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海力士擬明年量產(chǎn)20納米NAND Flash

時(shí)間：2010-10-20 13:50:57

關(guān)鍵字： Flash 海力士 NAND DRAM

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[導(dǎo)讀]韓國(guó)半導(dǎo)體廠海力士(Hynix)計(jì)劃2011年中以20納米制程量產(chǎn)NAND Flash。此20納米制程快閃存儲(chǔ)器可應(yīng)用于手機(jī)或平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)等裝置，相較26納米存儲(chǔ)器，晶圓(wafer)產(chǎn)出量提高約25%。海力士社長(zhǎng)權(quán)五哲表示，自

韓國(guó)半導(dǎo)體廠海力士(Hynix)計(jì)劃2011年中以20納米制程量產(chǎn)NAND Flash。此20納米制程快閃存儲(chǔ)器可應(yīng)用于手機(jī)或平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)等裝置，相較26納米存儲(chǔ)器，晶圓(wafer)產(chǎn)出量提高約25%。

海力士社長(zhǎng)權(quán)五哲表示，自2010年8月投入量產(chǎn)的26納米64Gb NAND Flash目前出貨相當(dāng)順利。2011年中計(jì)劃量產(chǎn)20納米制程產(chǎn)品。海力士持續(xù)引領(lǐng)DRAM產(chǎn)品制程微縮趨勢(shì)，然而NAND Flash產(chǎn)品技術(shù)方面在過(guò)去1、2年落后其它競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者，但開(kāi)始量產(chǎn)26納米NAND Flash之后，相信技術(shù)方面與其它先驅(qū)企業(yè)間的差距已大幅縮減。

海力士在30納米制程N(yùn)AND Flash開(kāi)發(fā)及量產(chǎn)上雖然較其它競(jìng)爭(zhēng)公司晚了近6個(gè)月，但推出26納米產(chǎn)品后則將差距縮減至1季。外界也期待海力士是否能與其它競(jìng)爭(zhēng)公司在相近的時(shí)期中推出20納米產(chǎn)品。

海力士2010年第2季末32納米以下NAND Flash產(chǎn)品比重約占整體產(chǎn)品30%，8月量產(chǎn)26納米產(chǎn)品后，第3季末產(chǎn)品比重已超越50%。第4季則將可望達(dá)到70%。

海力士2007年NAND Flash產(chǎn)品占有率約19%，其后市場(chǎng)萎縮，接連關(guān)閉NAND Flash主要產(chǎn)線8寸廠，2010年第1季時(shí)市占率已下滑至個(gè)位數(shù)。

以 12寸廠為基準(zhǔn)，三星電子(Samsung Electronics)每月產(chǎn)量30萬(wàn)片、日廠東芝(Toshiba)每月產(chǎn)量24萬(wàn)片，海力士目前每月產(chǎn)量?jī)H7萬(wàn)片。海力士計(jì)劃年底前將產(chǎn)能擴(kuò)大至8 萬(wàn)片，但權(quán)五哲對(duì)于擴(kuò)大NAND Flash投資方面則慎重表示，將會(huì)綜合考量市場(chǎng)條件和競(jìng)爭(zhēng)力等因素后，再進(jìn)行投資。2011年投資金額目前尚未底定。

海力士2010年包含將DRAM生產(chǎn)設(shè)備轉(zhuǎn)換為NAND生產(chǎn)設(shè)備等，在NAND Flash領(lǐng)域約投資1兆韓元(約8.96億美元)。

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