[導讀]東芝成功形成了14nm半間距(HP,Half Pitch)圖案的照片在“Photomask Japan 2010”(4月13日~15日在太平洋橫濱會展中心舉行)的海報展上公開。系采用現(xiàn)有的EUV裝置,以雙重圖形制作工藝試制而成。
東芝的相關人
東芝成功形成了14nm半間距(HP,Half Pitch)圖案的照片在“Photomask Japan 2010”(4月13日~15日在太平洋橫濱會展中心舉行)的海報展上公開。系采用現(xiàn)有的EUV裝置,以雙重圖形制作工藝試制而成。
東芝的相關人士稱,因來不及報名Photomask Japan 2010的演講,只公開了一張投影。東芝預定在其他學會等發(fā)布,雖然不清楚詳情,但似為一次曝光兩次蝕刻工藝。
人們普遍認為,EUV用裝置的價格高于ArF用裝置。如果能通過雙重圖形制作工藝延長裝置壽命,則有望提高競爭力。(記者:小島 郁太郎)
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東芝
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在過去的幾個月里,東芝一直想推行戰(zhàn)略重組計劃,不過再次遇到挫折,近日遭到了過半數(shù)股東反對而被否決。鑒于東芝未來經(jīng)營改革方針走向不明,外資大股東傾向于讓東芝私有化退市。
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EUV
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三星
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關鍵字:
JSR
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ASML
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