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三星宣布導(dǎo)入20nm級 NAND閃存芯片

時(shí)間：2010-10-14 09:33:27

關(guān)鍵字：三星閃存芯片 NAND閃存 4G

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[導(dǎo)讀]三星電子稱正在采用20nm級的工藝生產(chǎn)64G 每單元三位的NAND閃存。該存儲芯片適合用于USB閃存和數(shù)碼存儲卡。三星稱該芯片技術(shù)已于今年4月導(dǎo)入，但有意見質(zhì)疑稱三星此舉是為了宣布27nm工藝已應(yīng)對競爭對手宣布的26nm、25

三星電子稱正在采用20nm級的工藝生產(chǎn)64G 每單元三位的NAND閃存。該存儲芯片適合用于USB閃存和數(shù)碼存儲卡。

三星稱該芯片技術(shù)已于今年4月導(dǎo)入，但有意見質(zhì)疑稱三星此舉是為了宣布27nm工藝已應(yīng)對競爭對手宣布的26nm、25nm和24nm工藝。今年8月，Toshiba宣布了24nm 64G NAND閃存，在NAND閃存制程賽跑中處于領(lǐng)先。

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