近日,由揚州大學物理學院承擔的江蘇省科技攻關(guān)項目大功率高亮度LED芯片取得重要進展,首批試制樣品已上線接受1000小時的性能測試.這款由我國自主研發(fā)的新光源芯片,將用于替代國外同類產(chǎn)品.
據(jù)了解,LED是目前世界各國加緊開發(fā)的節(jié)能光源產(chǎn)品,用于替代傳統(tǒng)的電力光源,芯片則是LED的“大腦”.但目前國產(chǎn)LED芯片在壽命、亮度、性價比等方面均弱于進口芯片,從而造成最終產(chǎn)品成本高,難以在一般消費者中普及,且高端產(chǎn)品的芯片需依賴進口.
據(jù)課題負責人揚大物理學院曾祥華教授介紹,由該院光電研究中心 10名科研人員組成的研究團隊,與揚州華夏光電聯(lián)合開展校企合作,對國產(chǎn)芯片的結(jié)構(gòu)進行重新設(shè)計,著力解決發(fā)熱量大、衰減快等穩(wěn)定性問題,以提高其使用壽命.曾祥華表示,目前首批新型芯片樣品已經(jīng)試制成功,并已經(jīng)獲得三項國家專利,經(jīng)過1000小時連續(xù)帶電測試后,研究人員還將對細節(jié)進行改進,新芯片的穩(wěn)定使用壽命約能提高到5萬小時以上.據(jù)悉,新芯片因由我國自主研發(fā),這將大大縮減LED制造成本,最終可用于替代進口芯片.
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