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[導(dǎo)讀]當(dāng)變換器在直流增益曲線斜率為負(fù)的區(qū)域工作時(shí),它處于零電壓開(kāi)關(guān)模式;而在斜率為正的區(qū)域工作時(shí),則處于零電流工作模式。

對(duì)于包含電容和電感及電阻元件的無(wú)源一端口網(wǎng)絡(luò),其端口可能呈現(xiàn)容性、感性及電阻性,當(dāng)電路端口的電壓U和電流I,出現(xiàn)同相位,電路呈電阻性時(shí)。稱之為諧振現(xiàn)象,這樣的電路,稱之為諧振電路。 [1]諧振的實(shí)質(zhì)是電容中的電場(chǎng)能與電感中的磁場(chǎng)能相互轉(zhuǎn)換,此增彼減,完全補(bǔ)償。電場(chǎng)能和磁場(chǎng)能的總和時(shí)刻保持不變,電源不必與電容或電感往返轉(zhuǎn)換能量,只需供給電路中電阻所消耗的電能。在具有電阻R、電感L和電容C元件的交流電路中,電路兩端的電壓與其中電流相位一般是不同的。如果調(diào)節(jié)電路元件(L或C)的參數(shù)或電源頻率,可以使它們相位相同,整個(gè)電路呈現(xiàn)為純電阻性。電路達(dá)到這種狀態(tài)稱之為諧振。在諧振狀態(tài)下,電路的總阻抗達(dá)到極值或近似達(dá)到極值。研究諧振的目的就是要認(rèn)識(shí)這種客觀現(xiàn)象,并在科學(xué)和應(yīng)用技術(shù)上充分利用諧振的特征,同時(shí)又要預(yù)防它所產(chǎn)生的危害。按電路聯(lián)接的不同,有串聯(lián)諧振和并聯(lián)諧振兩種。

串聯(lián)諧振電路是由電感和電容串聯(lián)而成,當(dāng)電路在某一特定頻率下工作時(shí),會(huì)展現(xiàn)出最低的阻抗特性。在諧振變換中,諧振腔與負(fù)載之間形成了一種電壓分壓的關(guān)系。通過(guò)調(diào)整輸入諧振腔的頻率,可以改變諧振腔的阻抗,進(jìn)而影響輸入電壓在諧振腔和負(fù)載之間的分配。由于是串聯(lián)分壓方式,SRC電路的直流增益始終小于1。在諧振點(diǎn)處,諧振腔的阻抗降至最低,使得幾乎所有的輸入電壓都落在負(fù)載上,從而實(shí)現(xiàn)最大的增益。

工作區(qū)域主要位于諧振點(diǎn)fr的右側(cè)。當(dāng)變換器在直流增益曲線斜率為負(fù)的區(qū)域工作時(shí),它處于零電壓開(kāi)關(guān)模式;而在斜率為正的區(qū)域工作時(shí),則處于零電流工作模式。從工作區(qū)域可以看出,在輕載情況下,為了維持穩(wěn)定的輸出電壓,開(kāi)關(guān)頻率需要升高到較高的水平,這是串聯(lián)諧振面臨的一個(gè)挑戰(zhàn)。為了解決輕載時(shí)的電壓穩(wěn)定問(wèn)題,需要采用其他控制方法。

當(dāng)系統(tǒng)在Vin=300v時(shí)工作在諧振點(diǎn)附近時(shí),隨著輸入電壓的進(jìn)一步提升,系統(tǒng)的工作頻率將逐漸超出諧振頻率。隨著諧振頻率的增加,諧振腔的阻抗也會(huì)相應(yīng)增大,這意味著更多的能量在諧振腔內(nèi)循環(huán),而非傳遞到副邊輸出。

當(dāng)輸入電壓為300V時(shí),諧振腔內(nèi)流動(dòng)的能量相較于400V時(shí)明顯減少。在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期中,這些諧振能量都會(huì)在諧振腔內(nèi)循環(huán),并最終回送到輸入端?;厮偷哪芰吭蕉?,半導(dǎo)體器件所承受的應(yīng)力也就越大,同時(shí)環(huán)路中的能量損失也會(huì)相應(yīng)增加。此外,從仿真波形中還可以觀察到,在300V輸入時(shí),MOSFET的關(guān)斷電流顯著降低。然而,當(dāng)輸入電壓提升至400V時(shí),關(guān)斷電流會(huì)急劇上升,接近PWM變換的最大電流,從而導(dǎo)致關(guān)斷損耗顯著增加。

面臨的主要挑戰(zhàn)包括:輕載條件下的調(diào)整率問(wèn)題、高諧振能量帶來(lái)的影響,以及高輸入電壓導(dǎo)致的關(guān)斷電流增大。

對(duì)于LLC電路而言,存在兩個(gè)重要的諧振頻率。其中,一個(gè)諧振頻率fo是由諧振電感Lr與諧振電容Cr共同作用產(chǎn)生的;而另一個(gè)諧振頻率fr1,則涉及諧振電感Lr、勵(lì)磁電感Lm以及諧振電容Cr的共同影響。

