三星宣布：14納米EUV?DDR5?DRAM正式量產

時間：2021-10-13 14:13:47

關鍵字： DDR DRAM 三星

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[導讀]10月12日消息，三星宣布開始量產基于極紫外光（EUV）技術的14nmDRAM。繼去年3月三星推出首款EUVDRAM后，又將EUV層數(shù)增加至5層，為其DDR5解決方案提供當下更為優(yōu)質、先進的DRAM工藝。三星電子高級副總裁兼DRAM產品與技術主管JooyoungLee表示，“通過...

10月12日消息，三星宣布開始量產基于極紫外光（EUV）技術的14nm DRAM。繼去年3月三星推出首款EUV DRAM后，又將EUV層數(shù)增加至5層，為其DDR5解決方案提供當下更為優(yōu)質、先進的DRAM工藝。

三星電子高級副總裁兼DRAM產品與技術主管Jooyoung Lee表示，“通過開拓關鍵的圖案（key patterning）技術，三星活躍全球DRAM市場近三十年。如今，三星正通過多層EUV技術，樹立了一座新的技術里程碑，實現(xiàn)了更加微型化的14nm工藝，而這也是傳統(tǒng)氟化氬（ArF）工藝無法做到的。在此基礎上，三星將繼續(xù)提供極具差異化的內存解決方案，充分滿足5G、人工智能和元宇宙等數(shù)據驅動的時代對更高性能和更大容量的需求?！?/span>

隨著DRAM工藝不斷縮小至10nm范圍，EUV技術變得越來越重要，因為它能提升圖案準確性，從而獲得更高性能和更大產量。通過在14nm DRAM中應用5個EUV層，三星實現(xiàn)了自身最高的單位容量，同時，整體晶圓生產率提升了約20％。此外，與上一代DRAM工藝相比，14nm工藝可幫助降低近20％的功耗。

根據最新DDR5標準，三星的14nm DRAM將有助于釋放出之前產品所未有的速度：高達7.2Gbps，比DDR4的3.2Gbps快兩倍多。

三星計劃擴展其14nm DDR5產品組合，以支持數(shù)據中心、超級計算機和企業(yè)服務器應用。另外，三星預計將其14nm DRAM芯片容量提升至24Gb，以更好滿足全球IT系統(tǒng)快速增長的數(shù)據需求。

值得注意的是，今年1月，美光宣布10nm級第4代（1a）DRAM量產成功，SK海力士也于7月開始量產應用EUV的1a DRAM。雖然他們沒有指明具體數(shù)字，但業(yè)界將SK海力士和美光都視為14nm級DRAM。美光沒有應用EUV，而SK海力士只在一層應用了EUV。

三星電子雖然量產有點晚，但通過拉大技術差距，在未來的DRAM競爭中獲得了優(yōu)勢。特別是基于14nm工藝和高成熟度EUV工藝技術，實現(xiàn)差異化性能和穩(wěn)定良率，是引領DDR5DRAM普及的戰(zhàn)略。