0 引言

   在測量技術中，高速數(shù)字攝像機所拍攝到的大量數(shù)字圖像需要高速、大容量的圖像存儲設備來實時快速地存儲。用傳統(tǒng)的磁帶方式來記錄數(shù)據(jù)，其效率和安全性不高；靜態(tài)存儲器讀寫方便，但是存儲的數(shù)據(jù)會因斷電而丟失，所以不利于數(shù)據(jù)的長時間保存。而近幾年問世的閃存以其存儲容量大、體積小、可靠性高等優(yōu)點，逐步向存儲系統(tǒng)進軍。

1 設計原理

   設計中相機輸出LVDS串行數(shù)據(jù)通過接收電平轉換和串并轉換后得到10路×8 bit的并行數(shù)據(jù)流，其數(shù)據(jù)流速率最大為66 MHz。之后根據(jù)相機MC1311的性能指標可計算出Camera Link高速接口與數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)的存儲容量要求與存儲速度要求，即：單幀數(shù)據(jù)量為1280×1024×8 bit；每秒最大數(shù)據(jù)量為500×1280×1024×8 bit；Camera Link高速接口單路數(shù)據(jù)速率為65.536 MByte，如果需要連續(xù)存儲60秒的視頻數(shù)據(jù)，則需要40 G Byte存儲器容量。100 GByte的存儲容量最多大約可存儲2.5分鐘視頻數(shù)據(jù)。圖1為系統(tǒng)結構圖。

2 核心器件選擇

   設計中的存儲芯片采用SAMSUNG公司的NAND FLASH芯片K9 K8G08UOI，它的外部接口最高速度為40 MHz，接口寬度8位。每個芯片有8192塊，每塊有64頁，每頁大小為(2K+64)Bytes，其中64 Bytes為空閑區(qū)，存儲容量為8Gbit。它以頁為單位進行讀寫，以塊為單位進行擦除?？刂坪诵腇PGA采用ALTERA公司STRATIXⅡ系列的EP2S30F672I4，它有著豐富的觸發(fā)器和LUT，非常適合復雜時序邏輯的設計，具有1.3Mbit的內(nèi)置存儲RAM，可以緩存一定量的數(shù)據(jù)。

3 系統(tǒng)設計

NAND Flash的數(shù)據(jù)存儲采用頁編程方式寫入，K9K8G08UOI的頁寫入時序如圖2所示。

   根據(jù)圖2的時序可以估算出單片K9K8G08UOI的數(shù)據(jù)存儲速率，其中tWC最小為25 ns，tADL為75ns，tWB為100 ns，tPROG為200μs。因此，寫入一頁所需時間大約為：200μs+100 ns+(2048+64) ×25ns+75 ns=252.975μs，由于一頁數(shù)據(jù)為(2K+64)B，所以單片K9K8G08UOI每Byte的數(shù)據(jù)存儲速率為：1／(252.975μs／(2048+64)B)=8.4152 MHz?？梢妴纹琄9K8G08UOI的寫入速度不能滿足Camera，Link的接口要求，故需用多片進行數(shù)據(jù)位擴展。為了解決NAND Hash存取數(shù)據(jù)速度較慢向題，可將相鄰10個8 bit視頻數(shù)據(jù)在FPGA內(nèi)展寬為80 bit進行存取。而NAND Flash每Byte的存儲速率要求可降為6.6 MHz，故可滿足單片K9K8G08UOI的存儲速度要求。系統(tǒng)中每10片K9K8G08UOI組成一個1 G×80 bit的Flash模塊，共10個Flash模塊。每個Hash模塊共用一套控制線，數(shù)據(jù)線分別與FPGA相連。單Flash模塊的組成原理如圖3所示。

電路中Flash1～10的連接一致，即數(shù)據(jù)總線獨立連接到FPGA共用控制總線(帶驅動)。由圖3可見，若需要進一步降低單片F(xiàn)lash存儲速率，可進一步擴展Flash存儲器芯片數(shù)量。由于單片F(xiàn)PGA的I／O數(shù)有限，可將10個Flash模塊安排到5塊擴展存儲器板上，分別對應Camera Link串并轉換得到的一路數(shù)據(jù)(66 MHz×8 bit)。每個存儲器板與1片F(xiàn)PGA和2個Flash模塊相連后再分別與控制電路板上的FPGA相連來進行數(shù)據(jù)傳輸。其中的5塊擴展存儲器板采用相同結構。

4 FPGA邏輯設計

FLASH的基本操作分為兩個階段：加載時間和編程時間，寫入的時間瓶頸并不在加載時間，而是FLASH的編程時間。為了解決高速數(shù)據(jù)與低速FLASH之間的矛盾，可采用數(shù)據(jù)流串并轉換、多個模塊并行處理的方法?？稍贔PGA內(nèi)部構建10個雙口RAM用來緩存數(shù)據(jù)，每個雙口RAM對應一個FLASH，相機過來的數(shù)據(jù)先緩存到RAM里，然后再寫到FLASH。數(shù)據(jù)寫到RAM可采用流水操作，數(shù)據(jù)寫滿第一個雙口RAM，接著寫第二個RAM，依次進行，當寫滿第十個RAM時，將十個RAM緩存的數(shù)據(jù)寫到對應的FLASH里。FLASH操作按最高速度40MB進行，加載時間為51.2μs，之后進入編程時間，再來的數(shù)據(jù)繼續(xù)緩存在第一個RAM里。相機的時鐘是66 MHz，每個RAM的深度為2048 Bytes，那么寫10個RAM的時間是310μs，即FALSH編程時間可以達到310-51.2=258.8μs，可以滿足FLASH的典型編程時間200μs。其FLASH流水操作見圖4。

5 FLASH壞區(qū)管理

  對FLASH的壞區(qū)實行動態(tài)管理，在每個存儲電路板的FPGA內(nèi)開辟1 K×8 bit的壞區(qū)地址存儲。所有存儲電路板的壞區(qū)地址一致。在FLASH進行寫操作前比對當前區(qū)是否為壞區(qū)，如果是壞區(qū)則跳過此區(qū)進入下一區(qū)。

   可采用寫入特定數(shù)后讀出校驗的方式來檢測壞區(qū)。存儲電路板根據(jù)命令全區(qū)寫入8 bit數(shù)據(jù)。寫入時序按系統(tǒng)設計的最高速率進行。然后將它們順序讀出并進行校驗，如果出現(xiàn)數(shù)據(jù)錯誤則登記該壓為壞區(qū)。圖5為壞區(qū)檢測管理的工作流程。

6 結束語

    本文采用多級流水線與并行處理相結合的方式，同時利用FPGA內(nèi)部的緩存來使多個FLASH存儲器并行工作，從而極大地提高了存儲速率。100片F(xiàn)LASH存儲器同時工作可滿足660 MB／S的速度要求。經(jīng)過測試，本系統(tǒng)可以可靠地存儲數(shù)字圖像，并可屏蔽壞區(qū)。