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[導(dǎo)讀]在所有低頻振蕩電路中,文氏橋是最簡單的一種,其工作狀況幾乎不受外部環(huán)境變化的影響,很少發(fā)生背離設(shè)計初衷的情況。

1 引言
   
在所有低頻振蕩電路中,文氏橋是最簡單的一種,其工作狀況幾乎不受外部環(huán)境變化的影響,很少發(fā)生背離設(shè)計初衷的情況。即使采用非常普通的標(biāo)準(zhǔn)器件,也能輸出非常標(biāo)準(zhǔn)的正弦波,受運(yùn)算放大器的限制也很小。盡管如此,對文氏橋的理解也不能過于簡單,因?yàn)樵O(shè)計過于理想化或簡單化會導(dǎo)致其性能或結(jié)果偏離設(shè)計要求。

2 文氏橋振蕩器
   
我們知道,對于一個振蕩電路,在給定頻率下電路增益大于l、相移為零,并通過反饋網(wǎng)絡(luò)回饋到輸入端。由此,在設(shè)計振蕩器時首先需要考慮相移,觀察圖1所示標(biāo)準(zhǔn)文氏橋電路,R1和C1會產(chǎn)生正相移,而R2和C2將產(chǎn)生負(fù)相移。在一個特定頻率下,R1、C1產(chǎn)生的正相移量與R2、C2產(chǎn)生的負(fù)的相移量相等,總相移量為零。在此頻率下,電路將可能發(fā)生振蕩。

    對于圖1,考慮到運(yùn)算放大器的高阻輸入和低阻輸出特性,可以推導(dǎo)出文氏橋網(wǎng)絡(luò)(R1、C1和R2、C2)的傳輸函數(shù):

   
    上式中的虛部符號j代表90°的相移量(可能為正或負(fù)),而實(shí)部(不含j分項(xiàng))相移量為零。隨著實(shí)部與虛部數(shù)值改變,具體的相移量也隨之而變。
    如果式(1)中的

  
    則式1分母部分的實(shí)部為零,只有虛部,因此有:

   
    由上述等式得出:在特定頻率下,文氏橋的傳輸函數(shù)是一個無相移的純實(shí)數(shù)。分析了圖1電路的相位特性后,下一步來考慮其增益情況。為了簡化分析,假定式3中的R1=R2,Cl=C2,則有:

   
    為了滿足振蕩器的基本條件(零相移,單位增益),運(yùn)算放大器電路增益必須≥3,以彌補(bǔ)文氏橋電路的衰減。為了運(yùn)算放大器同相、反相端輸入電壓一致,從運(yùn)放輸出到輸入之間增加一個電阻分壓網(wǎng)絡(luò),衰減因子為3,以便與文氏橋網(wǎng)絡(luò)匹配(見圖1)。
    因此從理論上講,利用文氏電路產(chǎn)生正弦波非常簡便,然而從實(shí)際情況考慮實(shí)際意義不大,因?yàn)殡娮璧木群芎每刂疲娙萑葜档木群茈y控制,即使是精度為±20%的電容成本也很高。比較明智的辦法是首先考慮電容器精度對電橋性能的影響,然后找到一種低成本的彌補(bǔ)辦法。
    表1以一個簡單的數(shù)據(jù)表舉例說明文氏橋網(wǎng)絡(luò)元件參數(shù)及其對電路增益的影響。第7行是文氏橋傳輸函數(shù)的結(jié)果(式(3)),第12行是由方程式2推導(dǎo)出的工作頻率,而第9行是第7行結(jié)果的倒數(shù)。假定:Cl=C2=10 nF,同時R1=R2=lO kΩ,則電橋?qū)⒃?.5915494 kHz振蕩,因?yàn)榇藭r運(yùn)放的增益為3。如有興趣,可根據(jù)圖2參數(shù)實(shí)際搭建一個實(shí)驗(yàn)電路加以驗(yàn)證。需要注意的是,上述電路正常工作的條件是:電容器的精度不能低于額定參數(shù)的±10%,否則電路將停振或不能輸出正確的頻率。譬如,當(dāng)C1實(shí)際參數(shù)為8nF(額定值的80%),C2=18nF(額定值的180%)時,振蕩器增益應(yīng)為4.25,即由于電容偏差過大導(dǎo)致3倍增益不足以使電橋發(fā)生振蕩。相反,當(dāng)C1偏大、C2偏小時,電橋不需要3倍增益補(bǔ)償,此時電橋仍會振蕩,但會產(chǎn)生失真。偏差越大,失真也越大。不僅如此,此時的振蕩頻率也不是設(shè)計所需的頻率。因此一個理想的電路應(yīng)該是使電橋的參數(shù)與運(yùn)放增益一致,因?yàn)?,過小增益的電路會停振,而過大增益會引入失真或偏離振蕩頻率。

