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力晶半導(dǎo)體下半年量產(chǎn)40納米NAND閃存

時(shí)間：2010-04-12 15:38:34

關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 NAND閃存 40納米 DRAM芯片

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[導(dǎo)讀]力晶半導(dǎo)體（PowerchipSemiconductorCorporation，PSC）公司董事長(zhǎng)黃崇仁（FrankHuang）日前透露，該公司將于2010年下半年正式開始量產(chǎn)出貨40納米制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，同時(shí)他還指出力晶的閃存業(yè)務(wù)未來(lái)的工作重點(diǎn)

力晶半導(dǎo)體（PowerchipSemiconductorCorporation，PSC）公司董事長(zhǎng)黃崇仁（FrankHuang）日前透露，該公司將于2010年下半年正式開始量產(chǎn)出貨40納米制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，同時(shí)他還指出力晶的閃存業(yè)務(wù)未來(lái)的工作重點(diǎn)將會(huì)放在利基和定制型產(chǎn)品上。

力晶半導(dǎo)體將于今年下半年量產(chǎn)40納米NAND閃存

在與瑞薩科技（RenesasTechnology）之間的技術(shù)協(xié)議中止之后，力晶半導(dǎo)體已經(jīng)開發(fā)了自有的內(nèi)部閃存技術(shù)。此前也有消息透露，這家臺(tái)系DRAM芯片廠商的NAND閃存芯片采用的仍然主要是70納米制造工藝，同時(shí)該公司也在利用50納米制造工藝開發(fā)8Gb容量的NAND閃存芯片產(chǎn)品。早在去年金融危機(jī)尚在肆虐的時(shí)候，力晶曾力爭(zhēng)通過(guò)DRAM業(yè)拯救工程而獲得臺(tái)當(dāng)局的撥款，尋求以45億新臺(tái)幣的預(yù)算建立一家新的NAND閃存公司，不過(guò)該項(xiàng)目的財(cái)政支持最終被當(dāng)局否決。

至于DRAM芯片業(yè)務(wù)，黃崇仁表示力晶正在努力將制造工藝切換到63納米，此次升級(jí)完成之后公司DRAM芯片生產(chǎn)成本將會(huì)大幅下降20%之多。至于更遠(yuǎn)的計(jì)劃，比如何時(shí)將制造工藝切換至45納米，力晶表示這將取決于ASML的浸潤(rùn)式掃描設(shè)備將于何時(shí)交付，而據(jù)黃崇仁透露該設(shè)備交付已經(jīng)延期。黃崇仁還認(rèn)為目前的DRAM芯片價(jià)格正處于“合理”水平，他對(duì)整個(gè)DRAM市場(chǎng)的前景也相當(dāng)樂(lè)觀，甚至對(duì)2011年的DRAM市場(chǎng)都相當(dāng)看好。

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RISC-V要想構(gòu)建類似ARM或x86的生態(tài)，可能要花費(fèi)10年甚至20年時(shí)間

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[世強(qiáng)元件電商]

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