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2011年NAND閃存市場七大趨勢預測

時間：2010-12-30 13:28:28

關鍵字：閃存市場趨勢預測 NAND閃存三星

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[導讀]2011年的NAND閃存市場將會發(fā)生哪些情況？以下是投資銀行BarclaysCapital分析師C.J.Muse所預測的該市場七大發(fā)展趨勢：1.2011將是NAND閃存年Muse認為，2011年將是屬于NAND的年份；明年3x奈米將是主流制程，2x納米也將揚

2011年的NAND閃存市場將會發(fā)生哪些情況？以下是投資銀行BarclaysCapital分析師C.J.Muse所預測的該市場七大發(fā)展趨勢：

1.2011將是NAND閃存年

Muse認為，2011年將是屬于NAND的年份；明年3x奈米將是主流制程，2x納米也將揚眉吐氣。不過該市場將呈現(xiàn)雙頭寡占的狀態(tài)，由三星(Samsung)與東芝(Toshiba)/Sandisk兩大廠商總計囊括近75%的生意(市占率分別為40%與33%)。2011年NAND廠商的資本支出規(guī)模也將首度超越DRAM廠商。

2.蘋果效應

平板裝置風潮將帶來龐大的NAND需求量；半導體設備業(yè)者應用材料(AppliedMaterials)曾預估，將需要一座月產(chǎn)能200kwspm的初始晶圓廠，才能因應預期中的需求。光是蘋果(Apple)本身，其明年需求量就可能是今年的兩倍，甚至還有可能達到三倍──因為該品牌所有的Macbook筆記型計算機現(xiàn)在都是采用固態(tài)硬盤(SSD)。

3.是領導者也是跟隨者的三星

NAND制造商正朝著2x奈米制程節(jié)點邁進，而各家廠商不太相同，三星(Samsung)是27奈米，美光(Micron)是25納米，東芝是24納米，海力士(Hynix)則是26納米。其中三星無疑是產(chǎn)量與獲利之王，但卻不一定是NAND制程技術的領先者。

在多層單元(multilayercell)制造技術上，三星的起步較晚，但現(xiàn)在該公司已經(jīng)同時具備3x納米與2x納米技術能力；三星2011年將邁入27納米制程節(jié)點，將讓產(chǎn)品成本比3x納米制程降低35%。此外該公司也預期，到2010年底，3x納米制程將可微縮至80%以下。

4.要感謝東芝…

由于先前的東芝廠停電問題，NAND閃存明年第一季的價格可望上揚，也許幅度不是很大，但至少有助于該市場在2011年1~2的維持價格穩(wěn)定；該停電事件大約讓生產(chǎn)在線20%的產(chǎn)品受到影響。

5.東芝平板裝置效應？

東芝目前正積極量產(chǎn)32/24納米制程，也發(fā)表了自有品牌的平板裝置；該公司是在2010年8月開始量產(chǎn)24奈米制程，其7月份開始興建的新晶圓廠Y5將在明年春天就緒。不過該廠并不像英特爾(Intel)的18吋晶圓廠D1X，不支持EUV微影設備。

6.海力士再起

海力士一直以來都遭遇棘手的良率問題，包括在6x納米與4x納米制程節(jié)點，但該公司最近的良率已經(jīng)大幅改善，在3x納米與2x納米領域甚至晉身領導級廠商；其逆境求生的本能與優(yōu)良的管理策略令人驚艷。

目前海力士正在進行3x納米制程的轉(zhuǎn)換，接下來很快就會邁進2x納米制程，時程約在2011年中；該公司2010年的產(chǎn)能可望增加30kwspm，2011年估計將再成長3萬片，不過得看他們是否能在衰弱的財務狀況中，拿出額外的資本支出。

7.美光力爭上游(不包括英特爾)

最近美光公布2011年資本支出規(guī)模約在24~29億美元之間，其中有三分之二是花在IMFlash新加坡(IMFS)的量產(chǎn)；該公司計劃在2011年底將IMFS的產(chǎn)能再提升六成，達到10萬片晶圓的月產(chǎn)能。

美光與英特爾在IMFS的持股本來各半，前者最近將持股比例提升到71%；IMFS采用的是2位MLC架構，應該優(yōu)于東芝與三星所開發(fā)的3位MLC。美光預期在2011年完成轉(zhuǎn)換至25奈米制程。