如圖所示,電路以555為核心,與光敏電阻RG和RP1等組成。RG隨光照的強弱呈現(xiàn)不同的阻值,利用555內(nèi)部的兩個比較器的復(fù)位和置位特性,便可組成施密特觸發(fā)器。當(dāng)光強時,RG呈低阻,2腳呈低電平(<1/3 VDD觸發(fā)電平),555置位,K不動作;當(dāng)光弱時,RG呈高阻,6腳電平高于2/3 VDD閾值電平,555復(fù)位,K吸合。
施密特觸發(fā)器 src="/21ic_image/21icimage/200903/c9742e496bf7b29e8598ab0895450c08.jpg" width=600 border=0>
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