麥滿權(quán)解釋說，兩者最大區(qū)別在于，變阻器是利用材料特性吸收能量，鉗位電壓高，而TVS則利用開關(guān)動作泄放能量，鉗位電壓低。被保護IC隨著尺寸縮小而更容易受到ESD損壞，因此要求鉗位電壓變低。變阻器的工作原理決定其封裝越小，鉗制能力越低(鉗位電壓越高)，但TVS的性能則不會隨著小型化而降低。另外，變阻器在長期受到電壓沖擊后，漏電流越來越大，而TVS漏電流很小，而且基本不變。他總結(jié)說：“與變阻器相比，TVS有更好的鉗制性能、更低的泄漏、更長的使用壽命?！?

隨著尺寸縮小，變阻器越來越難以滿足IC的ESD防護需求。

    安森美的TVS面向三大類ESD應用：標準/低速ESD保護(鍵區(qū)、按鈕、電池接頭、充電器插口、旁鍵)、高速ESD保護(USB1.1、USB2.0FS、FM天線、SIM卡)和雙向ESD保護(音頻線路、揚聲器、麥克風)，最小封裝為SOD-923封裝，尺寸和鉗制性能均大大優(yōu)于0402變阻器。安森美還即將推出更小的SOD-1123封裝。不過，對于USB2.0HS、HDMI和RF天線等超高速ESD保護來說，TVS仍不能很好滿足需求。由于速度越高，要求TVS的寄生電容越低(低至1pF以下)以減少信號損耗，但電容越低，鉗制能力也越低，這是兩個相互矛盾的需求。

    董湧表示：“目前TVS的電容最低為2~3pF，而我們低電容變阻器的典型值為0.25pF，相差一個數(shù)量級”。由于大量的變阻器和二極管廠商充斥ESD保護市場，泰科瑞侃專注于HDMI等超高速市場，以避開競爭。

    安森美也坦承同時滿足低電容和高鉗制能力需求的困難，目前其用于USB的TVS電容最低為5pF。但麥滿權(quán)自豪地表示，安森美已經(jīng)采用與現(xiàn)有器件完全不同的技術(shù)，研發(fā)出名為ESD9L的新型TVS工作樣片，不久將推出工程樣片，電容為1pF左右，鉗制能力甚至比現(xiàn)有器件還好，他稱：“這將將確定安森美在全球ESD行業(yè)的領(lǐng)袖地位”。

    面對這種半導體器件加入電路保護應用，甚至取代部分被動元件的趨勢，董湧表示，未來泰科在不斷改進現(xiàn)有材料的同時，也會做一些半導體產(chǎn)品，更重要的是，泰科將利用現(xiàn)有技術(shù)積累，開發(fā)一些被動和半導體材料融合的產(chǎn)品。他表示：“如果單單從被動元件的技術(shù)發(fā)展曲線來看，它經(jīng)過最初高速創(chuàng)新后已經(jīng)到了一個頂部，比較成熟，目前沒有非常大的創(chuàng)新，都是一些細節(jié)上改善。很顯然，業(yè)界需要另外一個新的開始，新的創(chuàng)新從哪里開始，主要還是新材料的開發(fā)，包括我們和其它技術(shù)進行融合，我相信未來被動和半導體技術(shù)可能會融合?！?

    經(jīng)過不斷嘗試后，以PPTC材料聞名的泰科已經(jīng)成功推出了PolyZen產(chǎn)品，它也是PPTC和半導體材料融合的第一個成功例子。PolyZen微型集成模塊組件內(nèi)置了一個穩(wěn)壓齊納二極管和一個非線性PPTC電阻層，為采用圓桶型插口作為直流電源輸入的便攜設備提供過流過壓綜合保護，避免由于感應電壓尖峰、電壓瞬變、不正確電源和極性接反所導致的損壞現(xiàn)象，首款PolyZen48V過電壓抑制器件現(xiàn)已上市，具有13.2V齊納鉗位電壓。董湧指出：“集成模塊雖然成本比分立方案貴一些，但好處是空間和元件數(shù)量減少，更重要的是性能的提高。兩個器件耦合在一起，一是工程師不需要通過很多實驗來比對各種故障條件下的耦合，匹配過壓和過流參數(shù)，二是兩個器件耦合在一起時有一個熱傳導，能利用過壓過流之間的熱聯(lián)系，互相保護?？傊赡軌蜃屵@兩個器件相互匹配，互相保護?！?