[導讀]“非易失性存儲器”作為新一代國際公認存儲技術(shù)，越來越受到世界各國高度重視。從7日在滬召開的第十一屆非易失性存儲器國際研討會上獲悉，上海在這一領域的研究已躋身國際先進水平。與易失性存儲器相比，非易失性存儲
“非易失性存儲器”作為新一代國際公認存儲技術(shù)，越來越受到世界各國高度重視。從7日在滬召開的第十一屆非易失性存儲器國際研討會上獲悉，上海在這一領域的研究已躋身國際先進水平。
與易失性存儲器相比，非易失性存儲器具有高速、高密度、可微縮、低功耗、抗輻射、斷電后仍然能夠保持數(shù)據(jù)等諸多優(yōu)點。隨著技術(shù)發(fā)展，非易失性存儲器分為相變存儲器、磁性存儲器、電阻式存儲器、鐵電存儲器等諸多類型。
中國科學院上海微系統(tǒng)所、中芯國際、micro－chip是產(chǎn)學研結(jié)合的團隊，一直致力于研究我國自主的相變存儲芯片和存儲產(chǎn)品。
據(jù)中科院上海微系統(tǒng)所宋志棠研究員介紹，由上海微系統(tǒng)所、中芯國際和micro－chip組成的聯(lián)合研究團隊在相變存儲器芯片的工程化研究方面已經(jīng)取得突破性進展，研制出8Mb測試芯片，并實現(xiàn)全部存儲功能，8英寸整片Bit優(yōu)良率超過99%，開發(fā)出自主IP的雙溝道隔離二極管陣列，成功實現(xiàn)了工藝集成和相關(guān)功能的演示，并建立了8英寸整片測試系統(tǒng)。
在此基礎上，上海微系統(tǒng)所與中芯國際建立了12英寸專用PCRAM平臺。12英寸40納米相變存儲器的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)也取得了重要進展，完成了第一版芯片的設計，并進入關(guān)鍵的工藝開發(fā)；初步完成了尺寸為60－70納米的相變材料填充和拋光、刻蝕等單項工藝開發(fā)。
第十一屆非易失性存儲器國際研討會由國際電子電氣工程師學會主辦，中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所和新加坡數(shù)據(jù)存儲研究院共同承辦，是國際非易失性存儲器領域第一次在中國召開的權(quán)威會議。來自美國、法國、德國、西班牙、俄羅斯等10個國家和地區(qū)200多位專家學者和業(yè)內(nèi)人士參加了此次會議。在為期三天的會議期間將舉行10場大會報告和交流報告，圍繞非易失性存儲器領域的最新發(fā)展進行學術(shù)交流和研討。
與易失性存儲器相比，非易失性存儲器具有高速、高密度、可微縮、低功耗、抗輻射、斷電后仍然能夠保持數(shù)據(jù)等諸多優(yōu)點。隨著技術(shù)發(fā)展，非易失性存儲器分為相變存儲器、磁性存儲器、電阻式存儲器、鐵電存儲器等諸多類型。
中國科學院上海微系統(tǒng)所、中芯國際、micro－chip是產(chǎn)學研結(jié)合的團隊，一直致力于研究我國自主的相變存儲芯片和存儲產(chǎn)品。
據(jù)中科院上海微系統(tǒng)所宋志棠研究員介紹，由上海微系統(tǒng)所、中芯國際和micro－chip組成的聯(lián)合研究團隊在相變存儲器芯片的工程化研究方面已經(jīng)取得突破性進展，研制出8Mb測試芯片，并實現(xiàn)全部存儲功能，8英寸整片Bit優(yōu)良率超過99%，開發(fā)出自主IP的雙溝道隔離二極管陣列，成功實現(xiàn)了工藝集成和相關(guān)功能的演示，并建立了8英寸整片測試系統(tǒng)。
在此基礎上，上海微系統(tǒng)所與中芯國際建立了12英寸專用PCRAM平臺。12英寸40納米相變存儲器的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)也取得了重要進展，完成了第一版芯片的設計，并進入關(guān)鍵的工藝開發(fā)；初步完成了尺寸為60－70納米的相變材料填充和拋光、刻蝕等單項工藝開發(fā)。
第十一屆非易失性存儲器國際研討會由國際電子電氣工程師學會主辦，中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所和新加坡數(shù)據(jù)存儲研究院共同承辦，是國際非易失性存儲器領域第一次在中國召開的權(quán)威會議。來自美國、法國、德國、西班牙、俄羅斯等10個國家和地區(qū)200多位專家學者和業(yè)內(nèi)人士參加了此次會議。在為期三天的會議期間將舉行10場大會報告和交流報告，圍繞非易失性存儲器領域的最新發(fā)展進行學術(shù)交流和研討。
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