三星宣布：14納米EUV?DDR5?DRAM正式量產(chǎn)

時(shí)間：2021-10-13 14:13:47

關(guān)鍵字： DDR DRAM 三星

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[導(dǎo)讀]10月12日消息，三星宣布開(kāi)始量產(chǎn)基于極紫外光（EUV）技術(shù)的14nmDRAM。繼去年3月三星推出首款EUVDRAM后，又將EUV層數(shù)增加至5層，為其DDR5解決方案提供當(dāng)下更為優(yōu)質(zhì)、先進(jìn)的DRAM工藝。三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)主管JooyoungLee表示，“通過(guò)...

10月12日消息，三星宣布開(kāi)始量產(chǎn)基于極紫外光（EUV）技術(shù)的14nm DRAM。繼去年3月三星推出首款EUV DRAM后，又將EUV層數(shù)增加至5層，為其DDR5解決方案提供當(dāng)下更為優(yōu)質(zhì)、先進(jìn)的DRAM工藝。

三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)主管Jooyoung Lee表示，“通過(guò)開(kāi)拓關(guān)鍵的圖案（key patterning）技術(shù)，三星活躍全球DRAM市場(chǎng)近三十年。如今，三星正通過(guò)多層EUV技術(shù)，樹(shù)立了一座新的技術(shù)里程碑，實(shí)現(xiàn)了更加微型化的14nm工藝，而這也是傳統(tǒng)氟化氬（ArF）工藝無(wú)法做到的。在此基礎(chǔ)上，三星將繼續(xù)提供極具差異化的內(nèi)存解決方案，充分滿足5G、人工智能和元宇宙等數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的時(shí)代對(duì)更高性能和更大容量的需求?！?/span>

隨著DRAM工藝不斷縮小至10nm范圍，EUV技術(shù)變得越來(lái)越重要，因?yàn)樗芴嵘龍D案準(zhǔn)確性，從而獲得更高性能和更大產(chǎn)量。通過(guò)在14nm DRAM中應(yīng)用5個(gè)EUV層，三星實(shí)現(xiàn)了自身最高的單位容量，同時(shí)，整體晶圓生產(chǎn)率提升了約20％。此外，與上一代DRAM工藝相比，14nm工藝可幫助降低近20％的功耗。

根據(jù)最新DDR5標(biāo)準(zhǔn)，三星的14nm DRAM將有助于釋放出之前產(chǎn)品所未有的速度：高達(dá)7.2Gbps，比DDR4的3.2Gbps快兩倍多。

三星計(jì)劃擴(kuò)展其14nm DDR5產(chǎn)品組合，以支持?jǐn)?shù)據(jù)中心、超級(jí)計(jì)算機(jī)和企業(yè)服務(wù)器應(yīng)用。另外，三星預(yù)計(jì)將其14nm DRAM芯片容量提升至24Gb，以更好滿足全球IT系統(tǒng)快速增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)需求。

值得注意的是，今年1月，美光宣布10nm級(jí)第4代（1a）DRAM量產(chǎn)成功，SK海力士也于7月開(kāi)始量產(chǎn)應(yīng)用EUV的1a DRAM。雖然他們沒(méi)有指明具體數(shù)字，但業(yè)界將SK海力士和美光都視為14nm級(jí)DRAM。美光沒(méi)有應(yīng)用EUV，而SK海力士只在一層應(yīng)用了EUV。

三星電子雖然量產(chǎn)有點(diǎn)晚，但通過(guò)拉大技術(shù)差距，在未來(lái)的DRAM競(jìng)爭(zhēng)中獲得了優(yōu)勢(shì)。特別是基于14nm工藝和高成熟度EUV工藝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)差異化性能和穩(wěn)定良率，是引領(lǐng)DDR5DRAM普及的戰(zhàn)略。