在SiC及GaN等新一代功率半導體領域，以韓國和中國為代表的亞洲企業(yè)的實力不斷增強。不僅是元件及模塊，零部件領域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導體國際學會“ICSCRM2013”(日本宮崎縣PhoenixSeagaiaResort)上，最近開始擴大SiC晶圓業(yè)務的亞洲企業(yè)紛紛出展。
山東天岳先進材料科技有限公司(SICC)展出了將從2014年4月開始對外銷售的直徑2～4英寸(50mm～100mm)的SiC裸晶圓。該公司當前的目標是，憑借SiC晶圓的品質“進入僅次于科銳和新日鐵住金等的第三陣營”(日本銷售代理商Ostech)。天岳表示，“我們在8個國家擁有客戶”，除了中國的元件廠商外，日本企業(yè)也開始對該公司的SiC晶圓進行測評。
天岳目前還在開發(fā)6英寸(150mm)晶圓，預定2015年底之前實現(xiàn)量產(chǎn)化，此外還打算在2016年之前使在裸晶圓上生長外延膜的外延晶圓實現(xiàn)產(chǎn)品化。據(jù)該公司介紹，中國“很多元件廠商都打算涉足SiC功率半導體業(yè)務”。