在人工智能、元宇宙、云計(jì)算與自動(dòng)駕駛等前沿技術(shù)加速迭代的驅(qū)動(dòng)下，市場對CPU、GPU、DPU及ASIC等核心處理器的算力需求呈指數(shù)級增長。此趨勢使得上述關(guān)鍵芯片的供電系統(tǒng)設(shè)計(jì)面臨功率密度、能效和穩(wěn)定性的嚴(yán)峻考驗(yàn)。
        為應(yīng)對持續(xù)增長的算力需求，晶豐明源正式推出第二代Smart DrMOS及配套Vcore電源解決方案。該產(chǎn)品通過工藝與封裝的全面升級，在質(zhì)量、效率和功率密度方面實(shí)現(xiàn)顯著提升，不僅增強(qiáng)了系統(tǒng)運(yùn)行穩(wěn)定性，更實(shí)現(xiàn)了整體成本的大幅優(yōu)化。晶豐明源Smart DrMOS可廣泛應(yīng)用于筆記本電腦、顯卡及主板等消費(fèi)類場景，助力客戶打造高性能、高效率且具備更強(qiáng)成本競爭力的終端產(chǎn)品。

第二代Smart DrMOS技術(shù)升級

自研BCD工藝BPS-G2，已成功量產(chǎn)
        依托首代自研BCD工藝（BPS-G1）的成熟基礎(chǔ)，晶豐明源成功研發(fā)并量產(chǎn)了第二代BCD工藝（BPS-G2），其關(guān)鍵性能指標(biāo)實(shí)現(xiàn)跨越，已達(dá)國際一流水平。與此同時(shí)，公司正積極研發(fā)第三代工藝（BPS-G3），旨在為下一代產(chǎn)品提供更卓越的性能支撐。

        以BV 28V為例，BPS-G2的Rsp從第一代的4.7mΩ降至3.5mΩ。這意味著，實(shí)現(xiàn)相同的Rds(on)時(shí)，芯片所需的晶圓面積可縮小25%，并直接驅(qū)動(dòng)25%的成本下降。

全新Co-pack封裝，兼具性能與成本

        晶豐明源第一代DrMOS采用單晶+基板（Substrate）封裝設(shè)計(jì)，雖具備封裝成本低和設(shè)計(jì)靈活的優(yōu)勢，但受限于晶圓制造成本高，并且由于功率部分和控制驅(qū)動(dòng)電路集成于同一晶圓，限制了整體性能的提升；
        行業(yè)普遍采用的多晶圓+框架（Leadframe）的傳統(tǒng)封裝，雖通過功率部分單獨(dú)設(shè)計(jì)優(yōu)化了晶圓成本與性能，但其復(fù)雜的銅皮打線工藝抬高了封裝成本。
        晶豐明源第二代DrMOS采用全新Co-pack封裝，多晶圓+基板（Substrate）設(shè)計(jì)，融合了前兩種設(shè)計(jì)的優(yōu)勢，在實(shí)現(xiàn)更優(yōu)性能的同時(shí)，達(dá)成了更佳的綜合成本效益。
核心優(yōu)勢    

• 質(zhì)量提升：制造工藝流程簡化，有效降低缺陷率，提升產(chǎn)品質(zhì)量
• 效率提升：功率部分單獨(dú)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)效率突破
• 成本降低：功率部分光照次數(shù)減少，顯著降低晶圓制造成本
• 功率密度提升：頻率提升，更小尺寸，更大功率密度

        Co-pack封裝結(jié)合第二代自研BCD工藝對Rsp的優(yōu)化，最終實(shí)現(xiàn)了相比第一代產(chǎn)品整體成本下降30%以上的卓越成效。

效率全面提升

        采用同樣的封裝和耐壓條件下，第二代DrMOS的電流能力提升5~10A，帶來效率提升與溫升降低的雙重優(yōu)勢。

        對比在不同開關(guān)頻率下的效率，第二代5x5 DrMOS BPC86355的效率全面領(lǐng)先于第一代BPD80350E。其中，在高頻與重載工況下，其效率提升幅度尤為顯著。

溫升更低，減輕散熱壓力

        同樣應(yīng)用條件下，第二代5x5 DrMOS BPC86355的溫升比第一代5x5 DrMOS BPD80350E降低7℃，有效緩解散熱壓力，提升系統(tǒng)壽命與可靠性。

終端筆記本GPU Vcore電源方案

        晶豐明源為某全球頭部GPU廠商提供了完整的高端顯卡Vcore電源解決方案，該方案采用晶豐明源16相2路控制器BPD93136+4相單路控制器BPD93204，搭配第二代4x6 Smart DrMOS BPC87860，滿足顯卡三路電源性能需求的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)小型化設(shè)計(jì)與高電流輸出，以應(yīng)對游戲本緊湊布局。

01 16相數(shù)字控制器 BPD93136

• 雙路輸出，16+0/15+1靈活相數(shù)配置
• PWMVID/PMBUS調(diào)壓
• 200kHz~2MHz開關(guān)頻率可調(diào)
• 支持DrMOS IMON/DCR/LS Ron三種電流檢測方式
• 快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)
• 支持SSC（展頻）功能，降低EMI
• 支持10套不同寄存器配置
• TQFN 7x7封裝

02 4相數(shù)字控制器 BPD93204

• 單路輸出，4相
• PWMVID調(diào)壓
• 300kHz~1MHz開關(guān)頻率可調(diào)
• 支持DrMOS IMON/DCR/LS Ron三種電流檢測方式
• 快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)
• 支持SSC（展頻）功能，降低EMI
• 支持8套不同寄存器配置
• TQFN 4x4封裝

03 第二代DrMOS BPC87860

• 寬輸入范圍：3V~24V
• 60A輸出電流能力
• 低靜態(tài)電流IQ=100uA
• 兼容3.3V/5V PWM電平
• 可支持高達(dá)2MHz開關(guān)頻率
• 精確的電流/溫度匯報(bào)和報(bào)警指示
• OCP/OTP/BOOT UV/PWM高電平超時(shí)保護(hù)功能
• TLGA 4x6封裝

高效率：峰值效率可達(dá)87%

        BPC87860是基于晶豐明源第二代自研BCD工藝和Co-Pack封裝開發(fā)的Smart DrMOS，在筆記本Vcore常見應(yīng)用條件下，峰值效率高達(dá)87%，為游戲本重載應(yīng)用提供高能效、低發(fā)熱的電源系統(tǒng)，有利于系統(tǒng)發(fā)揮性能，獲得更好的游戲體驗(yàn)。在輕負(fù)載（10mA）也能達(dá)到75%的效率，可以讓筆記本電腦在輕度應(yīng)用獲得更長的續(xù)航。

高可靠：尖峰電壓低至23.2V
        BPC87860開關(guān)時(shí)的尖峰電壓抑制的非常好，在20V輸入，拉載60A的條件下，SW尖峰電壓最大只有23.2V，而競品在同樣條件下，尖峰電壓達(dá)到33V。更低的尖峰電壓帶來更高的可靠性和更低的EMI。

總結(jié)

        晶豐明源第二代Smart DrMOS，憑借第二代自研BCD工藝和全新Co-Pack封裝，實(shí)現(xiàn)了效率、寄生參數(shù)、溫升、功率密度與成本的多維優(yōu)化，為客戶提供更有競爭力的電源解決方案，助力人工智能、元宇宙、云計(jì)算及自動(dòng)駕駛的技術(shù)迭代。