臺(tái)研究機(jī)構(gòu)三年內(nèi)將推相變內(nèi)存 MRAM明年實(shí)用
10月10日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，一家中國(guó)臺(tái)灣研究機(jī)構(gòu)稱(chēng)，它將在三年內(nèi)推出相變內(nèi)存（PRAM)，另一種與DRAM內(nèi)存競(jìng)爭(zhēng)的MRAM技術(shù)（磁性隨機(jī)儲(chǔ)存）也將在2008年底進(jìn)入實(shí)用階段。
與六家中國(guó)臺(tái)灣芯片制造商合作的工業(yè)技術(shù)研究院（ITRI)在兩年前開(kāi)始開(kāi)發(fā)相變內(nèi)存技術(shù)。到目前為止，該合作集團(tuán)已經(jīng)得到了相關(guān)新技術(shù)的50項(xiàng)專(zhuān)利，并生產(chǎn)了芯片原型，同時(shí)還完成了晶圓切割。 ITRI與芯片制造商的合作關(guān)系將在明年6月結(jié)束，但有可能再次結(jié)成新的合作。
PRAM內(nèi)存可在芯片供電中斷時(shí)保存數(shù)據(jù)，與普通閃存的工作原理相同。但PRAM寫(xiě)入數(shù)據(jù)的速度要比閃存塊30倍，其壽命周期也將至少提高十倍。
ITRI可能不是第一家銷(xiāo)售PRAM內(nèi)存產(chǎn)品的商家。全球最大芯片制造商三星公司在去年發(fā)布了512MB新內(nèi)存原型，并有望在明年早些時(shí)候上市銷(xiāo)售。但I(xiàn)TRI其他公司有可能以更大的內(nèi)存容量和不同功能來(lái)?yè)魯∪恰?nbsp;
其他芯片制造商也在積極開(kāi)發(fā)相變內(nèi)存，其中有英特爾公司、IBM公司、Qimonda公司、意法半導(dǎo)體公司、Hynix半導(dǎo)體公司和Ovonyx。
臺(tái)積電和ITRI也在開(kāi)發(fā)磁性隨機(jī)儲(chǔ)存內(nèi)存技術(shù)（MRAM)，雙方已經(jīng)獲得了與此有關(guān)的40多項(xiàng)專(zhuān)利。臺(tái)積電有可能在明年底或2009年早期向客戶(hù)銷(xiāo)售MRAM。
與六家中國(guó)臺(tái)灣芯片制造商合作的工業(yè)技術(shù)研究院（ITRI)在兩年前開(kāi)始開(kāi)發(fā)相變內(nèi)存技術(shù)。到目前為止，該合作集團(tuán)已經(jīng)得到了相關(guān)新技術(shù)的50項(xiàng)專(zhuān)利，并生產(chǎn)了芯片原型，同時(shí)還完成了晶圓切割。 ITRI與芯片制造商的合作關(guān)系將在明年6月結(jié)束，但有可能再次結(jié)成新的合作。
PRAM內(nèi)存可在芯片供電中斷時(shí)保存數(shù)據(jù)，與普通閃存的工作原理相同。但PRAM寫(xiě)入數(shù)據(jù)的速度要比閃存塊30倍，其壽命周期也將至少提高十倍。
ITRI可能不是第一家銷(xiāo)售PRAM內(nèi)存產(chǎn)品的商家。全球最大芯片制造商三星公司在去年發(fā)布了512MB新內(nèi)存原型，并有望在明年早些時(shí)候上市銷(xiāo)售。但I(xiàn)TRI其他公司有可能以更大的內(nèi)存容量和不同功能來(lái)?yè)魯∪恰?nbsp;
其他芯片制造商也在積極開(kāi)發(fā)相變內(nèi)存，其中有英特爾公司、IBM公司、Qimonda公司、意法半導(dǎo)體公司、Hynix半導(dǎo)體公司和Ovonyx。
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