供應(yīng)過剩 NAND及DRAM行情短期進一步惡化
美國iSuppli調(diào)研結(jié)果顯示，由于供應(yīng)過剩與價格暴跌，DRAM及NAND閃存行情將在短期內(nèi)進一步惡化。
NAND閃存方面，預計512M產(chǎn)品全球平均單價(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單價在第二季度、第三季度均比上季度有所提高，分別為6%與8.4%。但是在第四季度，隨著價格下跌，行情出現(xiàn)惡化，短期內(nèi)很難恢復。iSuppli首席分析師NamHyungKim表示，此次價格下跌的主要原因韓國內(nèi)存廠商將生產(chǎn)能力從DRAM轉(zhuǎn)移至NAND閃存，從而導致了供應(yīng)過剩。
DRAM的行情方面，受到預計之外的2007年第三季度的收益下降及2007年11月的季節(jié)需求低迷的影響，預計將進一步惡化。2007年9月以后DRAM市場價格已跌至生產(chǎn)成本以下，512M容量DDR2產(chǎn)品的價格已經(jīng)崩潰。在亞洲市場上，現(xiàn)貨價格已經(jīng)跌破1美元。受到此次價格下跌的影響，2007年第四季度DRAM廠商的業(yè)績預計將趨于惡化，DRAM市場整體收益的惡化將持續(xù)至2008年第一季度。
不過，iSuppli預測，在今后幾個季度內(nèi)，內(nèi)存市場將會逐漸恢復。在庫存減少及產(chǎn)量(按bit換算)減少的推動下，DRAM市場將首先恢復，多數(shù)廠商將在2008年第二季度實現(xiàn)盈利。另一方面，NAND閃存的行情在第二季度仍將惡化，到第三季度將開始反彈。但是，這一預測的前提是內(nèi)存廠商不進行會導致DRAM價格進一步下跌的增產(chǎn)，市場的恢復也可能會因廠商的動向而推遲。
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