壓控振蕩電路如圖所示。555、R1、R2、C1~C3及VT1組成一個(gè)壓控多諧振蕩器,場效 應(yīng)管(JFET)VT,作為壓控電阻,通過改變其門一源電壓VGs可改變VT-的漏(D)、源(S)間的阻抗。接在VT。的D、S的耦合電容C1、C2,用于防止其余電路的直流電壓對JFET的影響。為不使耦合電容影響時(shí)基電路的充、放電時(shí)間,C1、C2的大小宜選為定時(shí)電容C3容值的10倍。該電路的優(yōu)點(diǎn)在于:通過場效應(yīng)管門一源問電壓VGs的變化,使VT1形成一個(gè)可調(diào)范圍很大的可變電阻Rx(可大至幾百kΩ),從而獲得極大的占空比和周期的變化。
壓控振蕩器 src="/21ic_image/21icimage/200903/5d4300c86f23cddab10b1cd14f34342e.jpg" width=600 border=0>
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