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[導讀]東芝成功形成了14nm半間距(HP,Half Pitch)圖案的照片在“Photomask Japan 2010”(4月13日~15日在太平洋橫濱會展中心舉行)的海報展上公開。系采用現(xiàn)有的EUV裝置,以雙重圖形制作工藝試制而成。 東芝的相關人

東芝成功形成了14nm半間距(HP,Half Pitch)圖案的照片在“Photomask Japan 2010”(4月13日~15日在太平洋橫濱會展中心舉行)的海報展上公開。系采用現(xiàn)有的EUV裝置,以雙重圖形制作工藝試制而成。

東芝的相關人士稱,因來不及報名Photomask Japan 2010的演講,只公開了一張投影。東芝預定在其他學會等發(fā)布,雖然不清楚詳情,但似為一次曝光兩次蝕刻工藝。

人們普遍認為,EUV用裝置的價格高于ArF用裝置。如果能通過雙重圖形制作工藝延長裝置壽命,則有望提高競爭力。(記者:小島 郁太郎)


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