長(zhǎng)野封裝論壇的傅田精一指出TSV的現(xiàn)狀與課題
[導(dǎo)讀]日本長(zhǎng)野縣工科短期大學(xué)、長(zhǎng)野封裝論壇的傅田精一指出了采用硅貫通孔（Through SiVia：TSV）的三維封裝技術(shù)的現(xiàn)狀與課題。在“JPCA Show2010”（2010年6月2～4日，東京有明國(guó)際會(huì)展中心）并設(shè)的研討會(huì)“2010最尖端封
日本長(zhǎng)野縣工科短期大學(xué)、長(zhǎng)野封裝論壇的傅田精一指出了采用硅貫通孔（Through SiVia：TSV）的三維封裝技術(shù)的現(xiàn)狀與課題。在“JPCA Show2010”（2010年6月2～4日，東京有明國(guó)際會(huì)展中心）并設(shè)的研討會(huì)“2010最尖端封裝技術(shù)研討會(huì)”的3B1分會(huì)“越來(lái)越普及的最尖端三維封裝技術(shù)的未來(lái)”上，傅田精一發(fā)表了題為“硅貫通電極技術(shù)的動(dòng)向與問(wèn)題點(diǎn)”的演講。
傅田精一就TSV的現(xiàn)狀指出，在2010年內(nèi)雖然將面向內(nèi)存實(shí)用化，但TSV的應(yīng)用范圍還是有限的。而且，TSV取代PoP（Package onPackage）和SiP（System inPackage）將會(huì)在2011年以后。要解決的課題與原來(lái)相同，仍然是成本問(wèn)題。不過(guò)，他指出，除了單純的加工成本外，還要考慮其他成本。包括諸如為形成TSV區(qū)域的芯片面積增加、隨TSV形成的成品率下降、積層芯片的焊點(diǎn)間距（Pad Pitch）不同時(shí)需要的重新設(shè)計(jì)和導(dǎo)入轉(zhuǎn)接板而帶來(lái)的成本等。
具體為，300mm晶圓的處理成本為3000～5000美元，即使將單純的加工成本降至相當(dāng)于其百分之幾的50美元以下，則加上前面提到的其他成本，也將會(huì)有近10％的成本增加。這樣，成本增加幅度過(guò)大，從而難以采用TSV。考慮到這一點(diǎn)，則需在目前已比原來(lái)降低了很多的成本基礎(chǔ)上，再削減50％以上。關(guān)于個(gè)別的工藝技術(shù)，提到了使蝕刻開(kāi)口的通孔內(nèi)壁更加平滑，將鍍銅（Cu）的處理時(shí)間縮短至數(shù)分鐘，以及晶圓級(jí)TSV的成品率需要提高到85％以上等。另外，傅田精一指出，還需要可處理使用TSV的IC芯片的EDA工具。（記者：長(zhǎng)廣 恭明）
傅田精一就TSV的現(xiàn)狀指出，在2010年內(nèi)雖然將面向內(nèi)存實(shí)用化，但TSV的應(yīng)用范圍還是有限的。而且，TSV取代PoP（Package onPackage）和SiP（System inPackage）將會(huì)在2011年以后。要解決的課題與原來(lái)相同，仍然是成本問(wèn)題。不過(guò)，他指出，除了單純的加工成本外，還要考慮其他成本。包括諸如為形成TSV區(qū)域的芯片面積增加、隨TSV形成的成品率下降、積層芯片的焊點(diǎn)間距（Pad Pitch）不同時(shí)需要的重新設(shè)計(jì)和導(dǎo)入轉(zhuǎn)接板而帶來(lái)的成本等。
具體為，300mm晶圓的處理成本為3000～5000美元，即使將單純的加工成本降至相當(dāng)于其百分之幾的50美元以下，則加上前面提到的其他成本，也將會(huì)有近10％的成本增加。這樣，成本增加幅度過(guò)大，從而難以采用TSV。考慮到這一點(diǎn)，則需在目前已比原來(lái)降低了很多的成本基礎(chǔ)上，再削減50％以上。關(guān)于個(gè)別的工藝技術(shù)，提到了使蝕刻開(kāi)口的通孔內(nèi)壁更加平滑，將鍍銅（Cu）的處理時(shí)間縮短至數(shù)分鐘，以及晶圓級(jí)TSV的成品率需要提高到85％以上等。另外，傅田精一指出，還需要可處理使用TSV的IC芯片的EDA工具。（記者：長(zhǎng)廣 恭明）
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