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英飛凌擬改12寸晶圓量產(chǎn)

時(shí)間：2010-12-29 08:15:00

關(guān)鍵字：晶圓英飛凌 MOSFET 功率半導(dǎo)體

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[導(dǎo)讀]繼德州儀器(TI)積極導(dǎo)入12寸晶圓廠以擴(kuò)大類(lèi)比市場(chǎng)占有率后，在電源晶片市場(chǎng)同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動(dòng)12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計(jì)劃，希望將電源晶片的生產(chǎn)由目前8寸廠升級(jí)至12寸廠，以因應(yīng)市場(chǎng)持續(xù)高漲的節(jié)

繼德州儀器(TI)積極導(dǎo)入12寸晶圓廠以擴(kuò)大類(lèi)比市場(chǎng)占有率后，在電源晶片市場(chǎng)同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動(dòng)12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計(jì)劃，希望將電源晶片的生產(chǎn)由目前8寸廠升級(jí)至12寸廠，以因應(yīng)市場(chǎng)持續(xù)高漲的節(jié)能需求，并鞏固既有市場(chǎng)地位。

臺(tái)灣英飛凌副總裁暨執(zhí)行董事詹啟祥指出，超接面MOSFET將是未來(lái)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的主流。

臺(tái)灣英飛凌副總裁暨執(zhí)行董事詹啟祥表示，該公司已在奧地利展開(kāi)12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)工作，主要將用于超接合(SuperJunction)技術(shù)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)電晶體(MOSFET)等功率半導(dǎo)體元件的生產(chǎn)，一旦相關(guān)發(fā)展成熟后，將可移植至馬來(lái)西亞的晶圓廠進(jìn)行量產(chǎn)。

由于超接面MOSFET可較傳統(tǒng)平面式(Planar)MOSFET在相同尺寸的裸晶(Die)上實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻與切換損失，進(jìn)而提升每單位面積的功率密度，因此，在節(jié)能意識(shí)抬頭的市場(chǎng)環(huán)境中，重要性與日俱增，產(chǎn)品滲透率也節(jié)節(jié)攀升。

不過(guò)，與平面式MOSFET相比，目前超接面MOSFET產(chǎn)品價(jià)格仍偏高，所以英飛凌所推行的12寸晶圓量產(chǎn)計(jì)劃，將有助進(jìn)一步降低超接面MOSFET成本，為該市場(chǎng)的起飛預(yù)先作好準(zhǔn)備。詹啟祥分析，盡管目前傳統(tǒng)平面式MOSFET的市場(chǎng)規(guī)模仍占大宗，但未來(lái)超接面MOSFET方案將會(huì)快速放量成長(zhǎng)，兩者將呈現(xiàn)明顯的消長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

位于奧地利菲拉赫(Villach)的英飛凌奧地利分公司，是英飛凌極為重要的研發(fā)和制造中心，規(guī)模僅次于德國(guó)總部與馬來(lái)西亞分公司，專(zhuān)精于應(yīng)用在汽車(chē)和工業(yè)暨多重市場(chǎng)的能源效率方案開(kāi)發(fā)，并致力以低轉(zhuǎn)換損失的功率半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的微型化和高能效發(fā)展;此外，感測(cè)器和非接觸式安全晶片亦是另一研發(fā)重點(diǎn)。

詹啟祥強(qiáng)調(diào)，歷經(jīng)有線(xiàn)與無(wú)線(xiàn)事業(yè)部門(mén)的切割后，現(xiàn)今的英飛凌已處于最佳的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，產(chǎn)品組合也更為聚焦，尤其是功率半導(dǎo)體、絕緣柵雙極電晶體(IGBT)及碳化矽(SiC)蕭特基二極體等方案，更是該公司最自豪的優(yōu)勢(shì)，對(duì)汽車(chē)和工業(yè)暨多重市場(chǎng)的拓展，將是莫大的助益。

據(jù)了解，英飛凌于2010年會(huì)計(jì)年度的研發(fā)費(fèi)用高達(dá)3億9,900萬(wàn)歐元，占總體營(yíng)收比重的25%，較2009年會(huì)計(jì)年度的1億9,500萬(wàn)歐元(占總營(yíng)收約22%)大幅攀升。

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