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[導(dǎo)讀]鄭茜文/臺(tái)北 整合元件廠(IDM)積極布局大陸市場(chǎng),為降低成本就近生產(chǎn),部分IDM選擇直接釋單給大陸當(dāng)?shù)鼐A廠,由于臺(tái)廠在大陸僅放行到0.13微米制程,因此,不少奈米級(jí)制程訂單轉(zhuǎn)到大陸晶圓廠中芯國(guó)際,讓近期中芯來(lái)自

鄭茜文/臺(tái)北 整合元件廠(IDM)積極布局大陸市場(chǎng),為降低成本就近生產(chǎn),部分IDM選擇直接釋單給大陸當(dāng)?shù)鼐A廠,由于臺(tái)廠在大陸僅放行到0.13微米制程,因此,不少奈米級(jí)制程訂單轉(zhuǎn)到大陸晶圓廠中芯國(guó)際,讓近期中芯來(lái)自于IDM訂單大增,未來(lái)恐影響臺(tái)積電與聯(lián)電在大陸競(jìng)爭(zhēng)力。

半導(dǎo)體業(yè)者指出,過(guò)去IDM在大陸投資設(shè)廠主要以封測(cè)為主,由于投資晶圓廠風(fēng)險(xiǎn)太大,隨著大陸內(nèi)需市場(chǎng)擴(kuò)大,IDM希望能搶食這塊大餅,因而積極與大陸當(dāng)?shù)鼐A代工廠合作,近期中芯便接獲許多IDM轉(zhuǎn)單,由于目前臺(tái)積電上海松江廠與聯(lián)電轉(zhuǎn)投資和艦受限于政府規(guī)范,僅有0.13微米以上成熟制程,讓許多90及65奈米制程訂單轉(zhuǎn)向中芯。

盡管IDM或中芯對(duì)此都相當(dāng)?shù)驼{(diào),但大陸半導(dǎo)體業(yè)者表示,中芯在2010年總算終結(jié)虧損命運(yùn),營(yíng)運(yùn)出現(xiàn)起色,并開(kāi)始量產(chǎn)65奈米制程,目前已有15個(gè)設(shè)計(jì)定案(tape-out),其中一半是大陸客戶(hù),中芯預(yù)計(jì)2011年下半量產(chǎn)45/40奈米制程,加速拉近與臺(tái)積電、聯(lián)電的競(jìng)爭(zhēng)距離。對(duì)于中芯來(lái)說(shuō),三星電子(Samsung Electronics)并非可畏的對(duì)手,其目標(biāo)在于搶下全球第2寶座。

半導(dǎo)體業(yè)者指出,中芯于2011年啟動(dòng)為期5年的「三級(jí)跳」計(jì)畫(huà),將大幅擴(kuò)充! 12吋晶圓產(chǎn)能,預(yù)計(jì)于2015年12吋年產(chǎn)能將達(dá)200萬(wàn)片,屆時(shí)年?duì)I收將達(dá)50億美元。根據(jù)計(jì)畫(huà),中芯第1= 跳躍在2011年,將擴(kuò)充北京一廠65/55奈米產(chǎn)能;第2個(gè)跳躍在2011~2012年,快速擴(kuò)充上海廠45/40奈米產(chǎn)能;第3個(gè)跳躍則是在2013~2014年,量產(chǎn)32奈米高介電質(zhì)金屬閘(HKMG)制程,屆時(shí)中芯制程技術(shù)將提升到32/28奈米。

此外,為同步服務(wù)IC設(shè)計(jì)商,中芯亦加大矽智財(cái)(IP)投資力道,2010年中芯在IP方面投資金額,便超越過(guò)去3年的總和。半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為,以該計(jì)畫(huà)來(lái)看,顯見(jiàn)中芯執(zhí)行長(zhǎng)王寧國(guó)極具雄心,待中芯奈米級(jí)制程更加成熟,除大陸本土IC設(shè)計(jì)客戶(hù),IDM廠亦將擴(kuò)大投片中芯,對(duì)臺(tái)積電與聯(lián)電在大陸布局造成威脅。不過(guò),大陸政府是否愿意長(zhǎng)期資金奧援,讓中芯能完成5年大計(jì),后續(xù)仍需觀察。


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