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臺(tái)積買力晶地蓋2座12寸廠

時(shí)間：2011-01-13 06:36:00

關(guān)鍵字：臺(tái)積電 FAB 英偉達(dá) 處理器

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[導(dǎo)讀]晶圓代工龍頭臺(tái)積電（2330）昨（12）日正式宣布，以新臺(tái)幣29億元價(jià)格，買下力晶（5346）位于竹科內(nèi)園區(qū)三路、五路的12寸廠興建中基礎(chǔ)工程，包括力晶P4廠鋼骨建物及P5廠建廠用地等。臺(tái)積電規(guī)劃在當(dāng)?shù)嘏d建2座12寸

晶圓代工龍頭臺(tái)積電（2330）昨（12）日正式宣布，以新臺(tái)幣29億元價(jià)格，買下力晶（5346）位于竹科內(nèi)園區(qū)三路、五路的12寸廠興建中基礎(chǔ)工程，包括力晶P4廠鋼骨建物及P5廠建廠用地等。

臺(tái)積電規(guī)劃在當(dāng)?shù)嘏d建2座12寸廠，并與竹科12寸廠Fab12的第4期及第5期串聯(lián)在一起，未來(lái)臺(tái)積電Fab12超大型晶圓廠（GigaFab）月產(chǎn)能將達(dá)25萬(wàn)片以上。

力晶完成該筆交易之下，帳面虧損4.18億元，預(yù)計(jì)第一筆金額會(huì)在本月入帳，之后再按照作業(yè)程序分批認(rèn)列。力晶獲得賣廠資金奧援，并確立未來(lái)幾年不蓋新廠，而是以舊生產(chǎn)線升級(jí)的方式擴(kuò)產(chǎn)，未來(lái)將會(huì)積極處分閑置資產(chǎn)。

臺(tái)積電今年在40奈米及28奈米訂單需求強(qiáng)勁，尤其是應(yīng)用在智慧型手機(jī)及平板電腦中的ARM架構(gòu)處理器，包括高通Snapdragon、英偉達(dá)Tegra2、美滿科技Armada、飛思卡爾iMX等，均在臺(tái)積電投片下單。此外，英偉達(dá)及超微今年下半年就要開(kāi)始導(dǎo)入28奈米量產(chǎn)新世代繪圖晶片，而超微今年底也將開(kāi)始投片生產(chǎn)28奈米加速處理器，均會(huì)吃掉臺(tái)積電大量產(chǎn)能。

臺(tái)積電雖然在中科興建12寸廠Fab15，并同步擴(kuò)充竹科Fab12及南科Fab14等地12寸廠產(chǎn)能，但仍不足以因應(yīng)客戶端強(qiáng)勁需求，所以去年底透過(guò)竹科管理局向力晶釋出買廠意愿，希望能夠買下力晶12寸廠P4建物及P5建地。而臺(tái)積電昨日正式宣布，以29億元價(jià)格買下力晶位于竹科內(nèi)園區(qū)三路、五路的P4及P5等2座12寸廠興建中基礎(chǔ)工程。

據(jù)了解，臺(tái)積電原本與力晶談定了32億元價(jià)格，但臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀去年底親自前往力晶南京東路辦公室，與力晶董事長(zhǎng)黃崇仁協(xié)商，最后敲定以29億元價(jià)格成交。

臺(tái)積電竹科12寸廠Fab12的第4期及第5期工程，已經(jīng)陸續(xù)完工量產(chǎn)，并開(kāi)始以40奈米及28奈米進(jìn)行投片。臺(tái)積電去年第3季時(shí)已取得世界先進(jìn)當(dāng)初在園區(qū)三路、五路預(yù)訂的建廠土地，將用來(lái)興建Fab12的第6期工程，如今再取得力晶的P4建物及P5用地，未來(lái)臺(tái)積電Fab12超大型晶圓廠月產(chǎn)能將達(dá)25萬(wàn)片以上。

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