總結(jié):在開(kāi)關(guān)頻率fr2 ffr1的范圍內(nèi),且諧振網(wǎng)絡(luò)處于感性區(qū)域時(shí),LLC變換器的原邊開(kāi)關(guān)管能實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS),同時(shí),輸出整流二極管中的電流工作在斷續(xù)模式,使得整流二極管能夠?qū)崿F(xiàn)零電流開(kāi)關(guān)(ZCS),從而消除了二極管反向恢復(fù)帶來(lái)的損耗。

當(dāng)開(kāi)關(guān)頻率f等于fr1時(shí),LLC諧振變換器進(jìn)入完全諧振狀態(tài)。此時(shí),原邊開(kāi)關(guān)管依舊可以實(shí)現(xiàn)ZVS,而整流二極管則工作在臨界電流模式,同樣可以實(shí)現(xiàn)ZCS,進(jìn)一步減少了損耗。

然而,當(dāng)開(kāi)關(guān)頻率f超過(guò)fr1后,雖然LLC諧振變換器的原邊開(kāi)關(guān)管在各種負(fù)載條件下都能實(shí)現(xiàn)ZVS,但變壓器勵(lì)磁電感因始終被輸出電壓鉗位,導(dǎo)致只有Lr和Cr能發(fā)生串聯(lián)諧振,而Lm在整個(gè)開(kāi)關(guān)過(guò)程中并不參與。此外,此時(shí)輸出整流二極管工作在電流連續(xù)模式,無(wú)法實(shí)現(xiàn)ZCS,從而產(chǎn)生了反向恢復(fù)損耗。

LLC諧振變換器,作為諧振開(kāi)關(guān)技術(shù)中的關(guān)鍵拓?fù)?,憑借其高效率、出色的調(diào)壓特性以及在寬負(fù)載范圍內(nèi)的優(yōu)異工作性能,已廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域,包括電源供應(yīng)、電動(dòng)汽車充電、LED照明、太陽(yáng)能電池板系統(tǒng)以及工業(yè)自動(dòng)化等。接下來(lái),我們將深入探討LLC諧振變換器的常見(jiàn)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、調(diào)制策略以及其工作模態(tài)。

以全橋LLC變換器為例,其開(kāi)關(guān)電路由開(kāi)關(guān)器件S1~S4構(gòu)成的全橋逆變電路組成。諧振電路則包括諧振電感Lr、諧振電容Cr以及勵(lì)磁電感Lm,這些元件與變壓器原邊相連。而變壓器副邊則采用由二極管DD2構(gòu)成的全波不控整流電路,與輸出電容Cf相連后接入負(fù)載。

在調(diào)制策略上,LLC諧振變換器常采用脈沖頻率調(diào)制(PFM)、移相調(diào)制(PSM)以及脈沖寬度調(diào)制(PWM)等方式。鑒于LLC變換器的獨(dú)特諧振特性,脈沖頻率調(diào)制(PFM)往往成為首選。同時(shí),為了進(jìn)一步優(yōu)化變換器性能,混合控制策略也逐漸受到關(guān)注。

理論上,ZVS2區(qū)域的效率要高于ZVS1區(qū)域。然而,選擇工作點(diǎn)時(shí)還需綜合考慮短路性能等因素,建議選擇略高于諧振點(diǎn)的工作點(diǎn)。

關(guān)于LLC初級(jí)MOSFET的關(guān)斷方式,需注意:在LLC工作于感性區(qū)域時(shí),MOSFET可以實(shí)現(xiàn)ZVS開(kāi)通,但其關(guān)斷過(guò)程并非ZVS或ZCS,而是硬關(guān)斷,這意味著關(guān)斷損耗不可避免。由于MOSFET的開(kāi)通損耗通常遠(yuǎn)大于關(guān)斷損耗,因此LLC變換器主要通過(guò)減少開(kāi)通損耗來(lái)提升電路效率。

要滿足ZVS的條件,除了確保LLC電路在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)都處于感性區(qū)域外,還需注意一個(gè)經(jīng)常被忽視的細(xì)節(jié):為了實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)管的ZVS,勵(lì)磁電感的峰值電流必須在死區(qū)時(shí)間內(nèi)完成對(duì)開(kāi)關(guān)管結(jié)電容的放電和充電。因此,勵(lì)磁電感峰值電流(Ipk)與死區(qū)時(shí)間(tdead)的匹配至關(guān)重要。

其中,Vin代表輸入電壓,Cj表示MOSFET的結(jié)電容,而tdead則指死區(qū)時(shí)間。此外,Ipk(勵(lì)磁電感峰值電流)與勵(lì)磁電感的關(guān)系為:

其中,Vo代表輸出電壓,T表示開(kāi)關(guān)周期,而Lm則是勵(lì)磁電感。為了確保電路的正常工作,勵(lì)磁電感Lm的值必須滿足以下不等式:

由上述公式推導(dǎo)出的最大勵(lì)磁電感Lm,能夠保證開(kāi)關(guān)管實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)的條件。然而,若Lm值過(guò)小,則會(huì)增大MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗。為了在任何負(fù)載條件下都能保持零電壓開(kāi)關(guān)狀態(tài),可以采用被動(dòng)負(fù)載Lm的設(shè)計(jì)方式。

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