    為了解決上述問題,在圖1電路中插入一個J型FET,見圖2,這樣可以在小范圍內(nèi)改變運(yùn)放增益,確保電路的持續(xù)振蕩條件。上電時,由于場效應(yīng)管柵極電壓為零,因此導(dǎo)通,TRl的RDS為低阻,運(yùn)放增益此刻大于3,保證電路啟振。一旦電路開始振蕩,運(yùn)放有輸出信號,整流網(wǎng)絡(luò)將把一個負(fù)電壓輸入到J型FET的柵極,使其RDS變大或呈高阻。最終結(jié)果是運(yùn)放增益降低,從而使振蕩電路進(jìn)入穩(wěn)態(tài)。輸出波形幅度大小取決于兩個串聯(lián)二極管的正向?qū)妷汉吞峁┙oJ型FET的柵極電壓。不幸的是由于工藝問題,J型FET的柵極關(guān)斷電壓與產(chǎn)品批次關(guān)系很大,即使是同樣電路,不同批次的JFET對應(yīng)的輸出電壓變化很大。圖2中之所以選擇TRl(J201)是因?yàn)樗臇艠O關(guān)斷電壓變化較小,從而保證輸出波形變化不大。即便如此,上述電路只能保證電路振蕩,并不能保證輸出低失真波形,因增加的J型FET只是強(qiáng)迫電路振蕩,并不能掩蓋電路設(shè)計的缺陷。

    由此可見,除非采用更復(fù)雜的電路設(shè)計,否則只好在圖2電路反饋環(huán)路中插入一個可變電阻調(diào)整電路增益,以便補(bǔ)償電橋網(wǎng)絡(luò)增益,使運(yùn)放輸出低失真的正弦波。設(shè)計工程師可能認(rèn)為增加一個可變電阻十分簡單,但它不利于批量生產(chǎn),生產(chǎn)成本太高。
    理想的解決方案是采用電子可調(diào)電阻或數(shù)字電位器取代或插入到電阻支路。比如用一個低成本、小體積、簡單的數(shù)字電位器取代圖2中的可變電阻VRI,這樣可以使電路在批量生產(chǎn)時既便于調(diào)整,又使輸出波形失真最小。一旦電路啟振,利用數(shù)字電位器、J型FET可提供一個恰到好處的增益,既保證電路持續(xù)振蕩,又不會因?yàn)樵鲆孢^大而引起失真。
    采用MAX5467 10 kΩ數(shù)字電位器取代圖2中的VRl。如果把另外兩個MAX5467插入到R1、Cl和R2、C2支路,用戶就可以很方便地調(diào)整電路輸出頻率。MAX5467的數(shù)字控制接口十分簡單,甚至無需微處理器干預(yù)。
    圖3中,Rl、Cl和R2、C2支路插入兩個10 kΩ數(shù)字電位器后,電橋的工頻率可以在833 Hz到1.6kHz范圍調(diào)整。同樣,VRl被MAX5467取代后,當(dāng)IC4改變時,增益也改變,結(jié)果輸出波形可以是一個直流電壓、一個純正弦波和一個失真的正弦波。

    電源電路、頻率和增益調(diào)整電路分別見圖4、圖5和圖6。利用三極管BC547,可同時得到+2.5V,-2.5V兩組輸出電壓(見圖5),為運(yùn)放和數(shù)字電位器供電,三個數(shù)字電位器分別為:IC2、IC3、IC4。IC2和IC3占用同樣的數(shù)字接口,同時改變電阻值(增加或減少)。而增益調(diào)整數(shù)字電位器IC4的控制是獨(dú)立的,因此可單獨(dú)對電路增益進(jìn)行調(diào)整。

    本文已對文氏橋振蕩器內(nèi)部關(guān)鍵元件的作用及其對電路的影響進(jìn)行了詳細(xì)分析和描述,只有保證電路基本要素正確,才能保證不會由于附加電路導(dǎo)致電路工作失效。通過深入分析電路,文氏橋的性能可以從兩方面得以改善。首先必須考慮電容元件的誤差,其次通過增加適當(dāng)?shù)耐獠侩娐罚热绲统杀镜臄?shù)字電位器,改善頻率的準(zhǔn)確度、降低生產(chǎn)成本。
    最后需要注意的是,反饋環(huán)路因?yàn)槠骷阅芊€(wěn)定性等因素會在電橋輸出引入失真。譬如,二極管的正向?qū)妷弘S溫度變化會產(chǎn)生漂移(2.1 mV/℃),J型FET的偏置電壓也會隨溫度變化而改變,這些均會對輸出電壓產(chǎn)生影響。解決上述問題的辦法是在輸出電路增加一個RMS到DC轉(zhuǎn)換電路或峰值電平檢測器。利用它們輸出一個與正弦波輸出成比例的精確的直流電平信號,再把該信號直接回饋到JFET的輸入端,這樣就可以使輸出正弦波信號更穩(wěn)定。為了使JFET的線性度更好,可在JFET柵極電路的周邊增加兩個100 kΩ的電阻,由于這兩個電阻在此起負(fù)反饋?zhàn)饔?,因此可減小JFET的非線性。


3 結(jié)束語
   
從理論上看,文氏橋電路十分簡單。然而實(shí)際設(shè)計時,如果不考慮電容等實(shí)際元件的性能,往往會把設(shè)計人員引入歧途。通過在電橋三個關(guān)鍵位置插入低成本的數(shù)字電位器可以保證電路工作更穩(wěn)定并便于生產(chǎn)調(diào)試。

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