據(jù)市場調(diào)研公司iSuppli,第二季度全球閃存銷售額增長14.4%,從第一季度的26億美元上升到30億美元,代表2005年第四季度以來全球NAND閃存市場銷售額增長21%以來的最大增幅。
繼第一季度全球NAND閃存銷售額下降21%之后,許多廠商放慢了產(chǎn)量的提升速度,導(dǎo)致第二季度NAND的位出貨量僅增長9%,遠(yuǎn)低于第一季度的32%。iSuppli表示,第二季度全球兆字節(jié)平均銷售價格上漲了5%。
由于預(yù)計下半年需求形勢改善,加之供應(yīng)緊張,iSuppli把它對2007年NAND閃存銷售額增長率的預(yù)估值提高到了10-15%,原來的預(yù)測是今年銷售額與上年持平。
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據(jù)統(tǒng)計,隨著Intel閃存業(yè)務(wù)被SK海力士收購,韓國企業(yè)三星+SK海力士合計占市場份額已經(jīng)超過50%。
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閃存
NAND閃存
三星
海力士
新聞概要 公司全球首發(fā)238層 512Gb TLC 4D NAND閃存,將于明年上半年投入量產(chǎn) 成功研發(fā)層數(shù)最高,面積最小的NAND閃存,并顯著改善生產(chǎn)效率、數(shù)據(jù)傳輸速度、功耗等特性 "公司將持...
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SK海力士
NAND閃存
CE
LEVEL
(全球TMT2022年8月3日訊)SK海力士于8月3日宣布成功研發(fā)全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層NAND閃存。SK海力士向客戶發(fā)送了238層 512Gb TLC(Triple Level Cell) 4D NAND閃存...
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SK海力士
NAND閃存
芯片
SSD
據(jù)韓媒thelec報道,華為方面計劃采購NAND閃存晶圓,自行完成測試封裝工序,已為此籌建相關(guān)設(shè)施,或?qū)⒂谙掳肽觊_始量產(chǎn)。
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華為
5G
NAND閃存
(全球TMT2021年12月30日訊)SK海力士宣布,已于12月30日圓滿完成了收購英特爾NAND閃存及SSD業(yè)務(wù)案的第一階段。繼12月22日獲得中國國家市場監(jiān)督管理總局的批準(zhǔn)后,SK海力士完成了第一階段的后續(xù)流程,包...
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NAND閃存
海力士
英特爾
SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存的發(fā)展大家應(yīng)該都比較熟悉了,它們代表了每個單元能夠存儲的比特數(shù)據(jù),密度越來越高,容量越來越大,當(dāng)然可靠性、壽命越來越低。
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閃存
NAND閃存
比特數(shù)據(jù)
(全球TMT2021年10月12日訊)嵌入式存儲解決方案全球領(lǐng)導(dǎo)者SkyHigh Memory Limited將在其NAND閃存系列中推出3.0V 1Gb-4Gb密度4KB頁面和2KB頁面ML-3產(chǎn)品。全新的1...
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SLC
NAND閃存
(全球TMT2021年8月5日訊)面向物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、移動和汽車SoC的半導(dǎo)體IP提供商Arasan Chip Systems宣布立即提供符合開放Nand閃存接口(ONFI)5.0規(guī)范的N
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NAND閃存
長江存儲科技有限責(zé)任公司128層QLC 3D NAND 閃存(型號: X2-6070),已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)...
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QLC閃存
NAND閃存
隨著信息的爆發(fā)式增長,相關(guān)部門在部署信息存儲應(yīng)用時,越來越多地考慮固態(tài)硬盤(SSD)技術(shù),這是因為這種技術(shù)具有特別快速的性能。然而,他們可能沒有認(rèn)識到市場上有不同版本
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SSD
驅(qū)動器
NAND閃存
編程
自問世以來,NAND閃存對ECC(糾錯碼)糾錯能力的要求越來越高。雖然這不是一個新問題,但是支持最新的多層單元(MLC)架構(gòu)和每單元存儲三位數(shù)據(jù)(three-bit-per-cell)技術(shù)所需的
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LEARN
系統(tǒng)設(shè)計
NAND閃存
ECC
前言閃存是手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字電視和機(jī)頂盒或發(fā)動機(jī)控制模塊等數(shù)字應(yīng)用中一種十分常見的半導(dǎo)體存儲器,這類芯片需具備系統(tǒng)級編程功能和斷電數(shù)據(jù)保存功能。閃存兼?zhèn)涓叽鎯?/p>
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閃存技術(shù)
ST
NOR閃存
NAND閃存
賽普拉斯半導(dǎo)體公司今日宣布推出面向高安全應(yīng)用的單層單元(SLC)NAND閃存系列。此前,高安全應(yīng)用的設(shè)計者一直使用帶有分區(qū)保護(hù)的NOR閃存存儲啟動代碼,并利用商用級SLC NAND閃存存儲系統(tǒng)固件和應(yīng)用。全新的賽普拉斯S...
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SLC
賽普拉斯
NAND閃存
GB
21ic訊,全球嵌入式系統(tǒng)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司(Nasdaq:CY)今日宣布推出面向高安全應(yīng)用的單層單元(SLC)NAND閃存系列。此前,高安全應(yīng)用的設(shè)計者一直使用帶有分區(qū)保護(hù)的NOR閃存存儲啟動代碼,并利用...
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賽普拉斯
SLC
NAND閃存
GB
東芝公司今日宣布研發(fā)全球首款*1運用硅通孔(TSV)技術(shù)的16顆粒(最大)堆疊式NAND閃存。將于8月11日至13日在美國圣克拉拉舉行的2015年閃存峰會(Flash Memory Summit 2015)上展示其原型。...
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東芝
NAND閃存
I/O
封裝
業(yè)內(nèi)消息人士的說法稱,清華紫光正在將收購目標(biāo)瞄準(zhǔn)NAND閃存廠商SanDisk和東芝。消息人士透露,清華紫光旗下Unisplendor已達(dá)成協(xié)議,收購硬盤廠商西部數(shù)據(jù)的約15%股份。近期,中國正試圖發(fā)展自主的存儲設(shè)備、D...
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紫光
SANDISK
東芝
NAND閃存
根據(jù)Computerworld網(wǎng)站報道,IBM研究人員在自旋電子學(xué)領(lǐng)域(“自旋遷移電子學(xué)”的簡稱)取得了重大技術(shù)突破,能夠利用電子在磁場內(nèi)的自旋并結(jié)合讀寫頭,在半導(dǎo)體材
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IBM
閃存技術(shù)
NAND閃存
電子
閃存幾乎無處不在,特別是在移動設(shè)備中。閃存具有各種外形尺寸,隨著成本的不斷降低以及容量和工作壽命的不斷增加,閃存不斷地推動著越來越多的平臺中硬盤驅(qū)動器的發(fā)展。NAND和NOR閃存主導(dǎo)著固態(tài)非易失性存儲器(NVM
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SATA
EXPRESS
NAND閃存
引腳
北京時間4月4日下午消息,據(jù)《日刊工業(yè)新聞》報道,由于移動設(shè)備的需求持續(xù)增加,東芝最早計劃今年夏天興建一座新的NAND閃存芯片工廠。該工廠是東芝第五座NAND工廠的二期項
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東芝
閃存芯片
NAND閃存
移動設(shè)備