10月20日，SK海力士宣布，成功開(kāi)發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片。該產(chǎn)品可以與 CPU、GPU 核心相鄰封裝在一起，采用多層堆疊工藝，實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)比傳統(tǒng)內(nèi)存條高的存儲(chǔ)密度以及帶寬。

目前 HBM DRAM 已經(jīng)發(fā)展到了第四代，HBM3 進(jìn)一步提升了單片容量以及帶寬。SK海力士表示，2020 年 7 月便開(kāi)始量產(chǎn) HBM2E 內(nèi)存，為全球首批量產(chǎn)這種芯片的企業(yè)。

SK海力士最新的 HBM3 芯片，單片最大容量可達(dá) 24GB，最高帶寬達(dá)到了 819 GB/s，相比 HBM2E 提升了 78%。不僅如此，產(chǎn)品還支持片上 ECC 糾錯(cuò)，顯著高了可靠性。

此次HBM3將以16GB和24GB兩種容量上市。特別是24GB是業(yè)界最大的容量。為了實(shí)現(xiàn)24GB，SK海力士技術(shù)團(tuán)隊(duì)將單品DRAM芯片的高度磨削到約30微米(μm, 10-6m)，相當(dāng)于A4紙厚度的1/3，然后使用TSV(Through Silicon Via，硅通孔技術(shù))技術(shù)垂直連接12個(gè)芯片。

HBM3將搭載高性能數(shù)據(jù)中心，有望適用于提高人工智能完成度的機(jī)器學(xué)習(xí)和分析氣候變化，新藥開(kāi)發(fā)等的超級(jí)計(jì)算機(jī)。

負(fù)責(zé)SK海力士DRAM開(kāi)發(fā)的車(chē)宣龍副社長(zhǎng)表示，“該公司推出的全球首款HBM DRAM，引領(lǐng)了HBM2E市場(chǎng)，并在業(yè)界內(nèi)首次成功開(kāi)發(fā)了HBM3。公司將鞏固在高端存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)力，同時(shí)提供符合ESG經(jīng)營(yíng)的產(chǎn)品，盡最大努力提高客戶(hù)價(jià)值。