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臺(tái)積電積極擴(kuò)產(chǎn) 通過新臺(tái)幣812.6億元資本預(yù)算

時(shí)間：2010-11-10 07:37:00

關(guān)鍵字：臺(tái)積電 FAB 封裝芯片

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[導(dǎo)讀]晶圓代工龍頭臺(tái)積電積極擴(kuò)充產(chǎn)能，9日董事會(huì)通過約新臺(tái)幣812.6億元的資本預(yù)算，用以擴(kuò)充12吋制程、先進(jìn)制程與特殊制程產(chǎn)能，以及2011年逾8億美元的研發(fā)預(yù)算，并且也通過對(duì)歐洲子公司進(jìn)行增資。?臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀看

晶圓代工龍頭臺(tái)積電積極擴(kuò)充產(chǎn)能，9日董事會(huì)通過約新臺(tái)幣812.6億元的資本預(yù)算，用以擴(kuò)充12吋制程、先進(jìn)制程與特殊制程產(chǎn)能，以及2011年逾8億美元的研發(fā)預(yù)算，并且也通過對(duì)歐洲子公司進(jìn)行增資。

臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀看好半導(dǎo)體后市，他預(yù)估2011年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將成長(zhǎng)5%，晶圓代工產(chǎn)業(yè)將成長(zhǎng)14%，至于臺(tái)積電成長(zhǎng)幅度將高于整體晶圓代工產(chǎn)業(yè)。張忠謀日前也指出，為滿足客戶需求，臺(tái)積電2011年資本支出將高于(greater than)2010年的59億美元。

臺(tái)積電9日舉行董事會(huì)，會(huì)中通過3項(xiàng)資本預(yù)算。首先，投入18.8億美元(約新臺(tái)幣566.63億元)，以建立晶圓15廠的試產(chǎn)線(Mini-lines)，并擴(kuò)充先進(jìn)制程及12吋晶圓級(jí)芯片尺寸封裝(Wafer-Level Chip-Scale Packaging；WLCSP)產(chǎn)能，與特殊制程產(chǎn)能。其次，2011年研發(fā)及經(jīng)常性資本預(yù)算8億376萬(wàn)美元(約新臺(tái)幣242.02億元)，較2009年增加14%。最后，核準(zhǔn)對(duì)TSMC Solar Europe B.V.增資940萬(wàn)歐元(約新臺(tái)幣3.94億元)。

臺(tái)積電中科晶圓15廠7月中才正式動(dòng)土，為臺(tái)積電旗下第3座12吋超大型晶圓廠，預(yù)計(jì)于2011年6月開始裝機(jī)，于2012年首季進(jìn)行28奈米制程的量產(chǎn)。

臺(tái)積電規(guī)劃Fab 15單月產(chǎn)能可望達(dá)到10逾萬(wàn)片，未來(lái)將陸續(xù)投入3,000億元的資金，將導(dǎo)入40奈米制程與28奈米制程技術(shù)，未來(lái)也將進(jìn)行20奈米制程的研發(fā)。

為因應(yīng)客戶需求，除Fab 15外，臺(tái)積電也不斷進(jìn)行竹科Fab12與南科Fab 14兩座超大型晶圓廠的產(chǎn)能擴(kuò)充，目前Fab 12與Fab 14合計(jì)月產(chǎn)能產(chǎn)能已超過20萬(wàn)片，預(yù)計(jì)年底將擴(kuò)充至24萬(wàn)片。

另外，在18.8億美元中也有部分將投入建置晶圓級(jí)芯片尺寸封裝產(chǎn)能。臺(tái)積電指出，由于越先進(jìn)的制程，芯片制程與封裝需要更緊密的配合，因此擴(kuò)充封裝產(chǎn)能。

在特殊制程方面，臺(tái)積電日前也指出，2010年特殊制程需求強(qiáng)勁，成長(zhǎng)較往年來(lái)的快速，2010年來(lái)貢獻(xiàn)約52%的成長(zhǎng)，例如在車用電子或微控制器(MCU)方面都有大幅的貢獻(xiàn)。

值得注意的是，此次臺(tái)積電也通過對(duì)TSMC Solar Europe B.V.增資940萬(wàn)歐元。目前TSMC Solar Europe B.V.負(fù)責(zé)臺(tái)積電太陽(yáng)能歐洲的銷售與支持服務(wù)業(yè)務(wù)，臺(tái)積電此舉增資，也是看好德國(guó)等歐洲國(guó)家太陽(yáng)能市場(chǎng)后市，因此進(jìn)行投資。

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或?qū)⑸a(chǎn)先進(jìn)制程工藝，臺(tái)積電在日本擴(kuò)充產(chǎn)能

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