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三星電子：半導(dǎo)體廠房跳電損失估計(jì)不到90億韓元

時(shí)間：2010-03-30 09:22:34

關(guān)鍵字：三星電子半導(dǎo)體斷電 GB

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[導(dǎo)讀]三星電子(SamsungElectronics)表示，截至臺(tái)北時(shí)間25日下午3時(shí)為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導(dǎo)體廠房跳電所造成的損失估計(jì)不到90億韓圜(790萬(wàn)美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。MeritzSecur

三星電子(SamsungElectronics)表示，截至臺(tái)北時(shí)間25日下午3時(shí)為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導(dǎo)體廠房跳電所造成的損失估計(jì)不到90億韓圜(790萬(wàn)美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。MeritzSecurities分析師LeeSun- tae指出，三星半導(dǎo)體廠房跳電造成的影響其實(shí)不大，主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。

YonhapNews于南韓時(shí)間24日下午7時(shí)48分報(bào)導(dǎo)，三星電子器興市半導(dǎo)體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區(qū)在當(dāng)?shù)貢r(shí)間下午2時(shí)30分左右斷電，并在3時(shí)35分、5時(shí)38分恢復(fù)電力。三星表示，上述廠房的核心生產(chǎn)運(yùn)作并未中斷，主因廠房設(shè)有不斷電系統(tǒng)(UPS)。此外，該公司正在調(diào)查斷電原因以及對(duì)生產(chǎn)的損害程度。

受到三星電子半導(dǎo)體廠房跳電的影響，DRAM、NAND型閃存現(xiàn)貨報(bào)價(jià)走勢(shì)強(qiáng)勁。根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)報(bào)價(jià)，截至臺(tái)北時(shí)間25日下午6時(shí)為止，DDR31Gb128Mx81333MHz勁揚(yáng)2.46%,報(bào)3.08美元;NAND64Gb8Gx8MLC漲1.12%,報(bào)15.26美元。

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ASML發(fā)布Q3財(cái)報(bào)：凈營(yíng)收同比增長(zhǎng)10%

荷蘭ASML公司今天發(fā)布了Q3季度財(cái)報(bào)，凈營(yíng)收同比增長(zhǎng)10%至58億歐元，超出此前預(yù)期的53.9億歐元;凈利潤(rùn)17.01億歐元，同比下降了2.24%，但表現(xiàn)也超出了預(yù)期的14.2億歐元。

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關(guān)鍵字：臺(tái)積電半導(dǎo)體芯片

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