佳能MJ將在日本銷售MEMS犧牲層用干蝕刻機,Point 35公司制造
[導讀]日本佳能營銷（佳能MJ）將從7月28日開始在日本銷售在MEMS制造工序中形成立體構造時所需的犧牲層去除用枚葉式干蝕刻裝置“memsstar”。該裝置由英國Point 35 Microstructures公司制造，目前佳能MJ已與Point 35簽訂了在
日本佳能營銷（佳能MJ）將從7月28日開始在日本銷售在MEMS制造工序中形成立體構造時所需的犧牲層去除用枚葉式干蝕刻裝置“memsstar”。該裝置由英國Point 35 Microstructures公司制造，目前佳能MJ已與Point 35簽訂了在日本的銷售合同。
在實現MEMS的立體構造時需要犧牲層。比如，通過在犧牲層上進行目標材料的成膜和蝕刻處理，去除犧牲層，便可實現立體構造。用于去除犧牲層的蝕刻處理以往普遍采用通過化學藥劑進行蝕刻的濕蝕刻方式。但是，隨著MEMS向微細化和高集成化發(fā)展，出現了在濕蝕刻及其之后的干燥工序中立體構造的圖案貼在一起的問題。為了解決這一問題，業(yè)界開始了向借助與氣體之間的化學反應來去除犧牲層的干蝕刻過渡。
佳能MJ在日本銷售的memsstar采用該干蝕刻方式，并導入了逐片處理晶圓的枚葉方式，以及可連續(xù)進行犧牲層的去除和立體構造的表面涂裝處理的功能，提高了產生效率及工藝性能。比如在生產效率方面，“與原來的干蝕刻裝置相比，有時可實現數倍的蝕刻速度”（佳能MJ）。另外，由于采用了枚葉方式，因此處理工藝的靈活性出色，處理時間也很短。
在裝置的構成上，具備可分別處理氧化膜類和硅（Si）類兩類犧牲層的兩個蝕刻腔室，以及用于使形成的立體結構表面具有斥水性和疎水性的涂裝處理的腔室，上述合計共3個腔室。蝕刻腔室和涂裝腔室可通過搬運模塊連接，能夠在不暴露于外部空氣的情況下連續(xù)進行蝕雕和涂裝處理。
memsstar的價格為5000萬日元～1億5000萬日元（不含稅，價格因裝置配置而異）。佳能MJ以往在MEMS制造裝置方面主要銷售硅深蝕刻裝置。佳能MJ表示，將通過在以往銷售的裝置中追加此次的犧牲膜蝕刻裝置，為用戶提供更廣泛的MEMS解決方案。（記者：長廣 恭明）
在實現MEMS的立體構造時需要犧牲層。比如，通過在犧牲層上進行目標材料的成膜和蝕刻處理，去除犧牲層，便可實現立體構造。用于去除犧牲層的蝕刻處理以往普遍采用通過化學藥劑進行蝕刻的濕蝕刻方式。但是，隨著MEMS向微細化和高集成化發(fā)展，出現了在濕蝕刻及其之后的干燥工序中立體構造的圖案貼在一起的問題。為了解決這一問題，業(yè)界開始了向借助與氣體之間的化學反應來去除犧牲層的干蝕刻過渡。
佳能MJ在日本銷售的memsstar采用該干蝕刻方式，并導入了逐片處理晶圓的枚葉方式，以及可連續(xù)進行犧牲層的去除和立體構造的表面涂裝處理的功能，提高了產生效率及工藝性能。比如在生產效率方面，“與原來的干蝕刻裝置相比，有時可實現數倍的蝕刻速度”（佳能MJ）。另外，由于采用了枚葉方式，因此處理工藝的靈活性出色，處理時間也很短。
在裝置的構成上，具備可分別處理氧化膜類和硅（Si）類兩類犧牲層的兩個蝕刻腔室，以及用于使形成的立體結構表面具有斥水性和疎水性的涂裝處理的腔室，上述合計共3個腔室。蝕刻腔室和涂裝腔室可通過搬運模塊連接，能夠在不暴露于外部空氣的情況下連續(xù)進行蝕雕和涂裝處理。
memsstar的價格為5000萬日元～1億5000萬日元（不含稅，價格因裝置配置而異）。佳能MJ以往在MEMS制造裝置方面主要銷售硅深蝕刻裝置。佳能MJ表示，將通過在以往銷售的裝置中追加此次的犧牲膜蝕刻裝置，為用戶提供更廣泛的MEMS解決方案。（記者：長廣 恭明）
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