中國(guó)北京(2020年10月15日) — 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice今日宣布，正式推出全國(guó)產(chǎn)化24nm工藝節(jié)點(diǎn)的4Gb SPI NAND Flash產(chǎn)品——GD5F4GM5系列。該系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了從設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)制造到封裝測(cè)試所有環(huán)節(jié)的純國(guó)產(chǎn)化和自主化，并已成功量產(chǎn)，標(biāo)志著國(guó)內(nèi)SLC NAND Flash產(chǎn)品正式邁入24nm先進(jìn)制程工藝時(shí)代。該創(chuàng)新技術(shù)產(chǎn)品有助于進(jìn)一步豐富兆易創(chuàng)新的存儲(chǔ)類(lèi)產(chǎn)品線，為客戶(hù)提供更優(yōu)化的大容量代碼存儲(chǔ)解決方案。

如今各類(lèi)電子設(shè)備的功能日趨復(fù)雜，在一些新興的、甚至緊湊型應(yīng)用中都需要預(yù)裝嵌入式操作系統(tǒng)，對(duì)存儲(chǔ)容量的需求在不斷提升。高可靠、大容量的代碼存儲(chǔ)需求成為業(yè)界廣泛訴求。SLC NAND在市場(chǎng)兼具性?xún)r(jià)比的同時(shí)，能夠提供給客戶(hù)更大的容量選擇?；诖?，兆易創(chuàng)新在確保高可靠性的同時(shí)，成功推出24nm SPI NAND Flash——GD5F4GM5，兼顧容量和性能的提升，更好地服務(wù)于代碼存儲(chǔ)領(lǐng)域，致力于為5G、物聯(lián)網(wǎng)、網(wǎng)通、安防，以及包括可穿戴式設(shè)備在內(nèi)的消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用場(chǎng)景提供大容量、具備成本優(yōu)勢(shì)的解決方案。

目前，GD5F4GM5系列已全面量產(chǎn)，代表了國(guó)產(chǎn)SPI NAND Flash工藝技術(shù)量產(chǎn)的最高水準(zhǔn)。該產(chǎn)品采用串行SPI接口，引腳少、封裝尺寸小，在集成了存儲(chǔ)陣列和控制器的同時(shí)，還帶有內(nèi)部ECC糾錯(cuò)算法，擦寫(xiě)次數(shù)可達(dá)5萬(wàn)次，提高可靠性的同時(shí)延長(zhǎng)產(chǎn)品使用壽命。

GD5F4GM5系列也在相比于上一代NAND產(chǎn)品，大大提升了讀寫(xiě)速度，最高時(shí)鐘頻率達(dá)到120MHz，數(shù)據(jù)吞吐量可達(dá)480Mbit/s，支持1.8V/3.3V供電電壓，能夠滿足客戶(hù)對(duì)不同供電電壓的需求;同時(shí)提供WSON8、TFBGA24等多種封裝選擇。

GD5F4GM5系列產(chǎn)品特性

· 兼容1.8V/3.3V供電電壓

· 支持4KB Cache隨機(jī)讀取

· 四通道SPI接口，Quad IO數(shù)據(jù)吞吐量可達(dá)480Mbit/s

· 內(nèi)置8bit ECC糾錯(cuò)技術(shù)

· 支持標(biāo)準(zhǔn)WSON8、TFBGA24封裝

· 支持工業(yè)級(jí)-40~85℃溫度范圍

供貨信息

GD5F4GM5系列產(chǎn)品現(xiàn)已全面量產(chǎn)，客戶(hù)可聯(lián)絡(luò)銷(xiāo)售代表或授權(quán)代理商了解相關(guān)的訂購(gòu)信