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[導讀]臺積電昨(9)日舉行季度例行性董事會,會中通過核準約18.8億美元資本支出預算,將用來興建位于中科12吋晶圓廠Fab15的試產線,擴充先進制程產能,以及增加12吋晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)等產能。 此外,臺積電

臺積電昨(9)日舉行季度例行性董事會,會中通過核準約18.8億美元資本支出預算,將用來興建位于中科12吋晶圓廠Fab15的試產線,擴充先進制程產能,以及增加12吋晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)等產能。

此外,臺積電也核準2011年研發(fā)及經常性資本預算8.0376億美元,及對歐洲太陽能電池子公司TSMC Solar Europe B.V.增資940萬歐元。

臺積電今年資本支出預計為59億美元,但今年5月、8月、11月等3次例行性董事會,通過核準的資本支出預算已超過66億美元,顯示部份資本預算花費時間將延至明年,符合臺積電董事長張忠謀日前提及,明年資本支出將高于今年。

臺積電昨日董事會,核準動用18.809億美元資本預算,用以建立位于中科12吋晶圓廠Fab15的試產線(Mini-lines),擴充先進制程及12吋晶圓級芯片尺寸封裝產能,也會同時增加特殊制程產能。另外,臺積電也核準2011年研發(fā)及經常性資本預算達8.0376億美元。

臺積電今年大幅擴充產能,今年全年晶圓產能將達1,132.9萬片8吋約當晶圓,較去年增加14%,其中0.13微米以下先進制程產能則較去年大幅增加37%。設備商表示,臺積電明年資本支出有機會上看65億美元歷史新高,中科12吋廠Fab15也可望在明年底投產,竹科12吋廠Fab12及南科12吋廠Fab14擴產速度加快,明年先進制程產能可望較今年再增加35%至40%。

設備商表示,繪圖芯片雙雄英偉達(NVIDIA)及超威(AMD)陸續(xù)推出40奈米新產品,對臺積電投片下單維持高檔,加上超威40奈米加速處理器Ontario及Zacate也在本季擴大投片,臺積電先進制程仍供不應求,加上28奈米訂單已陸續(xù)到位,所以才會更積極擴大資本支出擴產。



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