
正常工作情況下,不論是正轉(zhuǎn)還是反轉(zhuǎn),H橋的晶體管等效
于一個飽和的開關(guān),用Vs電壓源代表。這樣,將10腳和6腳之
間的電路簡化,得到簡化等效電路圖,見圖。6、10之間電壓
用V表示。由簡化電路可以得到下列方程式:

正常工作情況下,不論是正轉(zhuǎn)還是反轉(zhuǎn),H橋的晶體管等效
于一個飽和的開關(guān),用Vs電壓源代表。這樣,將10腳和6腳之
間的電路簡化,得到簡化等效電路圖,見圖。6、10之間電壓
用V表示。由簡化電路可以得到下列方程式:
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為電力電子領(lǐng)域的核心功率器件,兼具MOSFET的高頻開關(guān)特性與雙極型晶體管的大電流承載能力,廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏逆變器、工業(yè)變頻、儲能系統(tǒng)等高端裝備中。IGBT的工作穩(wěn)定性直接決定整...
關(guān)鍵字: 晶體管 開關(guān)特性 雙極型本系列文章由兩部分組成,第一部分介紹電壓輸入至輸出控制(VIOC)系統(tǒng)。這種系統(tǒng)通常配置為具有VIOC特性的低壓差(LDO)穩(wěn)壓器和降壓拓撲開關(guān)穩(wěn)壓器的組合。隨后,文章針對VIOC系統(tǒng)設(shè)計提供了具體指導,包括LDO和開關(guān)...
關(guān)鍵字: 線性穩(wěn)壓器 LDO 晶體管