[導(dǎo)讀]三星采用30納米工藝研制出64G NAND閃存芯片
從國外媒體處獲悉：全球閃存巨頭韓國三星電子公司周二宣布，已經(jīng)利用三十納米半導(dǎo)體工藝制造出了64GB閃存芯片。這是全球第一塊64GB的NAND閃存芯片。
三星電子公司表示，他們利用三十納米的最先進的半導(dǎo)體工藝研制了這種高容量的閃存芯片。目前，該公司在普通閃存芯片的制造中一般采用五十納米工藝。
三星電子公司在一份聲明中說，64GB產(chǎn)品意味著閃存行業(yè)在容量方面又跨越了一步。高容量閃存將滿足日益膨脹的消費電子產(chǎn)品對于存儲介質(zhì)的需求。
三星電子公司表示，64GB的閃存芯片屬于全世界首創(chuàng)。它的問世，也是閃存行業(yè)連續(xù)八年讓容量翻倍，也是連續(xù)七年在芯片制造工藝上獲得提升。
三星電子說，他們將在2009年開始量產(chǎn)這種高容量閃存芯片。
眾所周知的是，閃存在供電取消之后仍然可以保存數(shù)據(jù)，和硬盤相比穩(wěn)定性更高，功耗也越少，目前被廣泛用于包括音樂播放器、手機、數(shù)碼相機在內(nèi)的消費電子產(chǎn)品。多家公司甚至已經(jīng)生產(chǎn)出可以用于電腦的閃存混合硬盤。業(yè)界普遍認為，隨著閃存價格不斷下降，未來硬盤將逐漸被閃存所取代。
需要指出的是，去年，三星電子宣布生產(chǎn)出了32GB容量的閃存芯片，當時采用的是四十納米的半導(dǎo)體制造工藝。三星電子公司發(fā)言人說，他們將在明年量產(chǎn)32GB的閃存芯片。（令狐達）
三星電子公司表示，他們利用三十納米的最先進的半導(dǎo)體工藝研制了這種高容量的閃存芯片。目前，該公司在普通閃存芯片的制造中一般采用五十納米工藝。
三星電子公司在一份聲明中說，64GB產(chǎn)品意味著閃存行業(yè)在容量方面又跨越了一步。高容量閃存將滿足日益膨脹的消費電子產(chǎn)品對于存儲介質(zhì)的需求。
三星電子公司表示，64GB的閃存芯片屬于全世界首創(chuàng)。它的問世，也是閃存行業(yè)連續(xù)八年讓容量翻倍，也是連續(xù)七年在芯片制造工藝上獲得提升。
三星電子說，他們將在2009年開始量產(chǎn)這種高容量閃存芯片。
眾所周知的是，閃存在供電取消之后仍然可以保存數(shù)據(jù)，和硬盤相比穩(wěn)定性更高，功耗也越少，目前被廣泛用于包括音樂播放器、手機、數(shù)碼相機在內(nèi)的消費電子產(chǎn)品。多家公司甚至已經(jīng)生產(chǎn)出可以用于電腦的閃存混合硬盤。業(yè)界普遍認為，隨著閃存價格不斷下降，未來硬盤將逐漸被閃存所取代。
需要指出的是，去年，三星電子宣布生產(chǎn)出了32GB容量的閃存芯片，當時采用的是四十納米的半導(dǎo)體制造工藝。三星電子公司發(fā)言人說，他們將在明年量產(chǎn)32GB的閃存芯片。（令狐達）
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據(jù)業(yè)內(nèi)信息，近日一家名為Daedalus Prime的小公司陸續(xù)對多個半導(dǎo)體巨頭發(fā)起337專利訟訴，其中包含三星電子、高通公司、臺積電等。
關(guān)鍵字： 專利侵權(quán) 三星 臺積電 高通公司 337調(diào)查 USITC
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