日本的一個研究小組日前宣布,他們利用分子聚集并自然排布的現(xiàn)象,用高分子材料制成了寬度僅10納米的超微結(jié)構(gòu),這種新技術(shù)有望大幅提高半導體的性能。
據(jù)日本媒體報道,日本京都大學和日立制作所的聯(lián)合研究小組對高分子膜覆蓋的基板進行特殊處理,制成了這種超微結(jié)構(gòu)。如果在該結(jié)構(gòu)表面覆蓋氧化物,就可能使這種結(jié)構(gòu)具有半導體的性能。
據(jù)日本專家介紹,此前日本研究者利用半導體技術(shù)最小只能生產(chǎn)寬度為65納米的超微結(jié)構(gòu),如果上述新技術(shù)達到實用水平并用于半導體生產(chǎn),就可以使按單位面積計算的半導體超微結(jié)構(gòu)的密度達到原先的9倍,半導體的性能也會達到目前半導體產(chǎn)品的9倍。
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