[導讀]三星電子(SamsungElectronics)宣布，2011年將開始量產較既有快閃存儲器(NANDFlash)速度快10倍的次世代NANDFlash。2011年開始量產后，采用該產品的智能型手機(Smartphone)、平板計算機(TabletPC)中所儲存的影片、照片
三星電子(SamsungElectronics)宣布，2011年將開始量產較既有快閃存儲器(NANDFlash)速度快10倍的次世代NANDFlash。2011年開始量產后，采用該產品的智能型手機(Smartphone)、平板計算機(TabletPC)中所儲存的影片、照片、音樂等再生速度將更上一層樓。
三星近期已完成可支持400Mbps資料處理速度的ToggleDDR2.0規(guī)格NANDFlash開發(fā)作業(yè)，并計劃于2011年投入量產。三星計劃20奈米制程以下的NANDFlash產品將全部采用ToggleDDR2.0技術。
ToggleDDR2.0NANDFlash較既有的SDRNANDFlash信息處理速度40Mbps快10倍，達400Mbps，也較處理速度133Mbps的ToggleDDR1.0高速NANDFlash快3倍。
三星在量產的同時，為使此規(guī)格能成為市場標準，也向JEDEC申請標準登記，2011年初可完成登記作業(yè)。此外日本東芝(Toshiba)也決定將參與ToggleDDR2.0的標準化作業(yè)。
半導體事業(yè)部存儲器策略營銷副社長全東守表示，三星2009年11月初量產30奈米制程高速NANDFlash等持續(xù)主導高效能NANDFlash市場成長。未來搭載高速NANDFlash的4代智能型手機、平板計算機、固態(tài)硬碟(SSD)等各種產品的需求將會大幅增加，并帶動NANDFlash市場成長。
三星近期已完成可支持400Mbps資料處理速度的ToggleDDR2.0規(guī)格NANDFlash開發(fā)作業(yè)，并計劃于2011年投入量產。三星計劃20奈米制程以下的NANDFlash產品將全部采用ToggleDDR2.0技術。
ToggleDDR2.0NANDFlash較既有的SDRNANDFlash信息處理速度40Mbps快10倍，達400Mbps，也較處理速度133Mbps的ToggleDDR1.0高速NANDFlash快3倍。
三星在量產的同時，為使此規(guī)格能成為市場標準，也向JEDEC申請標準登記，2011年初可完成登記作業(yè)。此外日本東芝(Toshiba)也決定將參與ToggleDDR2.0的標準化作業(yè)。
半導體事業(yè)部存儲器策略營銷副社長全東守表示，三星2009年11月初量產30奈米制程高速NANDFlash等持續(xù)主導高效能NANDFlash市場成長。未來搭載高速NANDFlash的4代智能型手機、平板計算機、固態(tài)硬碟(SSD)等各種產品的需求將會大幅增加，并帶動NANDFlash市場成長。
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