明年量產(chǎn)20納米NAND Flash
[導(dǎo)讀]海力士社長權(quán)五哲表示，自2010年8月投入量產(chǎn)的26納米64Gb NAND Flash目前出貨相當(dāng)順利。2011年中計(jì)劃量產(chǎn)20納米制程產(chǎn)品。海力士持續(xù)引領(lǐng)DRAM產(chǎn)品制程微縮趨勢(shì)，然而NAND Flash產(chǎn)品技術(shù)方面在過去1、2年落后其它競(jìng)爭(zhēng)
海力士社長權(quán)五哲表示，自2010年8月投入量產(chǎn)的26納米64Gb NAND Flash目前出貨相當(dāng)順利。2011年中計(jì)劃量產(chǎn)20納米制程產(chǎn)品。海力士持續(xù)引領(lǐng)DRAM產(chǎn)品制程微縮趨勢(shì)，然而NAND Flash產(chǎn)品技術(shù)方面在過去1、2年落后其它競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者，但開始量產(chǎn)26納米NAND Flash之后，相信技術(shù)方面與其它先驅(qū)企業(yè)間的差距已大幅縮減。
海力士在30納米制程N(yùn)AND Flash開發(fā)及量產(chǎn)上雖然較其它競(jìng)爭(zhēng)公司晚了近6個(gè)月，但推出26納米產(chǎn)品后則將差距縮減至1季。外界也期待海力士是否能與其它競(jìng)爭(zhēng)公司在相近的時(shí)期中推出20納米產(chǎn)品。
海力士2010年第2季末32納米以下NAND Flash產(chǎn)品比重約占整體產(chǎn)品30%，8月量產(chǎn)26納米產(chǎn)品后，第3季末產(chǎn)品比重已超越50%。第4季則將可望達(dá)到70%。
海力士2007年NAND Flash產(chǎn)品占有率約19%，其后市場(chǎng)萎縮，接連關(guān)閉NAND Flash主要產(chǎn)線8寸廠，2010年第1季時(shí)市占率已下滑至個(gè)位數(shù)。
以12寸廠為基準(zhǔn)，三星電子(Samsung Electronics)每月產(chǎn)量30萬片、日廠東芝(Toshiba)每月產(chǎn)量24萬片，海力士目前每月產(chǎn)量僅7萬片。海力士計(jì)劃年底前將產(chǎn)能擴(kuò)大至8 萬片，但權(quán)五哲對(duì)于擴(kuò)大NAND Flash投資方面則慎重表示，將會(huì)綜合考量市場(chǎng)條件和競(jìng)爭(zhēng)力等因素后，再進(jìn)行投資。2011年投資金額目前尚未底定。
海力士在30納米制程N(yùn)AND Flash開發(fā)及量產(chǎn)上雖然較其它競(jìng)爭(zhēng)公司晚了近6個(gè)月，但推出26納米產(chǎn)品后則將差距縮減至1季。外界也期待海力士是否能與其它競(jìng)爭(zhēng)公司在相近的時(shí)期中推出20納米產(chǎn)品。
海力士2010年第2季末32納米以下NAND Flash產(chǎn)品比重約占整體產(chǎn)品30%，8月量產(chǎn)26納米產(chǎn)品后，第3季末產(chǎn)品比重已超越50%。第4季則將可望達(dá)到70%。
海力士2007年NAND Flash產(chǎn)品占有率約19%，其后市場(chǎng)萎縮，接連關(guān)閉NAND Flash主要產(chǎn)線8寸廠，2010年第1季時(shí)市占率已下滑至個(gè)位數(shù)。
以12寸廠為基準(zhǔn)，三星電子(Samsung Electronics)每月產(chǎn)量30萬片、日廠東芝(Toshiba)每月產(chǎn)量24萬片，海力士目前每月產(chǎn)量僅7萬片。海力士計(jì)劃年底前將產(chǎn)能擴(kuò)大至8 萬片，但權(quán)五哲對(duì)于擴(kuò)大NAND Flash投資方面則慎重表示，將會(huì)綜合考量市場(chǎng)條件和競(jìng)爭(zhēng)力等因素后，再進(jìn)行投資。2011年投資金額目前尚未底定。
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Flash Memory 是一種非易失性的存儲(chǔ)器。在嵌入式系統(tǒng)中通常用于存放系統(tǒng)、應(yīng)用和數(shù)據(jù)等。在 PC 系統(tǒng)中，則主要用在固態(tài)硬盤以及主板 BIOS 中。
關(guān)鍵字： Flash 存儲(chǔ)器 嵌入式系統(tǒng)
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