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[導讀]愛發(fā)科在730mm×920mm的大尺寸底板整個表面上制成了多個In-Ga-Zn-O(IGZO)透明非結(jié)晶氧化物半導體TFT(IGZO-TFT),并獲得了出色的晶體管特性。該底板由多個硅底板構(gòu)成,尺寸與第4代玻璃底板相當。愛發(fā)科今后還計劃

愛發(fā)科在730mm×920mm的大尺寸底板整個表面上制成了多個In-Ga-Zn-O(IGZO)透明非結(jié)晶氧化物半導體TFT(IGZO-TFT),并獲得了出色的晶體管特性。該底板由多個硅底板構(gòu)成,尺寸與第4代玻璃底板相當。愛發(fā)科今后還計劃“確立一項新技術(shù),即在相當于第8代以后玻璃底板的2000mm見方以上的底板上形成IGZO-TFT”。該公司在第57屆應(yīng)用物理學相關(guān)聯(lián)合演講會(東海大學湘南校區(qū),2010年3月17~20日)上公布了此次的成果(演講序號:17a-TL-5)。

愛發(fā)科此次在730mm×920mm底板的整個表面制成了6~25個IGZO-TFT,并測量了這些TFT的特性。制成的IGZO-TFT的柵長為0.1mm,柵寬為1mm,構(gòu)成材料方面,通道采用IGZO,柵極絕緣膜采用SiO2,源漏電極采用Al。IGZO通道成膜時采用了該公司此前用于大尺寸玻璃底板成膜的AC(交流)濺射法。IGZO成膜后,在400℃條件下進行15分鐘的退火處理。

驗證結(jié)果顯示,底板上的任何位置都可獲得出色的TFT特性。平均特性方面,載流子遷移率為7cm2/Vs,亞閾值(S值)為0.15mV/十位,導通/截止比為10。此外,愛發(fā)科還表示,IGZO成膜時采用的AC濺射法的經(jīng)時穩(wěn)定性較高。據(jù)介紹,在同一靶材上堆積180μm厚IGZO膜前后,制成的IGZO-TFT的特性并沒有很大變化。另外,此次用于AC濺射法的靶材由愛發(fā)科內(nèi)部制造。

愛發(fā)科今后還考慮以支持更大尺寸的底板為目標,在改進AC濺射法及活性氣體導入法的同時,還將確立大尺寸靶材的制造方法。(記者:大下 淳一)



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