最全！關(guān)于第三代半導(dǎo)體發(fā)展研究
[導(dǎo)讀]據(jù)了解，我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入“十四五”規(guī)劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主。
據(jù)了解，我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入“十四五”規(guī)劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主。
2.快充
氮化鎵具備導(dǎo)通電阻小、損耗低以及能源轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點(diǎn)，由氮化鎵制成的充電器還可以做到較小的體積。安卓端率先將氮化鎵技術(shù)導(dǎo)入到快充領(lǐng)域，隨著氮化鎵生產(chǎn)成本迅速下降，氮化鎵快充有望成為消費(fèi)電子領(lǐng)域下一個殺手級應(yīng)用。預(yù)計全球氮化鎵功率半導(dǎo)體市場規(guī)模從2018年的873萬美元增長到2024年的3.5億美元，復(fù)合增長率達(dá)到85%。
2.砷化鎵晶圓制造環(huán)節(jié)（Foundry+IDM）
來源：GaN世界
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