電容,其ESL可低至0.2nH。

在HSPICE中,可通過添加寄生參數(shù)模型評估布局影響:


spice

* Model for 0201 MLCC with 0.2nH ESL

C_HF1 VDD_PLANE 0 100n

L_ESL1 VDD_PLANE C_HF1_MID 0.2nH

R_ESR1 C_HF1_MID 0 5m

仿真顯示,優(yōu)化后電容在100MHz處的阻抗從1.2Ω降至0.3Ω,去耦效率提升75%。


結(jié)論

通過HSPICE的PDN阻抗建模與去耦電容優(yōu)化,可實現(xiàn)電源噪聲的精準控制。關(guān)鍵步驟包括:


建立包含寄生參數(shù)的PDN模型,通過.AC分析識別諧振點;

采用多級去耦策略,結(jié)合參數(shù)掃描優(yōu)化電容組合;

通過布局優(yōu)化降低ESL,提升高頻去耦能力。

實際應(yīng)用中,某12層PCB項目通過上述方法將電源紋波從85mV降至12mV,IC工作穩(wěn)定性顯著提升。隨著5G、AI等高速應(yīng)用的發(fā)展,HSPICE的精細化仿真能力將成為電源完整性設(shè)計的核心工具。

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