GlobalFoundries：下半年直接兩級跳，28/32nm制程同開HKMG
自去年10月份宣布結(jié)成合作關(guān)系之后，GlobalFoundries與ARM公司近日又公布了用于制作ARM公司無線芯片產(chǎn)品的兩種28nm制程的更多 細節(jié)，據(jù)稱這種芯片是一種基于Coretex-A9核心的SOC移動芯片產(chǎn)品。雙方還表示將在移動世界會議上（Mobile World Congress）展示GlobalFoundries的28nm HKMG制程技術(shù)的細節(jié)。
根據(jù)雙方的介紹，GlobalFoundries將使用兩種不同的28nm制程工藝為ARM公司生產(chǎn)無線產(chǎn)品，其一是28nm超低功耗制程，其二是28nm高性能制程，兩種制程中均將使用HKMG技術(shù)。
GlobalFoundries表示他們將于今年下半年在位于德累斯頓的Fab1工廠開始使用28nm高性能制程來生產(chǎn)ARM公司的芯片產(chǎn)品；而面向移動應(yīng)用的28nm超低功耗制程則將于明年年初開始投產(chǎn)。
與已經(jīng)將32nm制程技術(shù)（采用第二代Gate-last HKMG技術(shù)）推向市場，并且已經(jīng)在45nm制程節(jié)點實現(xiàn)Gate-last HKMG技術(shù)的Intel相比，GlobalFoundries目前正在努力推進其SOI制程的32nm化，他們計劃于今年年中將32nm SOI制程的產(chǎn)品推向市場，值得注意的是，這次的28/32nm節(jié)點是GlobalFoundries首次在其實際產(chǎn)品中實現(xiàn)Gate-first HKMG技術(shù)，之前的45nm制程雖然也采用了High-k柵絕緣層，但是柵極材料仍然使用硅而不是金屬制作。
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關(guān)鍵字： ARM
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