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[導(dǎo)讀]GD5F4GM5系列現(xiàn)已量產(chǎn),容量高達(dá)4Gb,開啟國產(chǎn)SLC NAND Flash 24nm時(shí)代

中國北京(2020年10月15日) — 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice今日宣布,正式推出全國產(chǎn)化24nm工藝節(jié)點(diǎn)的4Gb SPI NAND Flash產(chǎn)品——GD5F4GM5系列。該系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了從設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)制造到封裝測試所有環(huán)節(jié)的純國產(chǎn)化和自主化,并已成功量產(chǎn),標(biāo)志著國內(nèi)SLC NAND Flash產(chǎn)品正式邁入24nm先進(jìn)制程工藝時(shí)代。該創(chuàng)新技術(shù)產(chǎn)品有助于進(jìn)一步豐富兆易創(chuàng)新的存儲(chǔ)類產(chǎn)品線,為客戶提供更優(yōu)化的大容量代碼存儲(chǔ)解決方案。

兆易創(chuàng)新推出全國產(chǎn)化24nm SPI NAND Flash

如今各類電子設(shè)備的功能日趨復(fù)雜,在一些新興的、甚至緊湊型應(yīng)用中都需要預(yù)裝嵌入式操作系統(tǒng),對(duì)存儲(chǔ)容量的需求在不斷提升。高可靠、大容量的代碼存儲(chǔ)需求成為業(yè)界廣泛訴求。SLC NAND在市場兼具性價(jià)比的同時(shí),能夠提供給客戶更大的容量選擇?;诖?,兆易創(chuàng)新在確保高可靠性的同時(shí),成功推出24nm SPI NAND Flash——GD5F4GM5,兼顧容量和性能的提升,更好地服務(wù)于代碼存儲(chǔ)領(lǐng)域,致力于為5G、物聯(lián)網(wǎng)、網(wǎng)通、安防,以及包括可穿戴式設(shè)備在內(nèi)的消費(fèi)類應(yīng)用場景提供大容量、具備成本優(yōu)勢的解決方案。

目前,GD5F4GM5系列已全面量產(chǎn),代表了國產(chǎn)SPI NAND Flash工藝技術(shù)量產(chǎn)的最高水準(zhǔn)。該產(chǎn)品采用串行SPI接口,引腳少、封裝尺寸小,在集成了存儲(chǔ)陣列和控制器的同時(shí),還帶有內(nèi)部ECC糾錯(cuò)算法,擦寫次數(shù)可達(dá)5萬次,提高可靠性的同時(shí)延長產(chǎn)品使用壽命。

GD5F4GM5系列也在相比于上一代NAND產(chǎn)品,大大提升了讀寫速度,最高時(shí)鐘頻率達(dá)到120MHz,數(shù)據(jù)吞吐量可達(dá)480Mbit/s,支持1.8V/3.3V供電電壓,能夠滿足客戶對(duì)不同供電電壓的需求;同時(shí)提供WSON8、TFBGA24等多種封裝選擇。

GD5F4GM5系列產(chǎn)品特性

· 兼容1.8V/3.3V供電電壓

· 支持4KB Cache隨機(jī)讀取

· 四通道SPI接口,Quad IO數(shù)據(jù)吞吐量可達(dá)480Mbit/s

· 內(nèi)置8bit ECC糾錯(cuò)技術(shù)

· 支持標(biāo)準(zhǔn)WSON8、TFBGA24封裝

· 支持工業(yè)級(jí)-40~85℃溫度范圍

供貨信息

GD5F4GM5系列產(chǎn)品現(xiàn)已全面量產(chǎn),客戶可聯(lián)絡(luò)銷售代表或授權(quán)代理商了解相關(guān)的訂購信

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