受惠于晶圓代工與DRAM廠推出先進制程，對浸潤式顯影機臺需求大增，讓半導體設備大廠艾斯摩爾(ASML)2010年接單暢旺，隨著半導體制程推進5x奈米以下先進制程，制程復雜度大增，亦需加緊提高量良率，讓ASML甫于2009年推出的整合微影技術(Holistic Lithography)系列產品，已獲得意法半導體(STMicroelectronics)采用于28奈米制程。
ASML指出，隨著半導體制程推進到50x奈米以下制程，業(yè)者投入的經費越來越高昂，生產時程亦拉得更長，良率更難提升，制程容許度(process window)更小，讓制程人員再研發(fā)過程中更為吃力，亦考驗電路設計、光罩及曝光機的穩(wěn)定性。
ASML進一步指出，為協(xié)助客戶縮短研發(fā)時程，并延續(xù)摩爾定律(Moore’s Law)，并能夠實際將制程導入生產線，確保生產線穩(wěn)定，ASML致力于新型設備的開發(fā)，并將設備、軟件與量測等系統(tǒng)結合，提供更大的設計自由度。
ASML 于2009年推出Holistic系列產品，其中包括可編程照光技術 (FlexRay)和反饋式調控機制 (BaseLiner)，以及量測設備YieldStar。ASML指出，在Holistic系列產品的架構下，ASML亦結合軟件、輔助硬件應用支持，為客戶量身打造Eclipse解決方案，滿足每個客戶不同的需求。
由于進入2x奈米以下制程，半導體業(yè)者多采用雙重曝光(double- patterning)微影技術，但在曝光的同時，也容易造成誤差，同時，1個晶圓廠中，數(shù)十臺的曝光機也多少會有誤差產生，雖然這些誤差在一定的范圍內，仍可容許，不過隨著需求的大幅成長，半導體業(yè)者亦積極提升制程量良率，因此進而帶動對ASML整合微影產品的銷售。
ASML表示，最新的Eclipse系列產品，已有包括ST等多家半導體大廠采用，ST采用TWINSCAN NXT 1950i型曝光機，用于28奈米制程，可提升堆疊的準確度。ASML進一步指出，公司也正在將Eclipse產品推向20奈米制程。
ASML 表示，TWINSCAN NXT 1950i機臺首季出貨9臺，第2季出貨數(shù)據將于近期法說會公告，累計至今，全球已有50萬片晶圓采用該機臺進行曝光。
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